一种叠层片式电感的制备方法与流程

本发明涉及电子元件制备，尤其涉及一种叠层片式电感的制备方法。

背景技术：

1、叠层片式电感是实现电感元器件小型化及smt化的关键技术。随着科技的发展，该技术日渐成熟，并成为目前产能最大的电感品种所采用的技术。

2、目前，已经大规模量产的叠层电感最小尺寸仅有0.4mm*0.2mm*0.2mm。然而，小型化意味着层间介质层厚度在也在不断下降，具体为从传统1608产品典型厚度20～30微米下降到0402产品5～10微米。而另一方面，市场需求是朝着大电流、高q值产品方向进行发展的，这就使得尺寸变小的产品电极线厚并未比大尺寸产品有显著下降。正是由于存在这两种变化趋势，使得目前小尺寸产品生产中面临着厚电极与薄介质膜厚匹配的问题，在叠层加压时较厚的电极容易局部压穿介质层，形成短路。因此短路不良是现有叠层技术存在的一种难以克服的技术工艺缺陷。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种叠层片式电感的制备方法，以解决现有的叠层片式电感制造过程中存在的短路问题。

2、为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

3、一种叠层片式电感的制备方法，在整体成型阶段依次包括：砂磨配料、流延、打孔、印刷电极、叠层压合步骤；其中，

4、在线圈的两次所述叠层压合过程中，增加叠层空压步骤，以使得叠层剥离后突出的连接点厚度不超过预设阈值。

5、进一步，作为优选地，在所述叠层空压步骤中，各项参数包括：空压压力为20～30t，空压温度为40～60℃，空压时间为10～30s。

6、进一步，作为优选地，所述预设阈值包括2um。

7、进一步，作为优选地，在所述叠层压合步骤中，采用的介质膜片成分及其重量百分比为：ltcc介质粉70～75％，粘合剂16～24％，分散剂0.5～1％，增塑剂3～8％。

8、进一步，作为优选地，所述介质膜片的硬度不低于60d，耐受力不低于30t。

9、进一步，作为优选地，所述ltcc介质粉为烧结温度低于900℃的电子陶瓷材料。

10、进一步，作为优选地，所述粘合剂的tg不低于80℃。

11、进一步，作为优选地，所述增塑剂为邻苯类或己二酸酯类增塑剂。

12、进一步，作为优选地，所述增塑剂与所述粘合剂搭配增塑后形成的有机项整体的tg不低于60℃。

13、进一步，作为优选地，所述有机项整体中的ltcc粉的体积分数高于临界颜料的体积分数。

14、相对于现有技术，本发明的有益效果在于：

15、1)通过在两次线圈叠压之间增加一次叠层空压，利用额外增加的一次叠层施压将叠层剥离后突出的连接点压平，以此达到降低连接点处厚度，从而能够有效预防连接点过厚因穿上一层介质层形成短路的现象。

16、2)通过介质层膜片配方调整增加膜片硬度，使得膜片硬度大于介质层膜片硬度，使其在叠压时不易被银电极压穿，因此能起有效解决产品电极间的短路问题。

技术特征：

1.一种叠层片式电感的制备方法，在整体成型阶段依次包括：砂磨配料、流延、打孔、印刷电极、叠层压合步骤，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的叠层片式电感的制备方法，其特征在于，在所述叠层空压步骤中，各项参数包括：空压压力为20～30t，空压温度为40～60℃，空压时间为10～30s。

3.根据权利要求1所述的叠层片式电感的制备方法，其特征在于，所述预设阈值包括2um。

4.根据权利要求1所述的叠层片式电感的制备方法，其特征在于，在所述叠层压合步骤中，采用的介质膜片成分及其重量百分比为：ltcc介质粉70～75％，粘合剂16～24％，分散剂0.5～1％，增塑剂3～8％。

5.根据权利要求4所述的叠层片式电感的制备方法，其特征在于，所述介质膜片的硬度不低于60d，耐受力不低于30t。

6.根据权利要求4所述的叠层片式电感的制备方法，其特征在于，所述ltcc介质粉为烧结温度低于900℃的电子陶瓷材料。

7.根据权利要求4所述的叠层片式电感的制备方法，其特征在于，所述粘合剂的tg不低于80℃。

8.根据权利要求4所述的叠层片式电感的制备方法，其特征在于，所述增塑剂为邻苯类或己二酸酯类增塑剂。

9.根据权利要求4所述的叠层片式电感的制备方法，其特征在于，所述增塑剂与所述粘合剂搭配增塑后形成的有机项整体的tg不低于60℃。

10.根据权利要求9所述的叠层片式电感的制备方法，其特征在于，所述有机项整体中的ltcc粉的体积分数高于临界颜料的体积分数。

技术总结
本发明公开了一种叠层片式电感的制备方法，在整体成型阶段依次包括：砂磨配料、流延、打孔、印刷电极、叠层压合步骤；其中，在线圈的两次所述叠层压合过程中，增加叠层空压步骤，以使得叠层剥离后突出的连接点厚度不超过预设阈值。本发明提供的叠层片式电感的制备方法，针对叠层片式电感短路问题，通过在两次线圈叠压之间增加叠层空压步骤以及通过介质层膜片配方调整增加膜片硬度的方式，大大降低了叠层片式电感的短路率，进而提高了元件的使用寿命。

技术研发人员：余谋发,李强,何佳明,林依珣,宋毅华,向湘红
受保护的技术使用者：广东风华高新科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11