一种超小角度高辐射强度的红外线发射LED的制作方法

一种超小角度高辐射强度的红外线发射led
技术领域
1.本实用新型涉及红外发射管技术领域，尤其涉及一种超小角度高辐射强度的红外线发射led。


背景技术：

2.目前市面上的红外发射led的发光角度一般只能做到15
°
左右，并且在20ma的电流下，发光强度一般只能到300mw/sr左右，无法满足一些需要点对点、小电流、高功率发射管的需求场景。
3.因此，现有技术存在缺陷，需要改进。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的是克服现有技术的不足，提供一种超小角度高辐射强度的红外线发射led。
5.本实用新型的技术方案如下：本实用新型提供一种超小角度高辐射强度的红外线发射led，包括：金属引框负极、金属引框正极、红外发射晶片、导电金丝、保护装置，所述红外发射晶片的正极和负极中的一极设置在所述金属引框负极和金属引框正极中的一个上并实现电性连接，所述红外发射晶片的正极和负极中的另一极通过导电金丝与所述金属引框负极和金属引框正极中的另一个实现电性连接，所述保护装置包覆所述红外发射晶片、导电金丝和部分金属引框正极和金属引框负极，保护装置的顶部形成一凸面，所述凸面的半径为0.5mm-5mm。
6.进一步地，所述红外发射晶片为vcsel晶片。
7.进一步地，所述红外发射晶片的发光角度在10
°‑
45
°
之间。
8.进一步地，所述保护装置的高度为2.5mm-12.5mm。
9.进一步地，所述红外发射晶片距离保护装置顶部的距离为1.8mm-5.5mm。
10.进一步地，所述保护装置的长度为3mm-10mm。
11.进一步地，所述保护装置的宽度为1mm-5mm。
12.进一步地，所述保护装置的材质为玻璃、硅胶、铁氟龙或环氧树脂。
13.进一步地，所述保护装置上还设有保护壳，所述保护壳设于所述保护装置下部。
14.进一步地，所述保护壳的材质为金属。
15.采用上述方案，本实用新型的有益效果在于：1、具有很好的聚光效果，半强发光角度可以控制在3
°
左右，且只有一个坡峰，形成的光斑均匀且没有空洞；2、发光强度可以达到3000mw/sr。
附图说明
16.图1为本实用新型一实施例的结构示意图。
17.图2为本实用新型一实施例的保护装置的主视图。
18.图3为本实用新型一实施例的保护装置的侧视图。
19.图4为本实用新型一实施例的配光曲线图。
具体实施方式
20.以下结合附图和具体实施例，对本实用新型进行详细说明。
21.请结合参阅图1至图4，在本实施例中，本实用新型提供一种超小角度高辐射强度的红外线发射led，包括：金属引框负极1、金属引框正极5、红外发射晶片4、导电金丝2、保护装置3，所述红外发射晶片4的正极和负极中的一极设置在所述金属引框负极1和金属引框正极5中的一个上并实现电性连接，所述红外发射晶片4的正极和负极中的另一极通过所述导电金丝2与所述金属引框负极1和金属引框正极5中的另一个实现电性连接，所述保护装置3包覆所述红外发射晶片4、导电金丝2和部分金属引框正极5和金属引框负极1，保护装置3的顶部形成一凸面，所述凸面的半径为0.5mm-5mm。本实施例中，所述红外发射晶片4设置在所述金属引框负极1上并且所述红外发射晶片4的负极与所述金属引框负极1电性连接，所述红外发射晶片4的正极通过所述导电金丝2与所述金属引框正极5实现电性连接。
22.进一步地，所述红外发射晶片4为vcsel晶片，包括有一个或大于一个的垂直腔面激发光线。
23.进一步地，所述红外发射晶片4的发光角度在10
°‑
45
°
之间。
24.进一步地，所述保护装置3的高度为2.5mm-12.5mm。
25.进一步地，所述红外发射晶片4距离保护装置3顶部的距离为 1.8mm-5.5mm。
26.进一步地，所述保护装置3的长度为3mm-10mm。所述保护装置3的宽度为1mm-5mm。
27.进一步地，所述保护装置3的材质可以为玻璃、硅胶、铁氟龙或环氧树脂等材质。
28.进一步地，所述保护装置3上还设有保护壳，所述保护壳设于所述保护装置3下部。所述保护壳的材质可以为金属。
29.请结合参阅图1至图4，本方案中，所述红外发射晶片4产生的光线经过所述保护装置3的聚光作用，使得产品具有很好的聚光效果，半强发光角度可以控制在3
°
左右，且只有一个坡峰，形成的光斑均匀且没有空洞；发光强度可以达到3000mw/sr，可以满足使用需求。
30.以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.一种超小角度高辐射强度的红外线发射led，其特征在于，包括：金属引框负极、金属引框正极、红外发射晶片、导电金丝、保护装置，所述红外发射晶片的正极和负极中的一极设置在所述金属引框负极和金属引框正极中的一个上并实现电性连接，所述红外发射晶片的正极和负极中的另一极通过导电金丝与所述金属引框负极和金属引框正极中的另一个实现电性连接，所述保护装置包覆所述红外发射晶片、导电金丝和部分金属引框正极和金属引框负极，保护装置的顶部形成一凸面，所述凸面的半径为0.5mm-5mm。2.根据权利要求1所述的超小角度高辐射强度的红外线发射led，其特征在于，所述红外发射晶片为vcsel晶片。3.根据权利要求2所述的超小角度高辐射强度的红外线发射led，其特征在于，所述红外发射晶片的发光角度在10
°‑
45
°
之间。4.根据权利要求1所述的超小角度高辐射强度的红外线发射led，其特征在于，所述保护装置的高度为2.5mm-12.5mm。5.根据权利要求1所述的超小角度高辐射强度的红外线发射led，其特征在于，所述红外发射晶片距离保护装置顶部的距离为1.8mm-5.5mm。6.根据权利要求1所述的超小角度高辐射强度的红外线发射led，其特征在于，所述保护装置的长度为3mm-10mm。7.根据权利要求1所述的超小角度高辐射强度的红外线发射led，其特征在于，所述保护装置的宽度为1mm-5mm。8.根据权利要求1至7任一项所述的超小角度高辐射强度的红外线发射led，其特征在于，所述保护装置的材质为玻璃、硅胶、铁氟龙或环氧树脂。9.根据权利要求1至7任一项所述的超小角度高辐射强度的红外线发射led，其特征在于，所述保护装置上还设有保护壳，所述保护壳设于所述保护装置下部。10.根据权利要求9所述的超小角度高辐射强度的红外线发射led，其特征在于，所述保护壳的材质为金属。

技术总结
本实用新型涉及红外发射管技术领域，公开一种超小角度高辐射强度的红外线发射LED，包括：金属引框负极、金属引框正极、红外发射晶片、导电金丝、保护装置，红外发射晶片的正极和负极中的一极设置在金属引框负极和金属引框正极中的一个上并实现电性连接，红外发射晶片的正极和负极中的另一极通过导电金丝与金属引框负极和金属引框正极中的另一个实现电性连接，保护装置包覆红外发射晶片、导电金丝和部分金属引框正极和金属引框负极，保护装置的顶部形成一凸面，凸面的半径为0.5mm-5mm。本实用新型有益效果在于：1、半强发光角度可以控制在3


技术研发人员：黄大玮 刘彬
受保护的技术使用者：深圳市恒耀达科技有限公司
技术研发日：2021.12.30
技术公布日：2022/8/22