多阶段泵送衬垫的制作方法

本技术涉及用于半导体制造的部件及装置。更具体而言，本技术关于处理腔室分配部件及其他半导体处理装备。

背景技术：

1、集成电路通过在基板表面上生成错综复杂的图案化材料层的处理而制成。在基板上生成图案化材料需要控制的方法用于形成及移除材料。腔室部件通常传输里气体至基板用于沉积膜或移除材料。在腔室之中移除这些气体及其他副产物，但移除可造成残余颗粒落在图案化基板上。例如，在排气期间气体及副产物的流动图案可导致非均匀材料形成在基板上。此外，通过处理腔室的气体及副产物的非平均流动图案可导致在处理腔室的排气部件上的积累。

2、因此，需要改进的系统及方法，而可用以生成高质量器件及结构。这些及其他需求通过本技术来解决。

技术实现思路

1、示例性半导体处理腔室泵送衬垫可包括环状外壳。环状外壳可包括内部壁，限定该环状外壳的内部表面。该内部壁可限定穿过该内部壁且沿着该环状外壳的该内部壁布置的多个泵送孔洞。环状外壳可包括下部壁，限定该环状外壳的下部表面。该下部壁可限定穿过该下部壁的主要泵送孔洞。该环状外壳可包括第一气室腔室，沿着该内部壁的内部表面布置。该环状外壳可包括第二气室腔室，沿着该下部壁的内部表面布置。该环状外壳可包括气室屏障，将该第一气室腔室及该第二气室腔室分开。该气室屏障可限定穿过该气室屏障的多个内部孔洞。

2、在某些实施例中，该多个泵送孔洞的各者可以是相等尺寸和/或可沿着该环状外壳的该内部壁等距地布置。该主要泵送孔洞可从该多个内部孔洞的各个孔洞垂直地偏移。该多个内部孔洞可以是相等尺寸和/或可围绕该气室屏障等距地布置。该多个内部孔洞的第一孔洞可大于该多个内部孔洞的第二孔洞和/或在该多个内部孔洞的孔洞之间的角度偏移可以在该多个内部孔洞的孔洞之间变化。该多个泵送孔洞可具有小于或约该多个内部孔洞的直径的一半的直径。该环状外壳可包括包括该气室屏障的第一结构部件，包括该第二表面的第二结构部件，及包括该内部壁的第三结构部件，且该第三结构部件可座落于该第一结构部件的凹陷的壁架上。

3、本技术的某些实施例可包含半导体处理系统。系统可包括泵送系统，腔室主体，具有限定处理区域的侧壁及底部壁，及泵送衬垫，沿着该腔室主体的该侧壁布置于该处理区域之中。该泵送衬垫可限定环状构件，由第一壁及与该第一壁相对的第二壁表征。该第二壁可限定穿过该第二壁延伸且耦合至该泵送系统的排气孔洞。该环状构件可由内部壁表征，该内部壁沿着该内部壁的外部表面限定该环状构件的内部环状半径。该内部壁可限定沿着该环状构件的该内部壁环绕分配的多个孔洞。该环状构件可由外部壁表征，该外部壁沿着该外部壁的外部表面限定该环状构件的外部环状半径。气室可限定于该环状构件中，介于该第一壁、该第二壁、该内部壁及该外部壁的内部表面之间。该环状构件可由分隔件表征，布置于该气室之中，且从该外部壁延伸至该第二壁。该分隔件可将该气室分开成第一气室腔室及第二气室腔室。该第一气室腔室至少部分可通过该内部壁及该第一壁的内部表面限定。该第一气室腔室可从穿过该内部壁限定的该多个孔洞可流体进出。该分隔件可限定至少一个孔洞，提供该第一气室腔室及该第二气室腔室之间的流体进出。

4、在某些实施例中，沿着该环状构件的该内部壁环绕分配的该多个孔洞可以是相等尺寸的和/或可等距地分配。该排气孔洞可从提供该第一气室腔室及该第二气室腔室之间的流体进出的该至少一个孔洞垂直地偏移。提供该第一气室腔室及该第二气室腔室之间的流体进出的该至少一个孔洞可包括相等尺寸的超过一个孔洞和/或围绕该分隔件等距布置。提供该第一气室腔室及该第二气室腔室之间的流体进出的该至少一个孔洞的第一孔洞可大于提供该第一气室腔室及该第二气室腔室之间的流体进出的该至少一个孔洞的第二孔洞和/或提供该第一气室腔室及该第二气室腔室之间的流体进出的该至少一个孔洞的孔洞之间的角度偏移可在提供该第一气室腔室及该第二气室腔室之间的流体进出的该至少一个孔洞的孔洞之间变化。沿着该环状构件的该内部壁环绕分配的该多个孔洞可具有小于或约提供该第一气室腔室及该第二气室腔室之间的流体进出的该至少一个孔洞的直径的一半的直径。该环状构件可包括包括该分隔件的第一结构部件，包括该第二壁的第二结构部件，及包括该内部壁的第三结构部件。该第三结构部件可座落于该第一结构部件的凹陷的壁架上。

5、本技术的某些实施例可包含半导体处理腔室泵送衬垫。该泵送衬垫可包括环状构件。该环状构件可由第一壁及与该第一壁相对的第二壁表征。该第二壁可限定延伸穿过该第二壁的排气孔洞。该环状构件可由内部壁表征，该内部壁沿着该内部壁的外部表面限定该环状构件的内部环状半径。该内部壁可限定沿着该环状构件的该内部壁环绕分配的多个孔洞。该环状构件可由外部壁表征，该外部壁沿着该外部壁的外部表面限定该环状构件的外部环状半径。在该环状构件中可限定气室，介于该第一壁、该第二壁、该内部壁及该外部壁的内部表面之间。该环状构件可由分隔件表征，该分隔件布置于该气室之中，且从该外部壁延伸至该第二壁。该分隔件可将该气室分开成第一气室腔室及第二气室腔室。第一气室腔室可至少部分通过该内部壁及该第一壁的内部表面限定。该第一气室腔室可从穿过该内部壁限定的该多个孔洞可流体进出。该分隔件可限定至少一个孔洞，提供该第一气室腔室及该第二气室腔室之间的流体进出。

6、在某些实施例中，该排气孔洞可从提供该第一气室腔室及该第二气室腔室之间的流体进出的该至少一个孔洞垂直地偏移。提供该第一气室腔室及该第二气室腔室之间的流体进出的该至少一个孔洞可包含可以是相等尺寸和/或可围绕该分隔件等距布置的超过一个孔洞。提供该第一气室腔室及该第二气室腔室之间的流体进出的该至少一个孔洞的第一孔洞可大于提供该第一气室腔室及该第二气室腔室之间的流体进出的该至少一个孔洞的第二孔洞和/或提供该第一气室腔室及该第二气室腔室之间的流体进出的该至少一个孔洞的孔洞之间的角度偏移可在提供该第一气室腔室及该第二气室腔室之间的流体进出的该至少一个孔洞的孔洞之间变化。沿着该环状构件的该内部壁环绕分配的该多个孔洞可具有小于或约提供该第一气室腔室及该第二气室腔室之间的流体进出的该至少一个孔洞的直径的一半的直径。该环状构件可包括包括该分隔件的第一结构部件，包括该第二壁的第二结构部件，及包括该内部壁的第三结构部件。该第三结构部件可座落于该第一结构部件的凹陷的壁架上。

7、此技术在传统系统及技术上可提供数个优点。例如，本技术的实施例在处理腔室之中于排气系统上可降低副产物的积累，且在排气期间于处理腔室中可提供气体及副产物更均匀的流动图案。这些及其他实施例，与其许多优势及特征一起，与以下说明及附图结合而更详细说明。

技术特征：

1.一种半导体处理腔室泵送衬垫，包含：

2.如权利要求1所述的半导体处理腔室泵送衬垫，其中所述多个泵送孔洞的各者为相等尺寸，且沿着所述环状外壳的所述内部壁等距地布置。

3.如权利要求1所述的半导体处理腔室泵送衬垫，其中所述排气孔洞与所述多个内部孔洞的各个孔洞垂直地偏移。

4.如权利要求1所述的半导体处理腔室泵送衬垫，其中所述多个内部孔洞为相等尺寸，且围绕所述气室屏障等距地布置。

5.如权利要求1所述的半导体处理腔室泵送衬垫，其中所述多个内部孔洞中的第一孔洞大于所述多个内部孔洞中的第二孔洞，且其中在所述多个内部孔洞的孔洞之间的角度偏移在所述多个内部孔洞的孔洞之间为变化的。

6.如权利要求1所述的半导体处理腔室泵送衬垫，其中所述多个泵送孔洞由小于或约所述多个内部孔洞的直径的一半的直径表征。

7.如权利要求1所述的半导体处理腔室泵送衬垫，其中所述环状外壳包含包括所述气室屏障的第一结构部件、包含所述第二表面的第二结构部件及包含所述内部壁的第三结构部件，其中所述第三结构部件座落于所述第一结构部件的凹陷的壁架上。

8.一种半导体处理系统，包含：

9.如权利要求8所述的半导体处理系统，其中沿着所述环状构件的所述内部壁环绕分配的所述多个孔洞为相等尺寸的，且沿着所述内部壁等距地分布。

10.如权利要求8所述的半导体处理系统，其中所述排气孔洞与提供所述第一气室腔室与所述第二气室腔室之间的流体进出的所述至少一个孔洞垂直地偏移。

11.如权利要求8所述的半导体处理系统，其中提供所述第一气室腔室与所述第二气室腔室之间的流体进出的所述至少一个孔洞包含相等尺寸且围绕所述分隔件等距布置的多个孔洞。

12.如权利要求8所述的半导体处理系统，其中提供所述第一气室腔室与所述第二气室腔室之间的流体进出的所述至少一个孔洞为多个孔洞，其中所述多个孔洞中的第一孔洞大于所述多个孔洞中的第二孔洞，且其中所述多个孔洞的孔洞之间的角度偏移在所述多个孔洞的孔洞之间变化。

13.如权利要求8所述的半导体处理系统，其中沿着所述环状构件的所述内部壁环绕分布的所述多个孔洞由小于或约80％的提供所述第一气室腔室与所述第二气室腔室之间的流体进出的所述至少一个孔洞的直径的直径表征。

14.如权利要求8所述的半导体处理系统，其中所述环状构件包含包括所述分隔件的第一结构部件、包含所述第二壁的第二结构部件及包含所述内部壁的第三结构部件，其中所述第三结构部件座落于所述第一结构部件的凹陷的壁架上。

15.一种半导体处理腔室泵送衬垫，包含：

16.如权利要求15所述的半导体处理腔室泵送衬垫，其中所述排气孔洞与提供所述第一气室腔室与所述第二气室腔室之间的流体进出的所述至少一个孔洞垂直地偏移。

17.如权利要求15所述的半导体处理腔室泵送衬垫，其中提供所述第一气室腔室与所述第二气室腔室之间的流体进出的所述至少一个孔洞包含相等尺寸且围绕所述分隔件等距布置的多个孔洞。

18.如权利要求15所述的半导体处理腔室泵送衬垫，其中提供所述第一气室腔室与所述第二气室腔室之间的流体进出的所述至少一个孔洞为多个孔洞，其中所述多个孔洞中的第一孔洞大于所述多个孔洞中的第二孔洞，且其中所述多个孔洞的孔洞之间的角度偏移在所述多个孔洞的孔洞之间变化。

19.如权利要求15所述的半导体处理腔室泵送衬垫，其中沿着所述环状构件的所述内部壁环绕分布的所述多个孔洞由小于或约提供所述第一气室腔室与所述第二气室腔室之间的流体进出的所述至少一个孔洞的直径的一半的直径表征。

20.如权利要求15所述的半导体处理腔室泵送衬垫，其中所述环状构件包括包含所述分隔件的第一结构部件、包含所述第二壁的第二结构部件及包含所述内部壁的第三结构部件，其中所述第三结构部件座落于所述第一结构部件的凹陷的壁架上。

技术总结
示例性半导体处理系统可包括泵送系统，限定处理区域的腔室主体，及布置于处理区域之中的泵送衬垫。泵送衬垫可限定环状构件，由壁表征，该壁限定耦合至泵送系统的排气孔洞。环状构件可由内部壁表征，该内部壁限定沿着内部壁环绕分布的多个孔洞。气室可限定于环状构件中，介于壁的内部表面之间。分隔件可布置于气室之中，其中分隔件将气室分开成第一气室腔室及第二气室腔室，其中第一气室腔室从穿过内部壁限定的孔洞可流体进出，且其中分隔件限定至少一个孔洞，提供第一气室腔室与第二气室腔室之间的流体进出。

技术研发人员：佟明乐
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12