一种引线键合工艺用基板的制作方法

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种引线键合工艺用基板。

背景技术：

目前，dram存储器传统封装形式以芯片粘贴和引线键合的形式将芯片与基板实现电路导通。基板由两层线路层，目前产品设计将基板焊盘布置在远离芯片的那一层(如图2)。在引线键合工程，使用纯金线焊接在基板焊盘和芯片焊盘上，实现两者的电路导通。

由于dram产品的产品性能以及可靠性要求较高，目前业内仍以99.99％纯度金线进行键合作业。2018年至今金价市场价格走势不断攀高，制造成本不断上升，并且产品设计中键合线弧长度较长，线弧抗冲击能力较差。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种引线键合工艺用基板，用于基板与芯片的引线键合。

本实用新型提供一种引线键合工艺用基板，包括基板1，基板焊盘2，芯片3，芯片焊盘4，焊线5；

所述基板1还设置有上层基板11和下层基板12；所述上层基板11和下层基板12自上向下呈阶梯状设置；

所述基板焊盘2设置在所述基板1内部；

所述芯片3设置在所述基板1下部；

所述芯片焊盘4内嵌在所述芯片3上表面；

所述焊线5连接所述芯片焊盘4和所述基板焊盘。

本实用新型的有益效果为：通过改变基板设计，缩短金线线弧长度，金线使用成本下降；提高线弧抗冲击能力。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为现有技术结构示意图；

图中，

1、基板，11、上层基板，12、下层基板；2、基板焊盘；3、芯片；4、芯片焊盘；5、焊线。

具体实施方式

下面结合附图对本实用进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本实用新型的保护范围有任何的限制作用。

如附图1所示，本实用新型提供一种引线键合工艺用基板，包括基板1，基板焊盘2，芯片3，芯片焊盘4，焊线5；

所述基板1还设置有上层基板11和下层基板12；所述上层基板11和下层基板12自上向下呈阶梯状设置；

所述基板焊盘2设置在所述基板1内部；

所述芯片3设置在所述基板1下部；

所述芯片焊盘4内嵌在所述芯片3上表面；

所述焊线5连接所述芯片焊盘4和所述基板焊盘。

如附图2所示，为现有技术结构示意图，由于焊线要连接自芯片焊盘到基板上表面的基板焊盘，所以焊线要求长度长。如图1所示为本技术方案焊线连接方式，焊线5自芯片焊盘4连接到下层基板12上的基板焊盘2即可，与现有技术相比，减少了所需的焊线长度。同时，自芯片焊盘4到下层基板12上的基板焊盘2的高度差较小，则焊线5的弧度大，线弧抗冲击能力较强。

需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

以上所述的本实用新型实施方式，并不构成对本实用新型保护范围的限定。任何在本实用新型的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的权利要求保护范围之内。

技术特征：

1.一种引线键合工艺用基板，包括基板(1)，基板焊盘(2)，芯片(3)，芯片焊盘(4)，焊线(5)；

其特征在于，

所述基板(1)还设置有上层基板(11)和下层基板(12)；所述上层基板(11)和下层基板(12)自上向下呈阶梯状设置；

所述基板焊盘(2)设置在所述基板(1)内部；

所述芯片(3)设置在所述基板(1)下部；

所述芯片焊盘(4)内嵌在所述芯片(3)上表面；

所述焊线(5)连接所述芯片焊盘(4)和所述基板焊盘。

技术总结
本实用新型的目的在于提供一种引线键合工艺用基板，用于基板与芯片的引线键合；一种引线键合工艺用基板，包括基板1，基板焊盘2，芯片3，芯片焊盘4，焊线5；所述基板1还设置有上层基板11和下层基板12；所述上层基板11和下层基板12自上向下呈阶梯状设置；所述基板焊盘2设置在所述基板1内部；所述芯片3设置在所述基板1下部；所述芯片焊盘4内嵌在所述芯片3上表面；所述焊线5连接所述芯片焊盘4和所述基板焊盘；本实用新型的有益效果为：通过改变基板设计，缩短金线线弧长度，金线使用成本下降；提高线弧抗冲击能力。

技术研发人员：薛佳伟;王家松
受保护的技术使用者：海太半导体(无锡)有限公司
技术研发日：2020.10.30
技术公布日：2021.08.03