一种高抗光损伤阈值RTP开关的制作方法

一种高抗光损伤阈值rtp开关
技术领域
1.本实用新型涉及一种rtp开关，具体为一种高抗光损伤阈值rtp开关。


背景技术：

2.电光开关是激光系统的重要单元 ,利用它可以从锁模序列中选出单脉冲 ,可以对调 q脉冲进行削波 ,它也是电光隔离器中不可缺少的元件。 电光开关性能的不断改进 ,对一个激光系统提高输出的成功率、稳定性起着十分关键的作用 ,合理地选择电光材料是提高开关性能的有效途径之一。 kdp和 linbo3 是目前广泛应用于普克尔盒的电光材料 ,但它们都有缺点。linbo3晶体普克尔盒有低的半波电压 ,也不潮解 ,但由于它的光学破坏阈值低 ,限制了它在高峰值功率激光系统中的应用 ,压电效应引起的声光作用使 linbo3晶体在高重复率激光系统中的运用变得复杂。kdp晶体普克尔盒虽然也有较高的光学破坏阈值 ,但半波电压相对较高 ,还潮解 ,使用时需要密封在一个盒子内 ,在端面镀增透膜和加折射率匹配材料 ,进一步增加了器件的插入损耗。
3.rtp（磷酸钛氧铷）晶体属ktp族晶体，因其良好的电学与光学性能，包括较高的电阻率，但是由于消光比降低，严重影响了调q效率，且大量的入射光被rtp晶体吸收，致使其温度上升，大大增加了这种结构的rtp电光调q开关的不稳定性，并且目前的rtp开关没有体现出高抗光和损伤阈值等结合特性，所以急需一种高抗光损伤阈值rtp开关。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种高抗光损伤阈值rtp开关，以解决上述背景技术中提出的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种高抗光损伤阈值rtp开关，一种高抗光损伤阈值rtp开关，包括开关底座和晶体元件，所述开关底座一侧设置有固定轴，所述固定轴下方设置有接铸件，所述固定轴内侧固定有连接件，所述连接件一侧连接有高抗光元件，所述高抗光元件一侧设置有所述晶体元件，所述固定轴上方设置有电极接口a，所述电极接口a一侧设置有电极接口b，所述电极接口a和所述电极接口a外侧设置有相位补偿片，所述晶体元件前方设置有前通透晶体，所述晶体元件后方设置有后通透晶体，所述晶体元件上层设置有v+层，所述晶体元件下方设置有v
‑
层，所述电极接口a和所述电极接口a下方设置有金属套环。
6.优选的，所述接铸件设置在所述开关底座和所述固定轴外侧，保证了开关的稳定性。
7.优选的，所述高抗光元件固定在所述连接件和所述晶体元件之间，方便进行电性连接。
8.优选的，所述金属套环外层与所述相位补偿片连接，实现了相位补偿。
9.优选的，所述前通透晶体和所述后通透晶体为高抗光晶体，实现了高抗光的特性。
10.优选的，所述晶体元件的电阻率约10
11
‑
10
12
ωcm和抗光损伤阈值，实现了抗光损
伤阈值。
11.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型高重复频率电光应用的优良晶体，实现了较大的非线性光学和电光系数，无压电振荡效应，不潮解，高抗光损伤阈值，高消光比，综合了许多优点 ,如半波电压低、光学破坏阈值高、插入损耗小以及不明显的由压电效应引起的声光作用。
附图说明
12.图1为本实用新型整体结构图；
13.图2为本实用新型晶体元件结构图。
14.图中：1
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开关底座；2
‑
高抗光元件；3
‑
电极接口a；4
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电极接口b；5
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晶体元件；6
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接铸件；7
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固定轴；8
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前通透晶体；9
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后通透晶体；10
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v+层；11
‑
v
‑
层；12
‑
金属套环；13
‑
连接件；14
‑
相位补偿片。
具体实施方式
15.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
16.请参阅图1
‑
2，本实用新型提供一种技术方案：一种高抗光损伤阈值rtp开关，包括开关底座1和晶体元件5，所述开关底座1一侧设置有固定轴7，所述固定轴7下方设置有接铸件6，所述固定轴7内侧固定有连接件13，所述连接件13一侧连接有高抗光元件2，所述高抗光元件2一侧设置有所述晶体元件5，所述固定轴7上方设置有电极接口a3，所述电极接口a3一侧设置有电极接口b4，所述电极接口a3和所述电极接口a3外侧设置有相位补偿片14，所述晶体元件5前方设置有前通透晶体8，所述晶体元件5后方设置有后通透晶体9，所述晶体元件5上层设置有v+层10，所述晶体元件5下方设置有v
‑
层11，所述电极接口a3和所述电极接口a3下方设置有金属套环12。
17.所述接铸件6设置在所述开关底座1和所述固定轴7外侧，保证了开关的稳定性。所述高抗光元件2固定在所述连接件13和所述晶体元件5之间，方便进行电性连接。所述金属套环12外层与所述相位补偿片14连接，实现了相位补偿。所述前通透晶体8和所述后通透晶体9为高抗光晶体，实现了高抗光的特性。所述的电阻率约10
11
‑
10
12
ωcm和抗光损伤阈值，实现了抗光损伤阈值。
18.工作原理：本实用新型中心位置金属套环12外层与所述相位补偿片14连接，晶体元件5的沿通光方向延伸且互相平行的两个向面均镀有电极层，分别为v+层10和v
‑
层11，相位补偿片14在通光方向上的长度为用于对目标激光产生的相位延迟进行补偿的相位补偿波片的厚度的奇数倍，插入损耗低且操作简单，保证了rtp开关固有的消光比，rtp晶体属ktp族晶体，实现了良好的电学与光学性能，包括较高的电阻率和抗光损伤阈值，非常适合用做电光器件，如激光q开关、快门、相位和振幅调制器、脉冲选择器，腔倒空器和偏转。
19.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修
改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。


技术特征：
1.一种高抗光损伤阈值rtp开关，其特征在于：包括开关底座（1）和晶体元件（5），所述开关底座（1）一侧设置有固定轴（7），所述固定轴（7）下方设置有接铸件（6），所述固定轴（7）内侧固定有连接件（13），所述连接件（13）一侧连接有高抗光元件（2），所述高抗光元件（2）一侧设置有所述晶体元件（5），所述固定轴（7）上方设置有电极接口a（3），所述电极接口a（3）一侧设置有电极接口b（4），所述电极接口a（3）和所述电极接口a（3）外侧设置有相位补偿片（14），所述晶体元件（5）前方设置有前通透晶体（8），所述晶体元件（5）后方设置有后通透晶体（9），所述晶体元件（5）上层设置有v+层（10），所述晶体元件（5）下方设置有v
‑
层（11），所述电极接口a（3）和所述电极接口a（3）下方设置有金属套环（12）。2.根据权利要求1所述的一种高抗光损伤阈值rtp开关，其特征在于：所述接铸件（6）设置在所述开关底座（1）和所述固定轴（7）外侧。3.根据权利要求1所述的一种高抗光损伤阈值rtp开关，其特征在于：所述高抗光元件（2）固定在所述连接件（13）和所述晶体元件（5）之间。4.根据权利要求1所述的一种高抗光损伤阈值rtp开关，其特征在于：所述金属套环（12）外层与所述相位补偿片（14）连接。5.根据权利要求1所述的一种高抗光损伤阈值rtp开关，其特征在于：所述前通透晶体（8）和所述后通透晶体（9）为高抗光晶体。6.根据权利要求1所述的一种高抗光损伤阈值rtp开关，其特征在于：所述晶体元件（5）的电阻率约10
11
‑
10
12
ω
·
cm和抗光损伤阈值。

技术总结
本实用新型公开了一种高抗光损伤阈值RTP开关，一种高抗光损伤阈值RTP开关，包括开关底座和晶体元件，所述开关底座一侧设置有固定轴，所述固定轴下方设置有接铸件，所述固定轴内侧固定有连接件，所述连接件一侧连接有高抗光元件，所述高抗光元件一侧设置有所述晶体元件，所述固定轴上方设置有电极接口A，所述电极接口A一侧设置有电极接口B，所述电极接口A和所述电极接口A外侧设置有相位补偿片，所述晶体元件前方设置有前通透晶体，所述晶体元件后方设置有后通透晶体，所述晶体元件上层设置有V+层，所述晶体元件下方设置有V


技术研发人员：赵修强 冯骥 翟娜娜 周婧
受保护的技术使用者：山东辰晶光电科技有限公司
技术研发日：2021.03.16
技术公布日：2021/9/24