一种晶圆加工的载物台的制作方法

本实用新型属于半导体材料生产技术领域，更具体地说，是涉及一种晶圆加工的载物台。

背景技术：

近些年，集成电路产业迅速发展，各种材料的晶圆产量日益剧增。对晶圆质量和性能的测试是集成电路产业链中必不可少的环节。随着工艺水平的提升，器件性能不断提升，对器件指标的要求也越来越高。相应地，对测试设备的要求也越来越高，而测试设备的载物台对于测试的准确性有很大影响。

技术实现要素：

本实用新型的目的就是要解决上述背景技术的不足，提供一种晶圆加工的载物台，以达到提高测试的准确性的目的。

按照本实用新型提供的技术方案：一种晶圆加工的载物台，包括台体，所述台体中心螺纹连接中心调整螺栓，所述中心调整螺栓外周设有若干周部调整螺栓，所述周部调整螺栓布置第一真空槽和第二真空槽，所述第一真空槽与所述第二真空槽之间设有镊子取物口。

作为本实用新型的进一步改进，所述台体为圆形。

作为本实用新型的进一步改进，所述中心调整螺栓顶部均为抛光圆弧面。

作为本实用新型的进一步改进，所述周部调整螺栓顶部均为抛光圆弧面。

作为本实用新型的进一步改进，所述台体上同轴心圆环均布若干所述周部调整螺栓。

作为本实用新型的进一步改进，所述台体上同轴心圆弧布置第一真空槽和第二真空槽。

作为本实用新型的进一步改进，所述第一真空槽和所述第二真空槽中均竖直开有吸孔，并连接抽真空设备。

作为本实用新型的进一步改进，所述镊子取物口低于所述第一真空槽和所述第二真空槽。

本实用新型与现有技术相比，具有如下优点：

本实用新型结构简单，易于实现，成本较低；只有在晶圆的边缘和中心部位有支撑和接触；中间的支撑柱高度可以调整；除了中间和边缘区域以外为镂空区域，不和晶圆接触。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为图1的侧视剖视图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步的说明。

图1-2中，包括台体1、中心调整螺栓2、周部调整螺栓3等。

如图1-2所示，本实用新型是一种晶圆加工的载物台，包括台体1，台体1中心螺纹连接中心调整螺栓2，中心调整螺栓2外周设有若干周部调整螺栓3，周部调整螺栓3布置第一真空槽4和第二真空槽5，第一真空槽4与第二真空槽5之间设有镊子取物口6。

台体1为圆形，可以节约材料，同时避免锐角发生磕碰。

中心调整螺栓2的高度可调，用于支撑晶圆的中心部位。

周部调整螺栓3的高度可调，用于水平方向支撑和固定晶圆。

中心调整螺栓2、周部调整螺栓3顶部均为抛光圆弧面，避免划伤晶圆，

台体1上同轴心圆环均布若干周部调整螺栓3。这样可以保证晶圆在调整过程中，不发生扭转变形。

第一真空槽4和第二真空槽5，用于放置晶圆后对晶圆进行吸附固定。台体1上同轴心圆弧布置第一真空槽4和第二真空槽5，可使晶圆吸附均匀。

第一真空槽4和第二真空槽5中均竖直开有吸孔，并连接抽真空设备。

镊子取物口6方便使用镊子取晶圆。

镊子取物口6低于第一真空槽4和第二真空槽5。

本实用新型的安装工作过程如下：

首先调整中心调整螺栓2、周部调整螺栓3的高度，使晶圆尽量保持水平，放置晶圆后启动抽真空设备，使晶圆紧贴第一真空槽4和第二真空槽5。

当测试结束后，将镊子探入镊子取物口6中，将晶圆移出。

技术特征：

1.一种晶圆加工的载物台，其特征在于：所述载物台包括台体（1），所述台体（1）中心螺纹连接中心调整螺栓（2），所述中心调整螺栓（2）外周设有若干周部调整螺栓（3），所述周部调整螺栓（3）布置第一真空槽（4）和第二真空槽（5），所述第一真空槽（4）与所述第二真空槽（5）之间设有镊子取物口（6）。

2.如权利要求1所述的晶圆加工的载物台，其特征在于：所述台体（1）为圆形。

3.如权利要求1所述的晶圆加工的载物台，其特征在于：所述中心调整螺栓（2）顶部均为抛光圆弧面。

4.如权利要求1所述的晶圆加工的载物台，其特征在于：所述周部调整螺栓（3）顶部均为抛光圆弧面。

5.如权利要求4所述的晶圆加工的载物台，其特征在于：所述台体（1）上同轴心圆环均布若干所述周部调整螺栓（3）。

6.如权利要求1所述的晶圆加工的载物台，其特征在于：所述台体（1）上同轴心圆弧布置第一真空槽（4）和第二真空槽（5）。

7.如权利要求1所述的晶圆加工的载物台，其特征在于：所述第一真空槽（4）和所述第二真空槽（5）中均竖直开有吸孔，并连接抽真空设备。

8.如权利要求1所述的晶圆加工的载物台，其特征在于：所述镊子取物口（6）低于所述第一真空槽（4）和所述第二真空槽（5）。

技术总结
本实用新型公开了一种晶圆加工的载物台，包括台体，台体中心螺纹连接中心调整螺栓，中心调整螺栓外周设有若干周部调整螺栓，周部调整螺栓布置第一真空槽和第二真空槽，第一真空槽与第二真空槽之间设有镊子取物口，台体为圆形。本实用新型结构简单，易于实现，成本较低；只有在晶圆的边缘和中心部位有支撑和接触；中间的支撑柱高度可以调整；除了中间和边缘区域以外为镂空区域，不和晶圆接触。

技术研发人员：夏华忠;黄传伟;李健;诸建周;吕文生;谈益民
受保护的技术使用者：江苏东海半导体科技有限公司
技术研发日：2021.01.08
技术公布日：2021.08.24