具有电压感测的超高电压电阻器的制作方法

背景技术：

1、现代电子装置(诸如智能电话、膝上型计算机、平板计算机、小笔电等)通常需要电力供应器组件来提供和稳定施加到电子装置的子系统的供应电压。这些电力供应器组件包括但不限于开关模式电力供应器，诸如正向转换器、返驰式转换器、升压转换器和降压转换器。

2、通常，金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)装置用于实施电源开关以控制由电力供应器组件提供的电压转换。在一些应用中，电源开关是高电压mosfet装置，诸如有利地具有高击穿电压的横向扩散场效应晶体管(ldfet)。在一些应用中，在电源开关的作用层上方形成一个或多个薄膜或厚膜电阻器。在一些应用中，这些薄膜或厚膜电阻器用作电路的一部分以确定跨电源开关形成的电压。

技术实现思路

1、在一些实施方案中，一种半导体装置包括：作用区域；locos区域，所述locos区域形成在所述作用区域内并在所述作用区域的顶部表面上方垂直延伸；栅极区域，所述栅极区域形成在所述作用区域的所述顶部表面上方；以及多晶硅电阻器，所述多晶硅电阻器的底部表面从所述locos区域的顶部表面垂直偏移并与所述顶部表面物理隔离。所述作用区域包括从所述栅极区域横向设置的源极区域、从所述栅极区域横向设置的漏极区域和横向设置在所述栅极区域与所述漏极区域之间的漂移区域。所述多晶硅电阻器形成在所述漂移区域上方。所述作用区域还包括第一电荷平衡区域，所述第一电荷平衡区域在所述作用区域中形成在所述漂移区域下方。

2、在一些实施方案中，一种方法涉及提供用于形成半导体装置的作用区域。第一电荷平衡区域形成在所述作用区域内。漂移区域形成在所述作用区域内和所述第一电荷平衡区域上方。locos区域形成在所述作用区域内并在所述作用区域的顶部表面上方垂直延伸。栅极区域形成在所述作用区域的顶部表面上方。源极区域形成在所述作用区域中并且从所述栅极区域和所述漂移区域横向设置。漏极区域形成在所述作用区域中并且从所述栅极区域和所述漂移区域横向设置。多晶硅电阻器形成在所述locos区域上方并且与所述漂移区域基本上横向对准。所述多晶硅电阻器的底部表面从所述locos区域的顶部表面垂直偏移并与所述顶部表面物理隔离。

技术特征：

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中：

3.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

4.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

5.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

6.如请求项5的半导体装置，其中：

7.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

8.如权利要求1所述的半导体装置，进一步其中：

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中：

10.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

11.如权利要求10所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

12.如权利要求11所述的半导体装置，其中：

13.如权利要求1所述的半导体装置，其中：

14.一种方法，所述方法包括：

15.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括：

16.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括：

17.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括：

18.如权利要求17所述的方法，其中：

19.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括：

20.如权利要求14所述的方法，进一步其中：

技术总结
一种半导体装置包括：作用区域；LOCOS区域，所述LOCOS区域形成在所述作用区域内并在所述作用区域的顶部表面上方垂直延伸；栅极区域，所述栅极区域形成在所述作用区域的所述顶部表面上方；以及多晶硅电阻器，所述多晶硅电阻器的底部表面从所述LOCOS区域的顶部表面垂直偏移并与所述顶部表面物理隔离。所述作用区域包括从所述栅极区域横向设置的源极区域、从所述栅极区域横向设置的漏极区域和横向设置在所述栅极区域与所述漏极区域之间的漂移区域。所述多晶硅电阻器形成在所述漂移区域上方。所述作用区域还包括第一电荷平衡区域，所述第一电荷平衡区域在所述作用区域中形成在所述漂移区域下方。

技术研发人员：W·C·林,R·H·曾,S·L·涂
受保护的技术使用者：斯兰纳亚洲有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12