键合机铜框架输送机构的制作方法

1.本实用新型涉及的是键合机铜框架输送机构，属于半导体分立器件制造技术领域。


背景技术：

2.电子产品根据其导电性能分为导体和绝缘体，半导体介于导体和绝缘体之间,半导体元器件以封装形式又分为分立和集成。
3.半导体分立器件制造中，在对铜框架进行粘片后，需要进行键合，又称打丝，将芯片与管脚进行物理连接，一般使用铝线或铜线。
4.现有技术半导体分立器件键合机一般两侧管脚的键合采用同一工位进行，生产效率较低，且整体结构设计无法有效满足生产需要。如果要设计一种双工位键合机，则合理的铜框架输送机构是重要组成结构之一。


技术实现要素：

5.本实用新型提出的是键合机铜框架输送机构，其目的旨在克服现有技术存在的上述不足，可同时输送两个位置的铜框架，有助于实现双工位键合，有效提高生产效率。
6.本实用新型的技术解决方案：键合机铜框架输送机构，其结构包括平行设置在输送半导体分立器件铜框架的铜框架料道侧面的两段相邻的滑轨，两个滑动座分别滑动连接在两段滑轨上，滑动座靠近铜框架料道侧的两侧分别通过一升降连杆连接一升降板，升降板靠近铜框架料道一端设移料片，同一滑动座上的两移料片整体长度与一半导体分立器件铜框架长度配合。
7.优选的，所述的移料片下端设有若干个移料针，移料针位置与半导体分立器件铜框架上的空隙形状配合。
8.本实用新型的优点：结构设计合理，可实现同时对双键合工位的半导体分立器件铜框架进行移动，有助于实现半导体分立器件双工位键合，可有效提高生产效率，满足生产需要。
附图说明
9.图1是本实用新型键合机铜框架输送机构的俯视结构示意图。
10.图2是图1中移料片的后视图。
11.图中的1是铜框架料道、21是滑轨、22是滑动座、23是升降板、24是移料片、25是升降连杆、26是移料针。
具体实施方式
12.下面结合实施例和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
13.如图1所示，键合机铜框架输送机构，其结构包括平行设置在输送半导体分立器件
铜框架的铜框架料道1侧面的两段相邻的滑轨21，两个滑动座22分别滑动连接在两段滑轨21上，滑动座22靠近铜框架料道1侧的两侧分别通过一升降连杆25连接一升降板23，升降板23靠近铜框架料道1一端设移料片24，同一滑动座22上的两移料片24整体长度与一半导体分立器件铜框架长度配合。
14.如图2所示，移料片24下端设有若干个移料针26，移料针26位置与半导体分立器件铜框架上的空隙形状配合。
15.驱动滑动座22在滑轨21上滑动的机构和驱动升降板23升降的机构都未图示，可根据现有技术进行实现和设计。
16.根据以上结构，工作时，铜框架料道1内的所有半导体分立器件铜框架每次向前输送一排芯片距离；具体的，滑动座22在滑轨21上滑动到位，升降连杆25带动升降板23下降，升降板23带动移料片24下降由移料针26接触半导体分立器件铜框架，然后滑动座22在滑轨21上滑动一排芯片距离，然后滑动座22和移料片24恢复原位，设置两侧移料片24可提高移料稳定性；移动到位后，外设键合限位机构对半导体分立器件铜框架进行限位，上方键合机构进行键合即可，键合完成后继续向前输送一排芯片距离，两侧滑动座22可同时移动两侧键合机构对应位置半导体分立器件铜框架，实现双工位键合。
17.以上所述各部件均为现有技术，本领域技术人员可使用任意可实现其对应功能的型号和现有设计。
18.以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。


技术特征：
1.键合机铜框架输送机构，其特征包括平行设置在输送半导体分立器件铜框架的铜框架料道(1)侧面的两段相邻的滑轨(21)，两个滑动座(22)分别滑动连接在两段滑轨(21)上，滑动座(22)靠近铜框架料道(1)侧的两侧分别通过一升降连杆(25)连接一升降板(23)，升降板(23)靠近铜框架料道(1)一端设移料片(24)，同一滑动座(22)上的两移料片(24)整体长度与一半导体分立器件铜框架长度配合。2.如权利要求1所述的键合机铜框架输送机构，其特征是所述的移料片(24)下端设有若干个移料针(26)，移料针(26)位置与半导体分立器件铜框架上的空隙形状配合。

技术总结
本实用新型是键合机铜框架输送机构，其结构包括平行设置在输送半导体分立器件铜框架的铜框架料道侧面的两段相邻的滑轨，两个滑动座分别滑动连接在两段滑轨上，滑动座靠近铜框架料道侧的两侧分别通过一升降连杆连接一升降板，升降板靠近铜框架料道一端设移料片，同一滑动座上的两移料片整体长度与一半导体分立器件铜框架长度配合。本实用新型的优点：结构设计合理，可实现同时对双键合工位的半导体分立器件铜框架进行移动，有助于实现半导体分立器件双工位键合，可有效提高生产效率，满足生产需要。生产需要。生产需要。


技术研发人员：李健
受保护的技术使用者：江苏东海半导体股份有限公司
技术研发日：2021.10.27
技术公布日：2022/6/10