一种igbt沟槽栅氧化膜成型工艺
技术领域
1.本发明涉及沟槽栅igbt技术领域，具体的是一种igbt沟槽栅氧化膜成型工艺。
背景技术：
2.随着沟槽技术在功率器件和igbt结构中的成熟应用，研发人员用沟槽栅结构取代平面栅结构,沟槽栅igbt通过刻蚀工艺形成沟槽栅，成功实现将电流沟道由表面横向转为体内纵向，有效消除平面栅体内的jfet效应，并极大提高元胞密度，从而大幅度提升芯片电流密度，在中低压应用领域逐渐取代了平面栅技术。
3.然而，相对于平面栅型器件，沟槽栅型的器件存在沟槽侧壁和沟槽底部等不同晶面。在进行栅氧工艺时，氧化速率强烈依赖于sic的晶面曲线，使得sic沟槽侧壁氧化层的生长速率为底部的2倍以上，在沟槽内会出现栅氧厚度生长不均现象，在沟槽底部和顶部拐角位置厚度差异尤为明显，体硅与栅氧顶角接触处不仅会出现明显的尖角，而且可能还存在表面毛刺，极大地增加了该位置被击穿的风险。同时，由于栅氧厚度均匀性差，会导致沟槽顶部收缩明显，成为多晶硅填充的不利因素。
技术实现要素：
4.为解决上述背景技术中提到的不足，本发明的目的在于提供一种igbt沟槽栅氧化膜成型工艺，本发明工艺通过在沟槽底部生长栅氧层后涂布sod，sod固化后高温密化形成sod，再于sod表面生长删氧层，从而在沟槽底部形成三层的栅氧化膜结构，可以有效避免电流较高时击穿栅氧层。
5.本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
6.一种igbt沟槽栅氧化膜成型工艺，其特征在于，所述栅氧化膜由两层栅氧及一层sod组成，其成型工艺包括以下步骤：
7.s1、通过热氧化在沟槽侧壁和底部生长第一层栅氧；
8.s2、在第一层栅氧表面涂布sod，然后经过烘烤、高温密化、蚀刻、清洗后形成sod层；
9.s3、再次通过热氧化在sod层表面生长的第二层栅氧，形成所述栅氧化膜。
10.进一步优选地，步骤s1中第一层栅氧厚度为
11.进一步优选地，步骤s2中烘烤温度为200
‑
300℃，高温密化温度为800
‑
1000℃。
12.进一步优选地，步骤s3中第二层栅氧厚度为
13.进一步优选地，sod为自旋电介质,sod是一种基于全氢聚硅氮烷(perhydropolysilazane，phps)的无机旋涂式电介质材料，用于先进器件制造中的前段(front
‑
end of line，feol)应用的间隙填充和平面化,可转换为纯粹致密的sio2薄膜，其性能媲美高性能cvd氧化物，又具有优异的间隙填充性能和较低的工艺成本。
14.够进行完美的sio2间隙填充而不存在空隙；能够延展到10nm甚至更先进的技术节点，因为在涂层阶段，其性状类似可流动的液体聚合物；在恰当的熔炉固化步骤之后，能够
转化成纯粹致密的sio2。
15.本发明的有益效果：
16.本发明工艺通过在沟槽底部生长栅氧层后涂布sod，sod固化后高温密化形成sod，再于sod表面生长删氧层，从而在沟槽底部形成三层的栅氧化膜结构，可以有效避免电流较高时击穿栅氧层。
附图说明
17.下面结合附图对本发明作进一步的说明。
18.图1是本发明工艺步骤s1的成型示意图；
19.图2是本发明工艺步骤s2的成型示意图；
20.图3是本发明工艺步骤s3的成型示意图。
具体实施方式
21.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
22.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“开孔”、“上”、“下”、“厚度”、“顶”、“中”、“长度”、“内”、“四周”等指示方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的组件或元件必须具有特定的方位，以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
23.实施例1
24.一种igbt沟槽栅氧化膜成型工艺，其特征在于，所述栅氧化膜由两层栅氧及一层sod组成，其成型工艺包括以下步骤：
25.s1、通过热氧化在沟槽侧壁和底部生长厚度为的第一层栅氧；
26.s2、在第一层栅氧表面涂布sod，然后经过300℃烘烤、1000℃高温密化、蚀刻、清洗后形成sod层；
27.s3、再次通过热氧化在sod层表面生长厚度为的第二层栅氧，形成所述栅氧化膜。
28.实施例2
29.一种igbt沟槽栅氧化膜成型工艺，其特征在于，所述栅氧化膜由两层栅氧及一层sod组成，其成型工艺包括以下步骤：
30.s1、通过热氧化在沟槽侧壁和底部生长厚度为的第一层栅氧；
31.s2、在第一层栅氧表面涂布sod，然后经过200℃烘烤、800℃高温密化、蚀刻、清洗后形成sod层；
32.s3、再次通过热氧化在sod层表面生长厚度为的第二层栅氧，形成所述栅氧化膜。
33.实施例3
34.一种igbt沟槽栅氧化膜成型工艺，其特征在于，所述栅氧化膜由两层栅氧及一层sod组成，其成型工艺包括以下步骤：
35.s1、通过热氧化在沟槽侧壁和底部生长厚度为的第一层栅氧；
36.s2、在第一层栅氧表面涂布sod，然后经过250℃烘烤、900℃高温密化、蚀刻、清洗后形成sod层；
37.s3、再次通过热氧化在sod层表面生长厚度为的第二层栅氧，形成所述栅氧化膜。
38.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
39.以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。
技术特征：
1.一种igbt沟槽栅氧化膜成型工艺，其特征在于，所述栅氧化膜由两层栅氧及一层sod组成，其成型工艺包括以下步骤：s1、通过热氧化在沟槽侧壁和底部生长第一层栅氧；s2、在第一层栅氧表面涂布sod，然后经过烘烤、高温密化、蚀刻、清洗后形成sod层；s3、再次通过热氧化在sod层表面生长的第二层栅氧，形成所述栅氧化膜。2.根据权利要求1所述的igbt沟槽栅氧化膜成型工艺，其特征在于，所述步骤s1中第一层栅氧厚度为3.根据权利要求1所述的igbt沟槽栅氧化膜成型工艺，其特征在于，所述步骤s2中烘烤温度为200
‑
300℃，高温密化温度为800
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1000℃。4.根据权利要求1所述的igbt沟槽栅氧化膜成型工艺，其特征在于，所述步骤s3中第二层栅氧厚度为5.根据权利要求1所述的igbt沟槽栅氧化膜成型工艺，其特征在于，所述sod为自旋电介质。
技术总结
本发明公开一种IGBT沟槽栅氧化膜成型工艺，包括以下步骤：S1、通过热氧化在沟槽侧壁和底部生长第一层栅氧；S2、在第一层栅氧表面涂布SOD，然后经过烘烤、高温密化、蚀刻、清洗后形成SOD层；S3、再次通过热氧化在SOD层表面生长的第二层栅氧，形成栅氧化膜层。本发明工艺通过在沟槽底部生长栅氧层后涂布SOD，SOD固化后高温密化形成SOD，再于SOD表面生长删氧层，从而在沟槽底部形成三层的栅氧化膜结构，可以有效避免电流较高时击穿栅氧层。效避免电流较高时击穿栅氧层。效避免电流较高时击穿栅氧层。
技术研发人员：严立巍 符德荣 陈政勋 文锺
受保护的技术使用者：浙江同芯祺科技有限公司
技术研发日：2021.09.01
技术公布日：2021/11/28