基板处理方法与流程

本发明关于一种基板处理方法，特别系关于一种用于将形成在基板上的氧化物膜移除的基板处理方法。

背景技术：

1、一般来说，系藉由在基板上以薄膜形式沉积各种材料并接着将薄膜图案化，来制造半导体组件或显示设备。

2、然而，当基板暴露于大气并同时为了各个制程而移动时，自然氧化物膜会因氧气或水气而形成在基板的表面上。因为自然氧化物膜具有不完美的结晶性(crystallinity)，所以自然氧化物膜的薄膜质量比由热氧化形成的氧化硅膜的薄膜质量还差，而造成各种缺陷，如半导体组件或显示设备的连接不稳定及线路阻抗。

3、通常，会在独立的装置中进行湿式清洗制程以将自然氧化物膜移除。并且，已经过清洗制程的基板会被传送到基板处理设备，且会在基板上进行如薄膜沉积的基板处理制程。然而，当自然氧化物膜在独立的装置中被移除以进行湿式清洗制程时，会因为高价格装置的添加而使生产成本增加。并且，因为自然氧化物膜会在已经进行过清洗制程的基板被传送时再次形成在基板的表面上，所以可能无法有效地移除自然氧化物膜。

4、(相关技术文件)

5、(专利文件1)kr10-2010-0112888a

技术实现思路

1、技术问题

2、本发明提供一种能有效移除形成在基板上的氧化物膜的基板处理方法。

3、技术手段

4、根据一示例性实施例，处理被装载至腔体中的基板的基板处理方法包含：将含氮气体供应至设置于腔体之外的等离子体产生器的内部空间、在内部空间中激发含氮气体、将含氢气体供应至内部空间，以及将含氢气体以及在内部空间中被激发的含氮气体供应至基板上。

5、含氮气体可包含氮气(n2)以及氨气(nh3)其中至少一者。

6、含氢气体可包含氢气(h2)。

7、含氢气体的供应可为将含氢气体供应至被激发的含氮气体被移动到腔体中所经过的路径上。

8、被供应至内部空间的含氢气体至少有部分于被激发的含氮气体被移动到腔体中所经过的路径上被激发。

9、将气体供应到基板上可为同时将被激发的含氮气体以及含氢气体供应至基板上。

10、基板处理方法可更包含使含氮气体以及含氢气体能与形成在基板上的氧化物膜反应以移除氧化物膜。

11、基板处理方法可更包含将含氟气体供应至内部空间。

12、含氟气体可包含氟气(f2)、氢氟酸气体(hf)及三氟化氮气体(nf3)其中至少一者。

13、含氟气体的供应可为将含氟气体供应至含氢气体被移动到腔体所经过的路径上。

14、有利功效

15、根据一示例性实施例的基板处理方法可藉由将含氢气体以及在设置于腔体之外的等离子体产生器中被激发的含氮气体供应到基板上，而快速地移除形成在基板上的自然氧化物膜并减少制程时间。

16、并且，因为藉由使用被激发的含氮气体供应的含氢气体有至少一部分被激发，所以可产生与形成在基板上的自然氧化物膜反应的制程气体，以有效地移除形成在基板上的自然氧化物膜。

技术特征：

1.一种基板处理方法，处理被装载到一腔体中的一基板，包含：

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中该含氮气体包含氮气(n2)以及氨气(nh3)其中至少一者。

3.如权利要求1所述的基板处理方法，其中该含氢气体包含氢气(h2)。

4.如权利要求1所述的基板处理方法，其中该含氢气体的供应为将该含氢气体供应至被激发的该含氮气体被移动到该腔体中所经过的路径上。

5.如权利要求1所述的基板处理方法，其中被供应至该内部空间的该含氢气体至少有部分于被激发的该含氮气体被移动到该腔体中所经过的路径上被激发。

6.如权利要求1所述的基板处理方法，其中将气体供应到该基板上为同时将被激发的该含氮气体以及该含氢气体供应至该基板上。

7.如权利要求1所述的基板处理方法，更包含使该含氮气体以及该含氢气体能与形成在该基板上的一氧化物膜反应以移除该氧化物膜。

8.如权利要求1所述的基板处理方法，更包含将一含氟气体供应至该内部空间。

9.如权利要求8所述的基板处理方法，其中该含氟气体包含氟气(f2)、氢氟酸气体(hf)及三氟化氮气体(nf3)其中至少一者。

10.如权利要求8所述的基板处理方法，其中该含氟气体的供应为将该含氟气体供应至该含氢气体被移动到该腔体所经过的路径上。

技术总结
本发明关于一种基板处理方法，特别系一种用于移除形成在基板上的氧化物膜的基板处理方法。根据一示例性实施例，处理被装载至腔体中的基板的基板处理方法包含：将含氮气体供应至设置于腔体之外的等离子体产生器之内部空间、在内部空间中激发含氮气体、将含氢气体供应至内部空间，以及将含氢气体以及在内部空间中被激发的含氮气体供应至基板上。

技术研发人员：金智勋
受保护的技术使用者：周星工程股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14