基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序与流程

本发明涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序。

背景技术：

1、在半导体器件的制造工序中的基板的热处理中，例如使用纵型基板处理装置。在纵型基板处理装置中，利用基板保持件而将多个基板排列且保持于垂直方向，并将基板保持件搬入至处理室内。其后，在加热处理室的状态下将处理气体导入至处理室内，而对基板进行薄膜形成处理。例如被记载于专利文献1。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2008-172204号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、本发明提供一种能够使基板加热的均匀性提升的技术。

3、用于解决课题的方案

4、根据本发明的一方案，提供一种技术，其具备：反应管，其具备突出部，且对基板进行处理；第一加热部，其加热反应管；第二加热部，其加热突出部；以及绝热部件，其设置于上述突出部。

5、发明效果

6、根据本发明，能够使基板加热的均匀性提升。

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

9.一种程序，其特征在于，利用计算机使基板处理装置执行以下步骤：