半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序与流程

本公开文本涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序。

背景技术：

1、作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行下述成膜处理：在衬底上形成膜，使该膜氧化而形成氧化膜(例如参见专利文献1、2)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2014-154652号公报

5、专利文献2：wo2018/055674号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、本公开文本的目的在于提高抑制在基底上形成氧化膜时的基底氧化的效果。

3、用于解决课题的手段

4、根据本公开文本的一个方式，提供下述技术，所述技术具有：

5、(a)通过在不含氧的气氛下向处理室内的衬底供给含有第1元素的气体，从而在前述衬底上形成含有第1元素的膜的工序；和

6、(b)通过向前述衬底供给含氧气体，从而使前述含有第1元素的膜氧化而形成氧化膜的工序，

7、在(b)中，根据前述含有第1元素的膜的厚度来选择不同的前述衬底的温度。

8、发明的效果

9、根据本公开文本，能够提高抑制在基底上形成氧化膜时的基底氧化的效果。

技术特征：

1.半导体器件的制造方法，其具有：

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，选择所述含有第1元素的膜的遍及厚度方向的整体被氧化的温度。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，选择使所述含有第1元素的膜的遍及厚度方向的整体氧化、并且不使所述衬底与所述含有第1元素的膜的界面氧化的温度。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，选择在使所述含有第1元素的膜的遍及厚度方向的整体氧化的时间点氧化反应饱和的温度。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，直至所述含有第1元素的膜的整体的氧化反应饱和的时间点为止持续进行(b)。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，直至每单位时间的所述含有第1元素的膜的氧化膜厚的增加速度成为以下为止持续进行(b)。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，以在(b)中通过使所述含有第1元素的膜氧化而膨胀所形成的所述氧化膜成为所期望的膜厚的方式，确定(a)中的所述含有第1元素的膜的膜厚。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，所述含有第1元素的膜形成于未形成氧化膜的所述衬底的表面。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，作为所述含有第1元素的气体，使用第1元素为硅的气体。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，作为所述含有第1元素的膜，形成硅氮化膜。

11.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，作为所述含有第1元素的膜，形成硅膜。

12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，作为所述氧化膜，形成硅氧化膜。

13.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，作为所述氧化膜，形成硅氧氮化膜。

14.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，在(a)中，作为所述含有第1元素的膜，形成硅碳化膜或硅碳氮化膜。

15.如权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，作为所述氧化膜，形成硅氧碳化膜或硅碳氧氮化膜。

16.如权利要求1～15中任一项所述的半导体器件的制造方法，其中，在(b)中，向处于减压下的所述处理室内的所述衬底供给所述含氧气体和含氢气体。

17.衬底处理装置，其具有：

18.程序，其利用计算机使衬底处理装置执行下述步骤，所述步骤包括：

技术总结
本发明提供下述技术，其具有：(a)通过在不含氧的气氛下向处理室内的衬底供给含有第1元素的气体，从而在衬底上形成含有第1元素的膜的工序；和(b)通过向衬底供给含氧气体，从而使含有第1元素的膜氧化而形成氧化膜的工序，在(b)中，根据含有第1元素的膜的厚度来选择不同的衬底温度。

技术研发人员：西田圭吾
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12