本发明涉及一种集成电路和高频模块。
背景技术:
1、在便携式电话等移动通信设备中,特别是伴随多频段化的进展,构成高频前端电路的电路元件的配置结构变得复杂化。
2、在专利文献1的高频模块中,通过在配置在封装基板上的功率放大器的上方层叠控制器来实现高频模块的小型化。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1:美国专利申请公开第2017/0338847号说明书
技术实现思路
1、发明要解决的问题
2、然而,在上述以往技术中,存在如下情况:层叠在功率放大器上的电气电路(控制器)被由功率放大器产生的热所加热,从而电气电路的特性劣化。
3、因此,本发明提供一种能够有助于高频模块的小型化、且能够抑制因热引起的电气电路的特性的劣化的集成电路和高频模块。
4、用于解决问题的方案
5、本发明的一个方式所涉及的集成电路具备:第一基材,该第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成,在该第一基材形成有电气电路;第二基材,该第二基材的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率低的热导率的第二半导体材料构成,在该第二基材形成有功率放大电路;以及低热导构件,该低热导构件的至少一部分由具有比第二半导体材料的热导率低的热导率的低热导材料构成,该低热导构件配置于电气电路与功率放大电路之间,其中,在俯视视图中,第一基材的至少一部分与第二基材的至少一部分重叠。
6、本发明的一个方式所涉及的集成电路具备:第一基材,该第一基材的至少一部分由硅或氮化镓构成,在该第一基材形成有电气电路;第二基材,该第二基材的至少一部分由砷化镓或硅锗构成,在该第二基材形成有功率放大电路;以及低热导构件,该低热导构件的至少一部分由玻璃或环氧树脂构成,该低热导构件配置于电气电路与功率放大电路之间,其中,在俯视视图中,第一基材的至少一部分与第二基材的至少一部分重叠。
7、本发明的一个方式所涉及的集成电路具备:第一基材,该第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成,在该第一基材形成有电气电路;以及第二基材,该第二基材的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率低的热导率的第二半导体材料构成,在该第二基材形成有功率放大电路,其中,在第一基材的内部形成有位于电气电路与功率放大电路之间的空隙部,在俯视视图中,第一基材的至少一部分与第二基材的至少一部分重叠。
8、本发明的一个方式所涉及的集成电路具备:第一基材,该第一基材的至少一部分由硅或氮化镓构成,在该第一基材形成有电气电路;以及第二基材,该第二基材的至少一部分由砷化镓或硅锗构成,在该第二基材形成有功率放大电路,其中,在第一基材的内部形成有位于电气电路与功率放大电路之间的空隙部,在俯视视图中,第一基材的至少一部分与第二基材的至少一部分重叠。
9、发明的效果
10、根据本发明的一个方式所涉及的集成电路,能够有助于高频模块的小型化、且能够抑制因热引起的功率放大电路的特性的劣化。
1.一种集成电路,具备:
2.根据权利要求1所述的集成电路,其中,
3.根据权利要求1或2所述的集成电路,其中,
4.根据权利要求3所述的集成电路,其中,
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的集成电路,其中,
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的集成电路,其中,
7.根据权利要求1~6中的任一项所述的集成电路,其中,
8.根据权利要求1~7中的任一项所述的集成电路,其中,
9.一种集成电路,具备:
10.一种集成电路,具备:
11.根据权利要求10所述的集成电路,其中,
12.根据权利要求10或11所述的集成电路,其中,
13.根据权利要求10~12中的任一项所述的集成电路,其中,
14.根据权利要求13所述的集成电路,其中,
15.根据权利要求10~14中的任一项所述的集成电路,其中,
16.根据权利要求10~15中的任一项所述的集成电路,其中,
17.根据权利要求10~16中的任一项所述的集成电路,其中,
18.根据权利要求10~17中的任一项所述的集成电路,其中,
19.一种集成电路,具备:
20.一种高频模块,具备: