一种光电探测器的制作方法

本实用新型涉及光电探测技术领域，尤其涉及一种光电探测器。

背景技术：

光电探测器能把光信号转换为电信号，光电探测器的工作原理是基于光电效应，热探测器基于材料吸收了光辐射能量后温度升高，从而改变了它的电学性能，以此将光信号转换为电信号用于光信号的数据采集。

目前市场上已有的光电探测器按照工作原理和结构，通常分为光电探测器和热电探测器，其中光电探测器包括真空光电器件(光电倍增管等)和固体光电探测器、光电二极管、光导探测器、ccd等，目前市场上已有的光电探测器均为通过光敏层进行对光线的采集吸收，为了采集到更多的光线和更容易吸收光线，市场上的光电探测器多为直接将光敏层直接暴露在光电探测器的外壳上，极容易出现但在特殊的场合光电探测器的光敏层被损坏或者阻挡，从而影响光电探测器的数据采集效果。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种光电探测器，本实用新型通过在光敏层外侧增加保护层和在保护层上设有的减反层，来保证光敏层的避免轻易被损伤，同时保证光敏层能顺利采集到光线，同时，将外壳与保护层通过螺纹连接，在出现简单的灰尘堵塞或者光线路不通的情况可直接通过旋下内部结构进行检查和清除障碍物，节省费时费力的将光电探测器进行送检的繁琐步骤。

本实用新型通过以下技术手段解决上述技术问题：

本实用新型的一种光电探测器包括外壳和由下而上依次层叠设在外壳内部的si衬底、透明基层、inp衬底、inp缓冲层、gaas衬底、ito层、光敏层衬底和光敏层，所述光敏层的外围蒸镀有au层并预留出出光孔，所述au层外部设有保护层。

进一步，所述透明基层采用的材料为inp，所述光敏层衬底为ingaas，所述保护层采用sio2。

进一步，所述gaas衬底在ito层进行生长的时候将gaas衬底进行蚀刻，所述gaas衬底被蚀刻后的大小小于ito层。

进一步，所述保护层sio2层上设有减反层，减少光线的反射。

进一步，所述au层大于保护层，并且所述au层与保护层均为对称结构。

进一步，所述外壳与保护层螺纹连接。

进一步，所述出光孔与gaas衬底宽度一致。

本实用新型的有益效果：本实用新型通过在光敏层外侧增加保护层和在保护层上设有的减反层，来保证光敏层的避免轻易被损伤，同时保证光敏层能顺利采集到光线，同时，将外壳与保护层通过螺纹连接，在出现简单的灰尘堵塞或者光线路不通的情况可直接通过旋下内部结构进行检查和清除障碍物，节省费时费力的将光电探测器进行送检的繁琐步骤。

附图说明

图1是本实用新型一种光电探测器的结构示意图；

图2是本实用新型一种光电探测器的整体安装结构示意图；

其中，保护层1，au层2，光敏层3，光敏层衬底4，ito层5，gaas衬底6，inp缓冲层7，inp衬底8，透明基层9，si衬底10，出光孔12，外壳13。

具体实施方式

以下将结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明：

如图1-图2所示，本实用新型的一种光电探测器包括外壳和由下而上依次层叠设在外壳内部的si衬底10、透明基层9、inp衬底8、inp缓冲层7、gaas衬底6、ito层5、光敏层衬底4和光敏层3，所述光敏层3的外围蒸镀有au层2并预留出出光孔12，所述au层2外部设有保护层。

本实施例中，所述透明基层9采用的材料为inp，所述光敏层衬底4为ingaas，所述保护层1采用sio2。

本实施例中，所述gaas衬底6在ito层5进行生长的时候将gaas衬底6进行蚀刻，所述gaas衬底6被蚀刻后的大小小于ito层5。

本实施例中，所述保护层1sio2层上设有减反层，减少光线的反射。

本实施例中，所述au层2大于保护层1，并且所述au层2与保护层1均为对称结构。

本实施例中，所述外壳13与保护层1螺纹连接。

本实施例中，所述出光孔12与gaas衬底6宽度一致。

以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。本实用新型未详细描述的技术、形状、构造部分均为公知技术。

技术特征：

1.一种光电探测器，其特征在于：包括外壳和由下而上依次层叠设在外壳(13)内部的si衬底(10)、透明基层(9)、inp衬底(8)、inp缓冲层(7)、gaas衬底(6)、ito层(5)、光敏层衬底(4)和光敏层(3)，所述光敏层(3)的外围蒸镀有au层(2)并预留出出光孔(12)，所述au层(2)外部设有保护层(1)。

2.根据权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于：所述透明基层(9)采用的材料为inp，所述光敏层衬底(4)为ingaas，所述保护层(1)采用sio2。

3.根据权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于：所述gaas衬底(6)在ito层(5)进行生长的时候将gaas衬底(6)进行蚀刻，所述gaas衬底(6)被蚀刻后的大小小于ito层(5)。

4.根据权利要求2所述的一种光电探测器，其特征在于：所述保护层(1)sio2层上设有减反层，减少光线的反射。

5.根据权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于：所述au层(2)大于保护层(1)，并且所述au层(2)与保护层(1)均为对称结构。

6.根据权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于：所述外壳(13)与保护层(1)螺纹连接。

7.根据权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于：所述出光孔(12)与gaas衬底(6)宽度一致。

技术总结
本实用新型涉及光电探测技术领域，公开了一种光电探测器，包括外壳和由下而上依次层叠设在外壳内部的透明基层、InP衬底、InP缓冲层、GaAs衬底、ITO层、光敏层衬底和光敏层，所述光敏层的外围蒸镀有Au层并预留出出光孔，所述Au层外部蒸镀有保护层，所述透明基层采用的材料为InP，所述光敏层衬底为InGaAs，所述保护层采用SiO2，所述GaAs衬底在ITO层进行生长的时候将GaAs衬底进行蚀刻，所述GaAs衬底被蚀刻后的大小小于ITO层，所述保护层SiO2层上设有减反层，减少光线的反射，所述Au层大于保护层，并且所述Au层与保护层均为对称结构。本实用新型通过在光敏层外侧增加保护层和在保护层上设有的减反层，来保证光敏层的避免轻易被损伤，同时保证光敏层能顺利采集到光线。

技术研发人员：黎祥;黎垚
受保护的技术使用者：武汉奥博奥科技有限公司
技术研发日：2020.03.02
技术公布日：2020.08.04