一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管的制作方法

1.本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管。


背景技术：

2.碳化硅肖特基二极管是通过金属与n型半导体之间形成的接触势垒具有整流特性而制成的一种金属-半导体器件。碳化硅肖特基二极管是一种高压电力电子器件，由于其反向恢复时间短，耐高压，广泛应用于充电桩、光伏电站、汽车电子等电路中。
3.sot-563型碳化硅肖特基二极管的电路原理如图5所示，在同一个碳化硅肖特基二极管内设置有三个碳化硅芯片，形成三个pn结。常规的sot-563型碳化硅肖特基二极管结构，通常是将三个碳化硅芯片并列设置，其占用体积较大，不利于当今电子设备的轻薄化发展趋势。


技术实现要素：

4.针对以上问题，本实用新型提供一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管，将三个碳化硅芯片设计成倒“品”字形结构摆放，减小了碳化硅肖特基二极管的体积，结构紧凑，有利于当今电子设备的轻薄化发展趋势。
5.为实现上述目的，本实用新型通过以下技术方案来解决：
6.一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管，包括塑封外壳，所述塑封外壳内设有第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片、第三碳化硅芯片，所述第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片、第三碳化硅芯片呈倒“品”字形结构设置，所述第一碳化硅芯片上下两端分别连接有第一阴极引脚、第一阳极引脚，所述第二碳化硅芯片上下两端分别连接有第二阴极引脚、第二阳极引脚，所述第三碳化硅芯片上下两端分别连接有第三阴极引脚、第三阳极引脚，所述第一阴极引脚一端具有第一焊接部，所述第二阴极引脚一端具有第二焊接部，所述第三阴极引脚一端具有第三焊接部，所述第一焊接部与所述第二焊接部之间设有第一间隙，所述第三焊接部位于所述塑封外壳与所述第一间隙之间，所述第一阳极引脚一端具有第四焊接部，所述第二阳极引脚一端具有第五焊接部，所述第三阳极引脚一端具有第六焊接部，所述第四焊接部与所述第五焊接部之间设有第二间隙，所述第六焊接部位于所述塑封外壳与所述第二间隙之间。
7.具体的，所述塑封外壳上设有第一散热垫块、第二散热垫块，所述第一散热垫块、第二散热垫块分别位于所述第三碳化硅芯片两侧。
8.具体的，所述塑封外壳上端设有正极标识槽、负极标识槽，所述正极标识槽靠向所述第一阳极引脚一侧设置，所述负极标识槽靠向所述第一阴极引脚一侧设置。
9.具体的，所述塑封外壳外侧还涂覆有一层防火涂层。
10.具体的，所述防火涂层的厚度为10～20nm。
11.本实用新型的有益效果是：
12.1.本实用新型的碳化硅肖特基二极管，将第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片、第三碳化硅芯片设计成倒“品”字形结构摆放，减小了碳化硅肖特基二极管的体积，结构紧凑，有利于当今电子设备的轻薄化发展趋势；
13.2.在第三碳化硅芯片两侧增加了第一散热垫块、第二散热垫块，通过第一散热垫块、第二散热垫块的导热作用，提升了碳化硅肖特基二极管的散热性能；
14.3.在塑封外壳外侧还涂覆有一层防火涂层，提升了碳化硅肖特基二极管的防火能力。
附图说明
15.图1为本实用新型的一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管的立体结构图一。
16.图2为本实用新型的一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管的立体结构图二。
17.图3为本实用新型的一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管的俯视图。
18.图4为图3中a-a面的剖面图。
19.图5为sot-563型碳化硅肖特基二极管的电路示意图。
20.附图标记为：塑封外壳1、第一碳化硅芯片2、第二碳化硅芯片3、第三碳化硅芯片40、第一焊接部41、第一阴极引脚4、第一阳极引脚5、第四焊接部51、第二阴极引脚6、第二焊接部61、第二阳极引脚7、第五焊接部71、第三阴极引脚8、第三焊接部81、第三阳极引脚 9、第一间隙10、第六焊接部91、第二间隙11、第一散热垫块12、第二散热垫块13、正极标识槽14、负极标识槽15、防火涂层16。
具体实施方式
21.下面结合实施例和附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。
22.如图1-4所示：
23.一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管，包括塑封外壳1，塑封外壳1内设有第一碳化硅芯片2、第二碳化硅芯片3、第三碳化硅芯片40，第一碳化硅芯片2、第二碳化硅芯片3、第三碳化硅芯片40呈倒“品”字形结构设置，塑封外壳1成型后，体积小，适用于布线复杂的电路板中或者轻薄的电子设备中，第一碳化硅芯片2上下两端分别连接有第一阴极引脚4、第一阳极引脚5，第二碳化硅芯片3上下两端分别连接有第二阴极引脚6、第二阳极引脚7，第三碳化硅芯片40上下两端分别连接有第三阴极引脚8、第三阳极引脚9，第一阴极引脚4一端具有第一焊接部41，第二阴极引脚6一端具有第二焊接部61，第三阴极引脚8一端具有第三焊接部81，第一焊接部41与第二焊接部61之间设有第一间隙10，第三焊接部81位于塑封外壳1与第一间隙10之间，第一阳极引脚5一端具有第四焊接部51，第二阳极引脚7一端具有第五焊接部71，第三阳极引脚9一端具有第六焊接部91，第四焊接部51与第五焊接部71 之间设有第二间隙11，第六焊接部91位于塑封外壳1与第二间隙11之间。
24.优选的，塑封外壳1上设有第一散热垫块12、第二散热垫块13，第一散热垫块12、第二散热垫块13分别位于第三碳化硅芯片40两侧，第一碳化硅芯片2、第二碳化硅芯片3、第三碳化硅芯片40工作时产生的热量能够通过第一散热垫块12、第二散热垫块13迅速传导至外界，从而提升了碳化硅肖特基二极管的散热性能。
25.优选的，塑封外壳1上端设有正极标识槽14、负极标识槽15，正极标识槽14靠向第一阳极引脚5一侧设置，负极标识槽15靠向第一阴极引脚4一侧设置。
26.优选的，为了提升塑封外壳1的防火性能，塑封外壳1外侧还涂覆有一层防火涂层16。
27.优选的，防火涂层16的厚度为10～20nm。
28.以上实施例仅表达了本实用新型的1种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。


技术特征：
1.一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，包括塑封外壳(1)，所述塑封外壳(1)内设有第一碳化硅芯片(2)、第二碳化硅芯片(3)、第三碳化硅芯片(40)，所述第一碳化硅芯片(2)、第二碳化硅芯片(3)、第三碳化硅芯片(40)呈倒“品”字形结构设置，所述第一碳化硅芯片(2)上下两端分别连接有第一阴极引脚(4)、第一阳极引脚(5)，所述第二碳化硅芯片(3)上下两端分别连接有第二阴极引脚(6)、第二阳极引脚(7)，所述第三碳化硅芯片(40)上下两端分别连接有第三阴极引脚(8)、第三阳极引脚(9)，所述第一阴极引脚(4)一端具有第一焊接部(41)，所述第二阴极引脚(6)一端具有第二焊接部(61)，所述第三阴极引脚(8)一端具有第三焊接部(81)，所述第一焊接部(41)与所述第二焊接部(61)之间设有第一间隙(10)，所述第三焊接部(81)位于所述塑封外壳(1)与所述第一间隙(10)之间，所述第一阳极引脚(5)一端具有第四焊接部(51)，所述第二阳极引脚(7)一端具有第五焊接部(71)，所述第三阳极引脚(9)一端具有第六焊接部(91)，所述第四焊接部(51)与所述第五焊接部(71)之间设有第二间隙(11)，所述第六焊接部(91)位于所述塑封外壳(1)与所述第二间隙(11)之间。2.根据权利要求1所述的一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述塑封外壳(1)上设有第一散热垫块(12)、第二散热垫块(13)，所述第一散热垫块(12)、第二散热垫块(13)分别位于所述第三碳化硅芯片(40)两侧。3.根据权利要求1所述的一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述塑封外壳(1)上端设有正极标识槽(14)、负极标识槽(15)，所述正极标识槽(14)靠向所述第一阳极引脚(5)一侧设置，所述负极标识槽(15)靠向所述第一阴极引脚(4)一侧设置。4.根据权利要求1所述的一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述塑封外壳(1)外侧还涂覆有一层防火涂层(16)。5.根据权利要求4所述的一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，所述防火涂层(16)的厚度为10～20nm。

技术总结
本实用新型提供了一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管，包括塑封外壳，所述塑封外壳内设有第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片、第三碳化硅芯片，所述第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片、第三碳化硅芯片呈倒“品”字形结构设置。本实用新型的碳化硅肖特基二极管，将三个碳化硅芯片设计成倒“品”字形结构摆放，减小了碳化硅肖特基二极管的体积，结构紧凑，有利于当今电子设备的轻薄化发展趋势。子设备的轻薄化发展趋势。子设备的轻薄化发展趋势。


技术研发人员：刘建军
受保护的技术使用者：东莞市佳骏电子科技有限公司
技术研发日：2021.07.14
技术公布日：2022/3/25