1.本发明涉及光刻胶技术领域，具体涉及一种高结合力的多层光刻胶的制备方法。
背景技术：
2.现有技术中，对于比较厚的光刻胶一般是通过多次涂布的工序实现，多层光刻胶涂布之间不需要其他工艺步骤，但是对于有3d结构等特殊需求的光刻胶，需要在多层涂胶中间进行研磨、金属磁控溅射或刻蚀的表面处理工序，在表面处理工序结束继续涂布光刻胶后，很容易发生分层peeling的现象，影响光刻胶的质量稳定性。
技术实现要素：
3.本发明的目的在于提供一种高结合力的多层光刻胶的制备方法，用以解决现有技术中的进行表面处理工序后的多层光刻胶之间容易发生分层peeling的问题。
4.本发明提供了一种高结合力的多层光刻胶的制备方法，包括如下步骤：
5.(1)涂胶：将光刻胶滴落在wafer中心，通过旋涂工艺使光刻胶均匀的涂布在wafer表面；
6.(2)曝光：曝光出所需图形，其中，曝光时间16.5s，间距0μm，能量300mj；
7.(3)显影：显影液温度为22-25℃，时间为300s，循环量为18l/min,显影后清洗300s，随后在60℃的温度下烘干30min；
8.(4)wafer表面处理；
9.(6)wafer表面进行rie干法刻蚀；
10.(7)重复步骤(1)-(6)制备多层光刻胶。
11.进一步的，步骤(1)中所述光刻胶的粘度为500cp，光刻胶的质量为5g，所述旋涂工艺中的旋转速度为2000
±
200rpm/s，温度为23
±
2℃。
12.进一步的，步骤(4)所述wafer表面处理具体为研磨、抛光、sputter或刻蚀。
13.进一步的，步骤(6)所述rie干法刻蚀的参数为ar 50-150sccm，rf power2500-5000w，腔体压力50-500mt，时间30-120s。
14.采用上述本发明技术方案的有益效果是：
15.本发明在两次光刻胶涂布工序之间添加研磨、抛光、sputter或刻蚀的表面处理工序，满足多层或者3d结构的光刻胶图形需求，在表面处理工序之后进行rie干法刻蚀工序，轻微刻蚀光刻胶表面，去除表面残留的杂质，改善光刻胶表面状况，提高多层光刻胶之间的结合力，避免多层光刻胶出现分层问题，提高光刻胶的质量稳定性。
具体实施方式
16.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
17.本实施例一种高结合力的多层光刻胶的制备方法，包括如下步骤：
18.(1)涂胶：将光刻胶滴落在wafer中心，通过旋涂工艺使光刻胶均匀的涂布在wafer表面，其中，光刻胶的粘度为500cp，光刻胶的质量为5g，所述旋涂工艺中的旋转速度为2000rpm/s，温度为23℃,单层光刻胶的厚度为9μm左右；
19.(2)曝光：曝光出所需图形，其中，曝光时间16.5s，间距0μm，能量300mj；
20.(3)显影：显影液温度为22-25℃，时间为300s，循环量为18l/min,显影后清洗300s，随后在60℃的温度下烘干30min；
21.(4)wafer表面处理，根据实际需求进行研磨、抛光、sputter或刻蚀工序，实现光刻胶的3d立体效果等需求；
22.(6)wafer表面进行rie干法刻蚀，轻微刻蚀光刻胶表面，去除表面残留的杂质，改善光刻胶表面状况。其中，rie干法刻蚀的参数为ar 50-150sccm，rf power 2500-5000w，腔体压力50-500mt，时间30-120s；
23.(7)重复步骤(1)-(6)，根据光刻胶后的需求，选择重复次数，制备高结合力的多层光刻胶。
24.在wafer表面进行研磨、抛光、sputter或刻蚀工序后，光刻胶表面会附着polymer、酸碱残留物等，这些杂质就会影响下一层光刻胶涂布时的结合力，该实施例中，在wafer表面处理后进行rie干法刻蚀工序，去除光刻胶的表面杂质，改善光刻胶的表面状况，提高多层光刻胶之间的结合力。
25.综上，本发明在两次光刻胶涂布工序之间添加研磨、抛光、sputter或刻蚀的表面处理工序，满足多层或者3d结构的光刻胶图形需求，在表面处理工序之后进行rie干法刻蚀工序，轻微刻蚀光刻胶表面，去除表面残留的杂质，改善光刻胶表面状况，提高多层光刻胶之间的结合力，避免多层光刻胶出现分层问题，提高光刻胶的质量稳定性。
26.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
技术特征：
1.一种高结合力的多层光刻胶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)涂胶：将光刻胶滴落在wafer中心，通过旋涂工艺使光刻胶均匀的涂布在wafer表面；(2)曝光：曝光出所需图形，其中，曝光时间16.5s，间距0μm，能量300mj；(3)显影：显影液温度为22-25℃，时间为300s，循环量为18l/min,显影后清洗300s，随后在60℃的温度下烘干30min；(4)wafer表面处理；(6)wafer表面进行rie干法刻蚀；(7)重复步骤(1)-(6)制备多层光刻胶。2.根据权利要求1所述的高结合力的多层光刻胶的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述光刻胶的粘度为500cp，光刻胶的质量为5g，所述旋涂工艺中的旋转速度为2000
±
200rpm/s，温度为23
±
2℃。3.根据权利要求1所述的高结合力的多层光刻胶的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述wafer表面处理具体为研磨、抛光、sputter或刻蚀。4.根据权利要求1所述的高结合力的多层光刻胶的制备方法，其特征在于，步骤(6)所述rie干法刻蚀的参数为ar 50-150sccm，rf power 2500-5000w，腔体压力50-500mt，时间30-120s。
技术总结
本发明涉及一种高结合力的多层光刻胶的制备方法，包括如下步骤：(1)涂胶：将光刻胶滴落在wafer中心，通过旋涂工艺使光刻胶均匀的涂布在wafer表面；(2)曝光；(3)显影；(4)wafer表面处理；(6)wafer表面进行RIE干法刻蚀；(7)重复步骤(1)-(6)制备多层光刻胶。本发明在两次光刻胶涂布工序之间添加研磨、抛光、sputter或刻蚀的表面处理工序，满足多层或者3D结构的光刻胶图形需求，在表面处理工序之后进行RIE干法刻蚀工序，轻微刻蚀光刻胶表面，去除表面残留的杂质，改善光刻胶表面状况，提高多层光刻胶之间的结合力，避免多层光刻胶出现分层问题，提高光刻胶的质量稳定性。提高光刻胶的质量稳定性。
技术研发人员：殷岚勇 施元军 石磊 张宜山
受保护的技术使用者：苏州晶晟微纳半导体科技有限公司
技术研发日：2021.10.25
技术公布日：2022/3/4