半导体装置的制作方法

本发明涉及半导体装置。

背景技术：

1、当前，在半导体装置设置有作为外部电极的端子，该端子的一端部与电路图案接合，另一端部与外部设备连接。就这样的半导体装置而言，存在如下问题，即，在电路图案与端子之间的接合面积小的情况下，在电路图案与端子之间的接合部位流过的电流的电流密度变高，在流通大电流时该接合部位局部地发热，由此半导体装置的寿命下降。

2、例如，在专利文献1中公开了如下构造，为了使电极与配线图案(相当于电路图案)之间的接合面积增加，在电极的一端部设置有三角形的一对弯折部分，一对弯折部分以相对于接合面而直立设置的方式弯折。

3、专利文献1：日本实开平02-077870号公报

4、在专利文献1所记载的技术中，一对弯折部分的下端在与配线图案抵接的状态下接合，因此接合面以一对弯折部分的下端的面积的量增加。但是，由于一对弯折部分的下端的面积窄，所以接合面的增加量少，因此，对配线图案与电极之间的接合部位的发热进行抑制的效果不充分。

技术实现思路

1、因此，本发明的目的在于，提供能够抑制流通大电流时的电路图案与端子之间的接合部位的发热的半导体装置。

2、本发明涉及的半导体装置具有：电路基板，其具有在上表面搭载半导体元件的电路图案；以及作为外部电极的端子，其一端部与所述电路图案接合，另一端部与外部设备连接，所述端子具有：在俯视观察时呈矩形形状的电极接合部，其下表面通过接合材料与所述电路图案接合；主配线部，其从所述电极接合部的第1边直立设置状地设置；以及一对副配线部，其从所述主配线部的宽度方向的两端沿所述电极接合部的与所述第1边相邻的第2边及第3边延伸，一对所述副配线部的下端部凸出至比所述电极接合部的下表面更靠下方处，一对所述副配线部的下端部与所述电极接合部的下表面一起通过所述接合材料与所述电路图案接合。

3、发明的效果

4、根据本发明，除了由接合材料实现的电路图案与电极接合部之间的接合以外，一对副配线部的下端部在凸出至比电极接合部的下表面更靠下方的状态下通过接合材料与电路图案接合，因此，与一对副配线部的下端通过接合材料与电路图案接合的情况相比，电路图案与端子之间的接合面积增加。由此，能够抑制流通大电流时的电路图案与端子之间的接合部位的发热。

5、本发明的目的、特征、方案及优点通过以下的详细说明和附图变得更清楚。

技术特征：

1.一种半导体装置，其具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，

技术总结
目的在于提供能够抑制流通大电流时的电路图案与端子之间的接合部位的发热的半导体装置。半导体装置具备电路基板(1)和端子(3)，该电路基板(1)具有电路图案(2)。端子(3)具有在俯视观察时呈矩形形状的电极接合部(4)、主配线部(5)和一对副配线部(6)。电极接合部(4)的下表面通过接合材料(8)与电路图案(2)接合。主配线部(5)从电极接合部(4)的边(4a)直立设置状地设置。一对副配线部(6)从主配线部(5)的宽度方向的两端沿电极接合部(4)的与边(4a)相邻的边(4b)、(4c)延伸。一对副配线部的下端部(6)凸出至比电极接合部(4)的下表面更靠下方处。一对副配线部(6)的下端部与电极接合部(4)的下表面一起通过接合材料(8)与电路图案(2)接合。

技术研发人员：中原贤太
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16