一种垂直腔面发射激光器的制作方法

本技术一般涉及半导体激光器，具体涉及一种垂直腔面发射激光器。

背景技术：

1、垂直腔面发射激光器，简称vcsel，是一种新兴的半导体激光光源。相比于传统的边发射半导体激光器，vcsel具有阈值低、对称的圆形光斑、单纵模、易于二维阵列、热稳定性好等优点。这使得vcsel在医疗、显示技术、空间通信、光互连等领域有着重要的应用。

2、一般来说，vcsel发射的光需要进行整形后才能够投射到空间中，主要的整形有准直、扩束等。

3、在相关技术中，在vcsel前加入透镜、doe(衍射光学器件)、扩散片等光学器件实现光束整形。对于垂直腔面发射激光器的研究，仍需深入。

技术实现思路

1、本实用新型提供一种垂直腔面发射激光器，其包括：

2、本体；

3、光学整形件，用于对所述本体发射的光线准直、光线的发射角缩小或者扩大，所述光学整形件位于所述本体发射的光线的光路上，且所述光学整形件与所述本体一体成型。

4、作为可实现的最优方式，所述光学整形件包括光学整形层，所述光学整形层连接至所述本体。

5、作为可实现的最优方式，所述本体包括氧化层，所述氧化层上开设有若干个未氧化区，所述光学整形层覆盖所述氧化层上至少部分的未氧化区。

6、作为可实现的最优方式，所述光学整形层覆盖所述氧化层上全部的未氧化区。

7、作为可实现的最优方式，所述光学整形层包括至少两部分，一所述部分用于对所述本体发射的光线准直，另一所述部分用于对所述本体发射的光线的发射角缩小或者扩大，

8、一所述部分覆盖所述氧化层上部分的未氧化区；另一所述部分覆盖所述氧化层上其余的未氧化区。

9、作为可实现的最优方式，所述光学整形层为一维光栅结构，其包括若干个光栅条，各所述光栅条相互平行且等间隔设置。

10、作为可实现的最优方式，所述光学整形层为二维光栅结构，其包括若干个高对比度微结构单元，各所述高对比度微结构单元阵列布置，所述高对比度微结构单元为上大下小或者上小下大。

11、作为可实现的最优方式，所述高对比度微结构单元包括若干个层叠设置的结构层，各所述结构层的面积沿所述光线发射方向依次减小或者增大。

12、作为可实现的最优方式，所述本体为顶面垂直腔面发射激光器或者底面垂直腔面发射激光器。

13、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

14、本申请通过光学元件与本体的一体化成型，将光学元件对光线的准直、光线的发射角缩小或者扩大的功能整合至本体中，以使本体能够自行对其发射出的光线进行准直、发射角的缩小或者扩大的作用。本申请一方面缩小了激光器的整体尺寸，另一方面还降低了生产成本。

技术特征：

1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述光学整形件包括光学整形层，所述光学整形层连接至所述本体。

3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述本体包括氧化层，所述氧化层上开设有若干个未氧化区，所述光学整形层覆盖所述氧化层上至少部分的未氧化区。

4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述光学整形层覆盖所述氧化层上全部的未氧化区。

5.根据权利要求4所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述光学整形层包括至少两部分，一所述部分用于对所述本体发射的光线准直，另一所述部分用于对所述本体发射的光线的发射角缩小或者扩大，

6.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述光学整形层为一维光栅结构，其包括若干个光栅条，各所述光栅条相互平行且等间隔设置。

7.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述光学整形层为二维光栅结构，其包括若干个高对比度微结构单元，各所述高对比度微结构单元阵列布置，所述高对比度微结构单元为上大下小或者上小下大。

8.根据权利要求7所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述高对比度微结构单元包括若干个层叠设置的结构层，各所述结构层的面积沿所述光线发射方向依次减小或者增大。

9.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述本体为顶面垂直腔面发射激光器或者底面垂直腔面发射激光器。

技术总结
本申请涉及半导体激光器技术领域，公开了一种垂直腔面发射激光器，其包括：本体；光学整形件，用于对所述本体发射的光线准直、光线的发射角缩小或者扩大，所述光学整形件位于所述本体发射的光线的光路上，且所述光学整形件与所述本体一体成型。本申请通过光学元件与本体的一体化成型，将光学元件对光线的准直、光线的发射角缩小或者扩大的功能整合至本体中，以使本体能够自行对其发射出的光线进行准直、发射角的缩小或者扩大的作用。本申请一方面缩小了激光器的整体尺寸，另一方面还降低了生产成本。

技术研发人员：崔尧,王嘉星
受保护的技术使用者：深圳博升光电科技有限公司
技术研发日：20210908
技术公布日：2024/1/11