具有半导体氧化物晶体管的显示器电路的制作方法

背景技术：

1、本公开整体涉及具有显示器的电子设备，并且更具体地，涉及用于显示器诸如有机发光二极管(oled)显示器的显示驱动器电路。

2、电子设备通常包括显示器。例如，蜂窝电话和便携式计算机通常包括用于向用户呈现图像内容的显示器。oled显示器具有基于发光二极管的显示器像素阵列。在这种类型的显示器中，每个显示器像素都包括发光二极管和用于控制数据信号施加到发光二极管以产生光的相关联的薄膜晶体管。设计显示器像素可能是具有挑战性的。

技术实现思路

1、电子设备可包括具有显示器像素阵列的显示器。显示器像素可以是有机发光二极管显示器像素。每个显示器像素可至少包括发射光的有机发光二极管(oled)以及被优化以提供不同的设备特性的相关联的半导体氧化物晶体管。

2、根据一些实施方案，提供了一种显示器，该显示器包括衬底层；第一半导体氧化物层，该第一半导体氧化物层形成在该衬底层之上；第二半导体氧化物层，该第二半导体氧化物层形成在该衬底层之上以及栅极导体层。该阵列中的该像素中的至少一个像素可包括：第一半导体氧化物晶体管，该第一半导体氧化物晶体管具有由该第一半导体氧化物层的一部分形成的有源区，并且具有由该栅极导体层的第一部分形成的栅极端子；以及第二半导体氧化物晶体管，该第二半导体氧化物晶体管具有由该第二半导体氧化物层的一部分形成的有源区，并且具有由该栅极导体的第二部分形成的栅极端子。该第一半导体氧化物层可以是第一半导体材料，而该第二半导体氧化物层可以是与该第一半导体材料不同的第二半导体材料。

3、该显示器还可包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，该第二栅极绝缘层形成在该第一栅极绝缘层之上，其中该第一栅极绝缘层的第一部分插置在该第一半导体氧化物晶体管的该有源区和该栅极端子之间，该第二栅极绝缘层的第一部分插置在该第一半导体氧化物晶体管的该有源区和该栅极端子之间，该第一栅极绝缘层的第二部分形成在该第二半导体氧化物晶体管的该有源区下方，并且该第二栅极绝缘层的第二部分插置在该第二半导体氧化物晶体管的该有源区和该栅极端子之间。该显示器还可包括导电层，该导电层位于该衬底层和该第一半导体氧化物层之间，其中该导电层的第一部分形成在该第一半导体氧化物晶体管的该有源区下方，并且该导电层的第二部分形成在该第二半导体氧化物晶体管的该有源区下方。

4、根据一些实施方案，提供了一种形成显示器的方法，该方法包括：获得衬底层；在该衬底层之上形成第一半导体氧化物层；在形成该第一半导体氧化物层之后在该衬底层之上形成第二半导体氧化物层；以及在该第二半导体氧化物层之上形成栅极导体层。该显示器可包括：第一半导体氧化物晶体管，该第一半导体氧化物晶体管具有由该第一半导体氧化物层的一部分形成的有源区，并且具有由该栅极导体层的第一部分形成的栅极端子；以及第二半导体氧化物晶体管，该第二半导体氧化物晶体管具有由该第二半导体氧化物层的一部分形成的有源区，并且具有由该栅极导体的第二部分形成的栅极端子。该第一半导体氧化物层可任选地在第一沉积条件下由第一半导体材料形成，而该第二半导体氧化物层可任选地在与该第一沉积条件不同的第二沉积条件下由第二半导体材料(该第二半导体材料可与该第一半导体材料不同)形成。

5、根据一些实施方案，提供了一种装置，该装置包括：第一半导体氧化物晶体管，该第一半导体氧化物晶体管形成在衬底上，该第一半导体氧化物晶体管具有由第一氧化物半导体形成以提供第一设备特性的第一有源区；以及第二半导体氧化物晶体管，该第二半导体氧化物晶体管形成在该衬底上，该第二半导体氧化物晶体管具有由与该第一氧化物半导体不同的第二氧化物半导体形成以提供与该第一设备特性不同的第二设备特性的第二有源区。该装置还可包括第三半导体氧化物晶体管，该第三半导体氧化物晶体管形成在该衬底上，该第三半导体氧化物晶体管具有由与该第一氧化物半导体和该第二氧化物半导体不同的第三氧化物半导体形成以提供与该第一设备特性和该第二设备特性不同的第三设备特性的第三有源区。该第二有源区也可包括该第一氧化物半导体。该第一半导体氧化物晶体管可包括第一栅极导体和在该第一栅极导体和该第一有源区之间的第一数量的栅极绝缘层。该第二半导体氧化物晶体管可包括第二栅极导体和在该第二栅极导体和该第二有源区之间的与该第一数量的栅极绝缘层不同的第二数量的栅极绝缘层。

技术特征：

1.一种具有像素阵列的显示器，包括：

2.根据权利要求1所述的显示器，其中：

3.根据权利要求1所述的显示器，其中：

4.根据权利要求1所述的显示器，还包括：

5.根据权利要求1所述的显示器，还包括：

6.根据权利要求5所述的显示器，还包括：

7.根据权利要求5所述的显示器，还包括：

8.根据权利要求1所述的显示器，还包括：

9.根据权利要求1所述的显示器，还包括：

10.根据权利要求1所述的显示器，还包括：

11.根据权利要求1所述的显示器，其中所述第二半导体氧化物晶体管的所述有源区包括所述第一半导体氧化物层的另外的部分。

12.根据权利要求1所述的显示器，还包括：

13.根据权利要求1所述的显示器，其中所述栅极导体层位于所述第一半导体氧化物层和所述第二半导体氧化物层下方。

14.根据权利要求1所述的显示器，其中：

15.一种形成显示器的方法，包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其中：

17.根据权利要求15所述的方法，其中：

18.根据权利要求15所述的方法，还包括：

19.根据权利要求15所述的方法，其中形成所述第二半导体氧化物层包括直接在所述第一半导体氧化物层上形成所述第二半导体氧化物层。

20.根据权利要求15所述的方法，还包括：

21.根据权利要求15所述的方法，还包括：

22.一种装置，包括：

23.根据权利要求22所述的装置，还包括：

24.根据权利要求22所述的装置，还包括：

25.根据权利要求22所述的装置，其中所述第二有源区还包括所述第一氧化物半导体。

26.根据权利要求22所述的装置，其中：

27.根据权利要求22所述的装置，其中：

28.根据权利要求22所述的装置，其中：

技术总结
一种显示器可包括像素阵列。该阵列中的每个像素包括耦接到相关联半导体氧化物晶体管的有机发光二极管。这些半导体氧化物晶体管可表现出不同的设备特性。这些半导体氧化物晶体管中的一些半导体氧化物晶体管可使用利用第一加工步骤由第一半导体氧化物材料形成的第一氧化物层形成，而其他半导体氧化物晶体管使用利用与该第一加工步骤不同的第二加工步骤由第二半导体氧化物材料形成的第二氧化物层形成。该显示器可包括在不同加工步骤期间形成的三个或更多个不同的半导体氧化物层。

技术研发人员：黄戎岩,小野晋也,林敬伟,A·马祖泰拉,胡晟民,张志榜,庄景桑,周智薰,张钧杰,叶博纯,张世昌,刘豫文,李志瑙
受保护的技术使用者：苹果公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14