纳米晶磁芯内焊防蹦落装置的制作方法

1.本实用新型涉及纳米晶磁芯内焊防蹦落的技术领域，尤其涉及纳米晶磁芯内焊防蹦落装置。


背景技术：

2.电流互感器所用纳米晶磁芯卷制，磁芯卷制在内焊工序时为焊接牢固及磁芯能够及时脱落，内焊针在焊接同时有向下勾料作用力，磁芯在此作用力的作用下下落时容易向四周弹起蹦落现象。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的纳米晶磁芯内焊防蹦落装置。
4.为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
5.纳米晶磁芯内焊防蹦落装置，包括收集块，收集块的顶部开设有第一放置槽，所述第一放置槽的一端延伸至所述收集块的一端外部；
6.所述第一放置槽的内壁底部固定有橡胶保护层，所述第一放置槽的内壁上半部设置有遮挡板，所述遮挡板的顶部与所述收集块的顶部相平齐；
7.所述收集块远离其开口的一端固定与固定块。
8.优选的，所述固定块的一侧滑动设置有支撑块，所述固定块与所述支撑块之间共同设置有滑动组件。
9.优选的，所述滑动组件包括滑动块，所述支撑块的一侧开设有第一滑槽，所述第一滑槽的内部设置有第一导杆，所述滑动块的一侧与所述支撑块的一侧相固定，所述第一导杆的一端穿过所述滑动块，所述滑动块与所述第一滑槽滑动连接；
10.所述支撑块与所述固定块之间设置有固定组件，所述固定组件将所述支撑块与所述固定块相固定。
11.优选的，所述固定组件包括螺块，所述支撑块的一侧开设有螺纹盲孔，所述螺纹盲孔内壁底部开设有第一通孔，所述螺块设置在所述螺纹盲孔内部，所述第一通孔处设置有滑动杆；
12.所述螺块的一侧开设有第二放置槽，所述滑动杆的一端延伸至所述第二放置槽内部，所述第二放置槽内壁一侧设置有第二导杆，所述第二导杆的一端延伸至所述滑动杆内部，所述第二导杆与所述滑动杆滑动连接。
13.优选的，所述螺块的顶部固定有旋钮。
14.优选的，所述滑动杆的底边固定有橡胶块，所述橡胶块处于自然状态时，所述橡胶块的一侧与所述第一滑槽内壁一侧相接触。
15.本实用新型的有益效果是：
16.1、本实用新型通过设置收集块，收集块的顶部开设有第一放置槽，收集块放置在
磁芯的下方，磁芯在第一放置槽内部滑入磁芯放置位置，达到保护磁芯及防止磁芯蹦落的效果。
17.2、本实用新型通过在固定块及支撑块之间设置有滑动组件及固定组件，固定组件及滑动组件共同将支撑块及固定块的相对位置相固定。
附图说明
18.图1为本实用新型提出的纳米晶磁芯内焊防蹦落装置的结构示意图；
19.图2为本实用新型提出的纳米晶磁芯内焊防蹦落装置的a处放大结构示意图；
20.图3为本实用新型提出的纳米晶磁芯内焊防蹦落装置的b处放大结构示意图；
21.图4为本实用新型提出的纳米晶磁芯内焊防蹦落装置中收集块内部结构示意图。
22.图中：1、收集块；11、第一放置槽；12、橡胶保护层；13、遮挡板；2、固定块；3、支撑块；4、滑动组件；41、滑动块；42、第一滑槽；43、第一导杆；5、固定组件；51、螺块；52、螺纹盲孔；53、第一通孔；54、滑动杆；511、第二放置槽；512、第二导杆；55、旋钮；56、橡胶层。
具体实施方式
23.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
24.参照图1
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4，纳米晶磁芯内焊防蹦落装置，包括收集块1，收集块1的顶部开设有第一放置槽11，第一放置槽11的一端延伸至收集块1的一端外部；
25.第一放置槽11的内壁底部固定有橡胶保护层12，第一放置槽11的内壁上半部设置有遮挡板13，遮挡板13的顶部与收集块1的顶部相平齐；
26.收集块1远离其开口的一端固定与固定块2。
27.固定块2的一侧滑动设置有支撑块3，支撑块3的底部设置有滚动轮，固定块2与支撑块3之间共同设置有滑动组件4。
28.滑动组件4包括滑动块41，支撑块3的一侧开设有第一滑槽42，第一滑槽 42的内部设置有第一导杆43，滑动块41的一侧与支撑块3的一侧相固定，第一导杆43的一端穿过滑动块41，滑动块41与第一滑槽42滑动连接；
29.支撑块3与固定块2之间设置有固定组件5，固定组件5将支撑块3与固定块2相固定。
30.固定组件5包括螺块51，支撑块3的一侧开设有螺纹盲孔52，螺纹盲孔52 内壁底部开设有第一通孔53，螺块51设置在螺纹盲孔52内部，第一通孔53处设置有滑动杆54；
31.螺块51的一侧开设有第二放置槽511，滑动杆54的一端延伸至第二放置槽 511内部，第二放置槽511内壁一侧设置有第二导杆512，第二导杆512的一端延伸至滑动杆54内部，第二导杆512与滑动杆54滑动连接。
32.螺块51的顶部固定有旋钮55。
33.滑动杆54的底边固定有橡胶块，橡胶块处于自然状态时，橡胶块的一侧与第一滑槽42内壁一侧相接触。
34.具体工作原理：
35.操作人员在调节收集块1的高度时，操作人员首先转动旋钮55，旋钮55带动螺块51运动，螺块51在螺纹盲孔52内部运动，使第二放置槽511内壁底部与滑动杆54顶部脱离接触，此时橡胶块不受外力作用，橡胶块与第一滑槽42 内壁底部摩擦力较小。
36.此时操作人员调节支撑块3与固定块2的相对位置。
37.当支撑块3与固定块2位置定好之后，操作人员转动旋钮55，旋钮55带动螺块51在螺纹盲孔52内部运动。螺块51在运动的同时，螺块51碰触到滑动杆54之后，并带动滑动杆54运动，滑动杆54带动橡胶块处于压缩状态。此时橡胶块与第一滑槽42内壁底部之间摩擦力增大。
38.在卷制设备上磁芯下方安装收集块1，收集块1一端在磁芯下方略低于磁芯，另一端水平位置低于前一端高度并延伸止存放磁性的位置。
39.磁芯在内焊针向下勾料作用力作用下落入收集块1内部，磁芯在收集块1 内滑入磁芯放置位置。达到保护磁芯及防止磁芯蹦落的效果。
40.以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.纳米晶磁芯内焊防蹦落装置,其特征在于，包括收集块(1)，收集块(1)的顶部开设有第一放置槽(11)，所述第一放置槽(11)的一端延伸至所述收集块(1)的一端外部；所述第一放置槽(11)的内壁底部固定有橡胶保护层(12)，所述第一放置槽(11)的内壁上半部设置有遮挡板(13)，所述遮挡板(13)的顶部与所述收集块(1)的顶部相平齐；所述收集块(1)远离其开口的一端固定与固定块(2)。2.根据权利要求1所述的纳米晶磁芯内焊防蹦落装置，其特征在于，所述固定块(2)的一侧滑动设置有支撑块(3)，所述固定块(2)与所述支撑块(3)之间共同设置有滑动组件(4)。3.根据权利要求2所述的纳米晶磁芯内焊防蹦落装置，其特征在于，所述滑动组件(4)包括滑动块(41)，所述支撑块(3)的一侧开设有第一滑槽(42)，所述第一滑槽(42)的内部设置有第一导杆(43)，所述滑动块(41)的一侧与所述支撑块(3)的一侧相固定，所述第一导杆(43)的一端穿过所述滑动块(41)，所述滑动块(41)与所述第一滑槽(42)滑动连接；所述支撑块(3)与所述固定块(2)之间设置有固定组件(5)，所述固定组件(5)将所述支撑块(3)与所述固定块(2)相固定。4.根据权利要求3所述的纳米晶磁芯内焊防蹦落装置，其特征在于，所述固定组件(5)包括螺块(51)，所述支撑块(3)的一侧开设有螺纹盲孔(52)，所述螺纹盲孔(52)内壁底部开设有第一通孔(53)，所述螺块(51)设置在所述螺纹盲孔(52)内部，所述第一通孔(53)处设置有滑动杆(54)；所述螺块(51)的一侧开设有第二放置槽(511)，所述滑动杆(54)的一端延伸至所述第二放置槽(511)内部，所述第二放置槽(511)内壁一侧设置有第二导杆(512)，所述第二导杆(512)的一端延伸至所述滑动杆(54)内部，所述第二导杆(512)与所述滑动杆(54)滑动连接。5.根据权利要求4所述的纳米晶磁芯内焊防蹦落装置，其特征在于，所述螺块(51)的顶部固定有旋钮(55)。6.根据权利要求4所述的纳米晶磁芯内焊防蹦落装置，其特征在于，所述滑动杆(54)的底边固定有橡胶块(56)，所述橡胶块(56)处于自然状态时，所述橡胶块(56)的一侧与所述第一滑槽(42)内壁一侧相接触。

技术总结
本实用新型涉及纳米晶磁芯内焊防蹦落的技术领域，尤其涉及纳米晶磁芯内焊防蹦落装置，解决现有技术中存在的缺点，包括收集块，收集块的顶部开设有第一放置槽，所述第一放置槽的一端延伸至所述收集块的一端外部；所述第一放置槽的内壁底部固定有橡胶保护层，所述第一放置槽的内壁上半部设置有遮挡板，所述遮挡板的顶部与所述收集块的顶部相平齐；所述收集块远离其开口的一端固定与固定块。本实用新型通过设置收集块，收集块的顶部开设有第一放置槽，收集块放置在磁芯的下方，磁芯在第一放置槽内部滑入磁芯放置位置，达到保护磁芯及防止磁芯蹦落的效果。磁芯蹦落的效果。磁芯蹦落的效果。


技术研发人员：吴志新 杨兆根
受保护的技术使用者：江苏特威希电气有限公司
技术研发日：2020.12.31
技术公布日：2021/12/3