等离子体处理方法与流程

本发明涉及等离子体处理方法。

背景技术：

1、近年来，集成电路等半导体制造的细微化正在推进，将产品蚀刻时的要求变得严格。特别是，附着在晶圆上的异物、污染使成品率显著降低。因此，异物、污染的减少技术的开发正在推进。特别是，在异物、污染的原因存在于处理室内部件的情况下，向处理室内部件形成堆积膜对于异物、污染的减少具有效果。

2、在专利文献1中，提出了包括利用氧气体的等离子体将处理室内的残留膜去除的第一工序、以及使用氟化碳系气体或含有氟化碳系气体的混合气体的等离子体在处理室内壁面形成堆积膜的第二工序的处理方法。根据该处理方法，能够防止由已形成的堆积膜抑制在等离子体蚀刻时发生的处理室内部件的劣化带来的异物产生，因此能够防止因在产品晶圆上附着异物引起的图案的缺陷。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2000-91327号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、然而，若不在载置台上载置晶圆而执行在专利文献1中公开的处理方法，则存在也在载置台上形成堆积膜这样的问题。若在载置台上形成堆积膜，则在将用于蚀刻处理的晶圆载置于载置台而进行处理时，有可能在已处理晶圆的背面附着堆积膜。附着于已处理晶圆的堆积膜在与已处理晶圆一起搬运的期间分离、脱落而成为异物，进而经由搬运机器人等扩散，由此可能造成搬运系统整体被污染。

3、另一方面，若仅阻止在载置台上形成堆积膜，则可以说是在执行专利文献1中公开的处理方法的期间，将虚设晶圆载置于载置台并在处理后取出即可。但是，利用该方法能够防止在载置台上形成堆积膜，但无法阻止在虚设晶圆上形成堆积膜。因而，依然残存虚设晶圆上的堆积膜在与虚设晶圆一起搬运的期间分离、脱落而成为异物，由此搬运系统被污染这样的风险。

4、本发明提供能够在处理室内壁面形成堆积膜，并且抑制污染向搬运系统的扩散的等离子体处理方法。

5、用于解决课题的方案

6、为了实现上述目的，代表性的本发明的本发明的等离子体处理方法之一，在处理室内对载置于试样台的试样进行等离子体处理，所述等离子体处理方法的其特征在于，包括：

7、第一工序，使用等离子体将所述处理室内的堆积物去除；

8、第二工序，在所述第一工序后使用氢氟烃气体与氩(ar)气体的混合气体使堆积物在所述处理室内堆积；

9、第三工序，在所述第二工序后使用氧(o2)气体与氩(ar)气体的混合气体将所述试样台的堆积物选择性地去除；以及

10、第四工序，在所述第三工序后对规定张数的所述试样进行等离子体处理。

11、发明效果

12、根据本发明，能够提供能够在处理室内壁面形成堆积膜，并且抑制向搬运系统的污染的扩散等离子体处理方法。

13、上述以外的课题、结构以及效果通过以下的实施方式的说明而清楚。

技术特征：

1.一种等离子体处理方法，在处理室内对载置于试样台的试样进行等离子体处理，

2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的等离子体处理方法，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的等离子体处理方法，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的等离子体处理方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的等离子体处理方法，其特征在于，

技术总结
本发明提供能够在处理室内壁面形成堆积膜，并且抑制向搬运系统的污染的扩散的等离子体处理方法。在处理室内对载置于试样台的试样进行等离子体处理的等离子体处理方法包括：第一工序，使用等离子体将所述处理室内的堆积物去除；第二工序，在所述第一工序后使用氢氟烃气体与氩(Ar)气体的混合气体使堆积物在所述处理室内堆积；第三工序，在所述第二工序后使用氧(O<subgt;2</subgt;)气体与氩(Ar)气体的混合气体将所述试样台的堆积物选择性地去除；以及第四工序，在所述第三工序后对规定张数的所述试样进行等离子体处理。

技术研发人员：田丸研太,中司孝则,高木优汰,林达也
受保护的技术使用者：株式会社日立高新技术
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12