半导体装置的制作方法

本公开涉及一种半导体装置。

背景技术：

1、专利文献1公开了以往的半导体装置的一例。该文献所记载的半导体装置具有：半导体元件、芯片搭载部(基片)、金属夹、导线以及多个引线。在该半导体装置中，半导体元件是mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor)。半导体元件具有：漏极电极、源极电极和栅极电极。半导体元件根据输入到栅极电极的驱动信号对漏极电极和源极电极之间进行导通截止(on/off)控制。在半导体元件的表面形成源极电极和栅极电极，在背面形成漏极电极。漏极电极通过半导体元件与芯片搭载部接合从而与芯片搭载部导通。芯片搭载部与多个引线中的某一个一体地形成。源极电极经由金属夹与多个引线中的某一个导通。栅极电极经由导线与多个引线中的某一个导通。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2014-82384号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、在通过倒装芯片(flip-chip)接合等将上述的以往半导体元件搭载于支承部件时，表面朝向半导体装置的下方。因此，栅极电极朝向半导体装置的下方，难以将导线直接接合于栅极电极。这样，在以往的半导体装置中，在进行布线方面还存在改善的余地。

3、鉴于上述情况，本公开的一个课题在于提供一种半导体装置，即使是某个电极(例如驱动信号的输入电极)朝向下方时，也能够容易地进行向该电极的布线。

4、用于解决课题的手段

5、本公开的半导体装置具有：第一半导体元件，其具有第一电极、第二电极以及第三电极，并根据输入到所述第三电极的第一驱动信号对所述第一电极和所述第二电极之间进行导通截止控制；第一导通部件，其与所述第三电极接合；第一连接部件，其与所述第一导通部件接合。所述第一半导体元件具有：第一主面以及第一背面，它们在所述第一半导体元件的厚度方向上分离。在所述第一主面形成有所述第二电极以及所述第三电极，在所述第一背面形成有所述第一电极。所述第一导通部件具有：第一接合面以及第二接合面，其分别在所述厚度方向上朝向与所述第一背面相同的方向，且相互分离；凹面，其以所述第一接合面以及所述第二接合面为基准在所述厚度方向上凹陷。所述第一接合面与所述第三电极接合，所述第二接合面与所述第一连接部件接合，且在所述厚度方向上观察时不与所述第一半导体元件重叠。

6、发明效果

7、根据上述结构，在半导体装置中，能够容易地对驱动信号的输入电极进行布线，其中，驱动信号用于进行半导体元件的导通截止控制。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，

16.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，

17.根据权利要求12～16中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

技术总结
一种半导体装置，具有：半导体元件、导通部件以及连接部件。所述半导体元件具有形成有第一电极的背面、以及形成有第二电极和第三电极的主面。所述背面和所述主面在z方向上相互分离。根据输入到所述第三电极的驱动信号，对所述第一电极和所述第二电极之间进行导通截止控制。所述导通部件具有分别朝向与所述背面相同的方向的第一接合面以及第二接合面。所述第一接合面与所述第三电极接合。所述第二接合面配置为与所述连接部件接合且在所述z方向上观察时不与所述半导体元件重叠。

技术研发人员：伊势幸太
受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13