一种矩阵排布舌簧管磁控开关的制作方法

on/off 检测为高电平，可视为没有开关变化信号。
16.该矩阵排布舌簧管磁控开关具有以下有益效果：
17.本实用新型开关防水结构简单，并且使用寿命长，也不易受到外部环境强磁干扰则误动作。
附图说明
18.图1：本实用新型矩阵排布舌簧管磁控开关排列方式示意图；
19.图2：本实用新型矩阵排布舌簧管磁控开关电路设计示意图；
20.图3：本实用新型矩阵排布舌簧管磁控开关开机状态示意图；
21.图4：本实用新型矩阵排布舌簧管磁控开关干扰状态1示意图；
22.图5：本实用新型矩阵排布舌簧管磁控开关干扰状态2示意图；
23.图6：本实用新型矩阵排布舌簧管磁控开关干扰状态3示意图。
具体实施方式
24.下面结合图1至图6，对本实用新型做进一步说明：
25.如图1所示，s2和s3是s1舌簧管需要闭合动作磁通量的1/2；例如：s1 需要50gs, s2和s3是25gs；这样的设计为了始终保持s2和s3比s1更灵敏。在磁性材料靠近时，s2和s3开关更快闭合。s1 用于改变开关的信号，s2和s3用于消除强磁带来的干扰。
26.如图2所示，矩阵排布的舌簧管满足以上的特征后，电路的设计如下：
27.s1一端接地，s1另一端与s2和s3第一并联端连接，s2和s3第一并联端还与单片机控制开关端mcu sw on/off连接，s2和s3第二并联端接电源，s2和s3第一并联端与s2和s3第二并联端还连接上拉电阻r2。s2和s3第一并联端与s1之间连接限流电阻r1。s2和s3第二并联端与单片机控制开关端mcu sw on/off之间连接限流电阻r4。
28.以上开关在与磁性材料的5个状态：
29.如图1所示为关机状态：s1、s2和s3没有磁性材料影响，三个均处于常开状态；单片机控制开关端mcu sw on/off检测为高电平，可视为没有开关变化信号。
30.如图3所示为开机状态：用一根磁通量刚好满足s1的磁柱与s1中心点位置对准，匹配舌簧管动作行的程控；磁柱则镶嵌在开关按键内；当开关按下或推动开关键，磁柱与s1舌簧管中心重叠。s1由常开变为常闭状态；单片机控制开关端mcu sw on/off 检测为低电平，可视为有开关变化信号。
31.如图4所示为干扰状态1：当强磁辐射到s1和s3，由于s3需要动作的磁通量是s1的一半，强磁信号干扰到来时，s3会比s1更早闭合。此时单片机控制开关端mcu sw on/off 检测为高电平，可视为没有开关变化信号。
32.如图5所示为干扰状态2：当强磁辐射到s1和s2，由于s2需要动作的磁通量是s1的一半，强磁信号干扰到来时，s2会比s1更早闭合。此时单片机控制开关端mcu sw on/off 检测为高电平，可视为没有开关变化信号。
33.如图6所示为干扰状态3：当强磁辐射到s1、s2和s3，由于 s2和 s3需要动作的磁通量是s1的一半，强磁信号干扰到来时，s2和s3会比s1更早闭合。此时单片机控制开关端mcu sw on/off 检测为高电平，可视为没有开关变化信号。
34.上面结合附图对本实用新型进行了示例性的描述，显然本实用新型的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本实用新型的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围内。


技术特征：
1.一种矩阵排布舌簧管磁控开关，其特征在于：至少包括3个舌簧管磁控开关单元：s1、s2和s3，s1用于改变开关的信号，s2和s3用于消除强磁带来的干扰；s1一端接地，s1另一端与s2和s3第一并联端连接，s2和s3第一并联端还与单片机控制开关端mcu sw on/off连接，s2和s3第二并联端接电源，s2和s3第一并联端与s2和s3第二并联端还连接上拉电阻r2。2.根据权利要求1所述的矩阵排布舌簧管磁控开关，其特征在于：s2和s3是s1舌簧管需要闭合动作磁通量的1/2。3.根据权利要求1所述的矩阵排布舌簧管磁控开关，其特征在于：s2和s3第一并联端与s1之间连接限流电阻r1。4.根据权利要求3所述的矩阵排布舌簧管磁控开关，其特征在于：s2和s3第一并联端与单片机控制开关端mcu sw on/off之间连接限流电阻r4。

技术总结
本实用新型涉及一种矩阵排布舌簧管磁控开关，其特征在于：至少包括3个舌簧管磁控开关单元：S1、S2和S3，S1用于改变开关的信号，S2和S3用于消除强磁带来的干扰。本实用新型开关防水结构简单，并且使用寿命长，也不易受到外部环境强磁干扰则误动作。环境强磁干扰则误动作。环境强磁干扰则误动作。


技术研发人员：严剑锋
受保护的技术使用者：宁波运宝电器有限公司
技术研发日：2021.12.07
技术公布日：2022/5/10