一种薄膜感性弱耦合滤波器的制作方法

文档序号:21728712发布日期:2020-08-05 01:20阅读:112来源:国知局
一种薄膜感性弱耦合滤波器的制作方法

本实用新型涉及滤波器领域,尤其是涉及一种薄膜感性弱耦合滤波器。



背景技术:

随着无线通讯技术的迅猛发展,电子业界对于电子器件小型化要求也越来越高,无线通讯产品向着短、小、轻、薄等方向发展;频谱资源越来越稀缺,导致系统处理信号时,对抑制要求更高。

现有的滤波器,一般中、宽带宽的滤波器采用腔体滤波器很容易实现,而实现窄带宽则都是采用高q值的介质滤波器。为了实现弱耦合,即实现超窄带宽,往往在介质滤波器的开路面开设凹槽,但当耦合量需求很小时,常规的开槽方式也无法达到。



技术实现要素:

为解决上述问题,本实用新型提出了一种薄膜感性弱耦合滤波器。

本实用新型的主要内容包括:

一种薄膜感性弱耦合滤波器,包括左本体和右本体,所述左本体和所述右本体为长方体结构,所述左本体的前端面和所述右本体的前端面中心开设有调谐通孔,所述左本体和所述右本体相互面对的内侧面上开设有两条平行设置的耦合凹槽;两条所述耦合凹槽沿与所述调谐通孔的中心轴线平行的方向延伸,且所述耦合凹槽由所述左本体和所述右本体的前端面贯穿至其后端面;所述左本体和所述右本体的上侧面靠近其对应前端面和外侧面的一侧分别设置有输入输出端子;其中,所述左本体和所述右本体的前端面均为开路面,所述左本体和所述右本体的外侧面、内侧面以及上侧面、下侧面和后端面、所述调谐通孔的内壁均涂覆有导电膜;所述耦合凹槽的槽底以及槽壁无导电膜。

优选的,所述左本体和所述右本体的上侧面靠近其对应前端面和外侧面的一侧开设有间隔凹槽,所述间隔凹槽内无导电膜,所述间隔凹槽将所述上侧面分隔出收发区域,所述收发区域构成所述输入输出端子。

优选的,所述间隔凹槽呈l型。

优选的,两条所述耦合凹槽均匀分布在所述左本体和右本体的内侧面的中部;且两条所述耦合凹槽的宽度相同或者不同。

优选的,所述导电膜为金属材质。

优选的,所述金属材质为银或者铜。

优选的,所述左本体和所述右本体的材质为陶瓷。

优选的,所述左本体和所述右本体通过焊接方式拼合。

本实用新型的有益效果在于:本实用新型提出的一种薄膜感性弱耦合滤波器,通过在左本体和右本体相拼合的表面开设两条与调谐通孔的中心轴线相平行的耦合凹槽,使得在两者拼合后在滤波器的前端面形成有两个上下设置的通槽的弱耦合结构,能够实现更小的耦合量,解决常规弱耦合方式在实现很小耦合量无法加工的问题,从而实现超窄带宽的滤波器。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图;

图2为左本体和右本体一个角度的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型所保护的技术方案做具体说明。

请参照图1至图2。本实用新型提出了一种薄膜感性弱耦合滤波器,包括左本体10和右本体20,其中,所述左本体10和所述右本体20为长方体结构,所述左本体10的前端面11和所述右本体20的前端面11中心开设有调谐通孔100,同时在所述左本体10和所述右本体20相互面对的内侧面14上开设有两条平行设置的耦合凹槽30,且两条所述耦合凹槽30沿与所述调谐通孔100的中心轴线平行的方向延伸,且所述耦合凹槽30由所述左本体10和所述右本体20的前端面11贯穿至其后端面,能够在满足弱耦合的前提下,降低开槽的难度。

在其中一个实施例中,两条所述耦合凹槽30均匀分布在所述左本体10和右本体20的内侧面14的中部;且两条所述耦合凹槽30的宽度相同或者不同。

在其中一个实施例中,所述左本体10和所述右本体20的材质为陶瓷,且所述左本体10和所述右本体20通过焊接方式拼合。

进一步地,所述左本体10和所述右本体20的前端面11均为开路面,所述左本体10和所述右本体20的外侧面13、内侧面14以及上侧面12、下侧面和后端面、所述调谐通孔100的内壁均涂覆有导电膜;所述耦合凹槽30的槽底以及槽壁无导电膜。

在其中一个实施例中,所述导电膜为金属材质。优选的,所述金属材质为银或者铜。

更进一步地,所述左本体10和所述右本体20的上侧面12靠近其对应前端面11和外侧面13的一侧分别设置有输入输出端子200;优选的,所述左本体10和所述右本体20的上侧面12靠近其对应前端面11和外侧面13的一侧开设有间隔凹槽120,所述间隔凹槽120内无导电膜,所述间隔凹槽120将所述上侧面12分隔出收发区域,所述收发区域构成所述输入输出端子200。优选的,所述间隔凹槽呈l型。

以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。



技术特征:

1.一种薄膜感性弱耦合滤波器,其特征在于,包括左本体和右本体,所述左本体和所述右本体为长方体结构,所述左本体的前端面和所述右本体的前端面中心开设有调谐通孔,所述左本体和所述右本体相互面对的内侧面上开设有两条平行设置的耦合凹槽;两条所述耦合凹槽沿与所述调谐通孔的中心轴线平行的方向延伸,且所述耦合凹槽由所述左本体和所述右本体的前端面贯穿至其后端面;所述左本体和所述右本体的上侧面靠近其对应前端面和外侧面的一侧分别设置有输入输出端子;其中,所述左本体和所述右本体的前端面均为开路面,所述左本体和所述右本体的外侧面、内侧面以及上侧面、下侧面和后端面、所述调谐通孔的内壁均涂覆有导电膜;所述耦合凹槽的槽底以及槽壁无导电膜。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜感性弱耦合滤波器,其特征在于,所述左本体和所述右本体的上侧面靠近其对应前端面和外侧面的一侧开设有间隔凹槽,所述间隔凹槽内无导电膜,所述间隔凹槽将所述上侧面分隔出收发区域,所述收发区域构成所述输入输出端子。

3.根据权利要求2所述的一种薄膜感性弱耦合滤波器,其特征在于,所述间隔凹槽呈l型。

4.根据权利要求1所述的一种薄膜感性弱耦合滤波器,其特征在于,两条所述耦合凹槽均匀分布在所述左本体和右本体的内侧面的中部;且两条所述耦合凹槽的宽度相同或者不同。

5.根据权利要求1至4任一所述的一种薄膜感性弱耦合滤波器,其特征在于,所述导电膜为金属材质。

6.根据权利要求5所述的一种薄膜感性弱耦合滤波器,其特征在于,所述金属材质为银或者铜。

7.根据权利要求1至4任一所述的一种薄膜感性弱耦合滤波器,其特征在于,所述左本体和所述右本体的材质为陶瓷。

8.根据权利要求7所述的一种薄膜感性弱耦合滤波器,其特征在于,所述左本体和所述右本体通过焊接方式拼合。


技术总结
本实用新型提出的一种薄膜感性弱耦合滤波器,包括相互拼合的左本体和右本体,通过在左本体和右本体相拼合的表面开设两条与调谐通孔的中心轴线相平行的耦合凹槽,使得在两者拼合后在滤波器的前端面形成有两个上下设置的通槽的弱耦合结构,能够实现更小的耦合量,解决常规弱耦合方式在实现很小耦合量无法加工的问题,从而实现超窄带宽的滤波器。

技术研发人员:宫亮;廖明
受保护的技术使用者:苏州富电通讯有限公司
技术研发日:2019.12.31
技术公布日:2020.08.04
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