半导体封装结构及其软性电路板的制作方法

本发明是关于一种半导体封装结构，特别是关于一种具有软性电路板的半导体封装结构及其软性电路板。

背景技术：

1、覆晶制程是在晶片的主动面上形成凸块，再将晶片倒置使凸块与软性基板上的线路连接，使得晶片可经由凸块及线路进行信号的传输，由于覆晶制程形成的半导体封装结构具有体积小及可弯曲的功效，目前被大量使用于可携式个人行动装置中。也因为被使用于可携式个人行动装置中，覆晶制程的半导体封装结构仍朝向缩小体积的趋势发展，不论是设置于晶片上的凸块或是设置于软性基板的线路宽度皆越来越细小，但又必须维持高电流的承载能力，导致电迁移效应所导致的线路故障更趋严重，因此，如何在缩小体积的同时避免电迁移效应的影响已经成为覆晶制程的半导体封装结构必须重视的问题。

技术实现思路

1、本发明的主要目的在于借由内引线的第一连接面的宽度大于内引线的第二连接面的宽度，可有效地提高内引线的电迁移寿命，并降低覆晶制程中内引脚接合时所需的压合力，以减少因压合力过大所导致的接合滑移(bond shift)的风险。

2、本发明的一种半导体封装结构包含软性电路板及覆晶单元，该软性电路板具有软性基板及多个内引线，该软性基板具有上表面，所述内引线设置于该上表面，各该内引线具有第一连接面及第二连接面，所述第一连接面连接该上表面，其中该第一连接面的宽度大于该第二连接面的宽度，且各该第二连接面的该宽度大于等于各该第一连接面的该宽度的0.7倍，该覆晶单元具有晶片及多个凸块，各该凸块具有第一接合面及第二接合面，所述第一接合面连接该晶片，各该第二接合面连接各该内引线的该第二连接面。

3、较佳地，各该第二连接面的该宽度小于各该第一连接面的该宽度的0.75倍。

4、较佳地，各该内引线的该第二连接面的该宽度小于各该凸块的该第二接合面的宽度。

5、较佳地，各该第二连接面的该宽度介于该第二接合面的该宽度的0.4倍及该第二接合面的该宽度的0.8倍之间。

6、较佳地，各该凸块的横截面为矩形。

7、本发明的一种半导体封装结构的软性电路板包含软性基板及多个内引线，该软性基板具有上表面，所述内引线设置于该上表面，各该内引线具有第一连接面及第二连接面，所述第一连接面连接该上表面，该第一连接面的宽度大于该第二连接面的宽度，且各该第二连接面的该宽度大于等于各该第一连接面的该宽度的0.7倍。

8、较佳地，各该第二连接面的该宽度小于各该第一连接面的该宽度的0.75倍。

9、较佳地，各该内引线的该第二连接面用以与凸块的接合面连接。

10、较佳地，各该内引线的该第二连接面的该宽度小于该凸块的该接合面的宽度。

11、较佳地，各该第二连接面的该宽度介于该接合面的该宽度的0.4倍及该接合面的该宽度的0.8倍之间。

12、本发明借由各该内引线的该第二连接面的该宽度小于该第一连接面的该宽度以提高所述内引线的电迁移寿命，而可增加该半导体封装结构的可靠度，此外，该第二连接面的该宽度小于该第一连接面的该宽度还可降低所述内引线于覆晶制程中所需的压合力，减少接合滑移的风险，而改善该半导体封装结构的制程良率。

技术特征：

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包含：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，各该第二连接面的该宽度小于各该第一连接面的该宽度的0.75倍。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，各该内引线的该第二连接面的该宽度小于各该凸块的该第二接合面的宽度。

4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，各该第二连接面的该宽度介于该第二接合面的该宽度的0.4倍及该第二接合面的该宽度的0.8倍之间。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，各该凸块的横截面为矩形。

6.一种半导体封装结构的软性电路板，其特征在于，包含：

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构的软性电路板，其特征在于，各该第二连接面的该宽度小于各该第一连接面的该宽度的0.75倍。

8.根据权利要求6所述的半导体封装结构的软性电路板，其特征在于，各该内引线的该第二连接面用以与凸块的接合面连接。

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构的软性电路板，其特征在于，各该内引线的该第二连接面的该宽度小于该凸块的该接合面的宽度。

10.根据权利要求9所述的半导体封装结构的软性电路板，其特征在于，各该第二连接面的该宽度介于该接合面的该宽度的0.4倍及该接合面的该宽度的0.8倍之间。

技术总结
本发明是一种半导体封装结构及其软性电路板。所述半导体封装结构包含软性电路板及覆晶单元，该软性电路板具有软性基板及多个内引线，该软性基板具有上表面，所述内引线设置于该上表面，各该内引线具有第一连接面及第二连接面，所述第一连接面连接该上表面，其中该第一连接面的宽度大于该第二连接面的宽度，该覆晶单元具有晶片及多个凸块，各该凸块具有第一接合面及第二接合面，所述第一接合面连接该晶片，各该第二接合面连接各该内引线的该第二连接面。

技术研发人员：谢依凌,郭庭宜,李东昇,李佩萤
受保护的技术使用者：颀邦科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13