本发明涉及一种半导体装置的制造方法。
背景技术：
1、以低功耗和高速读写为特征的非易失性存储器作为新一代存储器备受关注。例如，已知有相变化内存(pcm：phase change memory)、磁阻式随机存取内存(mram：magnetoresistive random access memory)、可变电阻式内存(reram：resistive randomaccess memory)等。非易失性存储器不耐热，在安装时的回流焊接工序中暴露于高温环境时的品质维持成为课题。
2、针对该课题，例如专利文献1中公开了一种非易失性半导体存储装置，其具备：mram芯片；外围器，覆盖mram芯片的一部分或全部，具有防止存储层的磁化的热波动的绝热区域。
3、以往技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2014-36192号公报
技术实现思路
1、发明要解决的技术课题
2、本发明的目的在于，提供一种能够保护半导体装置不受回流焊接工序中的热的影响的新的方法。
3、用于解决技术课题的手段
4、本发明的一侧面为半导体装置的制造方法，其包括如下工序：在半导体装置上配置胶黏性的绝热材料；对配置有绝热材料的半导体装置进行回流焊接；从半导体装置剥离绝热材料。
5、该制造方法中，在配置有绝热材料的状态下将半导体装置供于回流焊接工序，因此能够保护半导体装置不受回流焊接工序中的热的影响。另外，上述的专利文献1中公开的半导体装置作为构成要素之一而具备绝热区域，因此在回流焊接工序后该装置也成为包括绝热区域的状态，相对于此，在该制造方法中，使用胶黏性的绝热材料，在回流焊接工序后从半导体装置剥离该绝热材料。从半导体装置的小型化、设计自由度的提高等观点而言，回流焊接工序后在装置内还残留绝热材料是不优选的，但通过在回流焊接工序后剥离绝热材料，能够消除这样的问题。
6、绝热材料可以满足下述式(a)。
7、f1＞f2…(a)
8、式中，f1表示将绝热材料在220℃下加热120秒后的绝热材料的胶接力，f2表示将绝热材料在260℃下加热30秒后的绝热材料的胶接力。
9、f1及f2可以看作分别相当于回流焊接工序中及回流焊接工序后的绝热材料的胶接力。即，在绝热材料满足式(a)的情况下，由于回流焊接工序中绝热材料的胶接力相对较大，因此绝热材料容易附着在半导体装置上，能够更适宜地保护半导体装置不受热的影响的同时，由于回流焊接工序后绝热材料的胶接力相对较小，能够更容易从半导体装置剥离绝热材料。
10、绝热材料可以满足下述式(b)。
11、f0≤f1…(b)
12、式中，f0表示在25℃下的绝热材料的胶接力，f1表示将绝热材料在220℃下加热120秒后的绝热材料的胶接力。
13、f0及f1可以看作分别相当于回流焊接工序前(例如将绝热材料配置在半导体装置的工序)及回流焊接工序中的绝热材料的胶接力。即，在绝热材料满足式(b)的情况下，回流焊接工序前(例如将绝热材料配置在半导体装置的工序)，由于绝热材料的胶接力较小，因此绝热材料的容易处理，在回流焊接工序中，由于绝热材料的胶接力较大，因此绝热材料容易附着在半导体装置上，能够更适宜地保护半导体装置不受热的影响。
14、绝热材料可以含有基质聚合物和热膨胀性的中空粒子。此时，能过热膨胀性的中空粒子在回流焊接工序中膨胀，在回流焊接工序后绝热材料与半导体装置之间的界面密合性会下降。因此，回流焊接工序后，能够容易地从半导体装置剥离绝热材料。
15、在配置绝热材料的工序中，可以配置预先成形为片状的所述绝热材料。此时，在赋予隔热材料的面积较大的情况下，能够容易地一次性配置绝热材料。
16、在配置绝热材料的工序中，可以将液状的绝热材料前驱体配置在半导体装置上，然后使绝热材料前驱体固化。能过使用液状的绝热材料前驱体，即使在应配置绝热材料的场所狭小或具有复杂的形状的情况下，也能够容易地配置绝热材料。
17、发明效果
18、根据本发明，可提供一种能够保护半导体装置不受回流焊接工序中的热的影响的新的方法。
1.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，