本发明涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序。
背景技术:
1、作为在半导体装置的制造工序中使用的基板处理装置的一个方式,例如使用对多张基板一并进行处理的基板处理装置(例如,专利文献1)。在这样的基板处理装置中,由于安装场所的面积的制约,要求尽可能地减少占用空间(安装时的专有面积)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1:日本特开2020-43361号公报
技术实现思路
1、发明所要解决的课题
2、本公开提供一种能够减少占用空间的技术。
3、用于解决课题的方案
4、提供一种基板处理装置,其具有:模块,其具备:气体供给部,其具有上游侧整流部和供给结构;反应管,其与所述气体供给部连通;以及气体排气部,其设置在与所述上游侧整流部对置的位置且具有下游侧整流部和排气结构;供给管,其与所述气体供给部连接;排气管,其与所述气体排气部连接;输送室,其与多个所述模块相邻;以及配管配置区域,其位于所述输送室的侧方且与所述模块相邻,能够配置所述供给管或所述排气管,所述反应管配设在所述基板处理装置的长度方向的轴上与所述输送室重叠的位置,在所述配管配置区域配设有所述供给管的情况下,所述气体排气部配设在相对于所述轴倾斜且不与所述输送室重叠的位置,在所述配管配置区域配设有所述排气管的情况下,所述气体供给部配设在相对于所述轴倾斜且不与所述输送室重叠的位置。
5、发明效果
6、根据本公开的一个方式,能够提供一种能够减少占用空间的技术。
1.一种基板处理装置,具有:
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
5.根据权利要求3或4所述的基板处理装置,其特征在于,
6.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
8.根据权利要求3至7中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
9.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
10.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
11.根据权利要求1至10中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
12.根据权利要求1至11中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
13.根据权利要求1至12中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
14.根据权利要求1至13中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
15.根据权利要求1至14中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
16.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,
17.一种程序,其特征在于,