封装结构及其制法的制作方法

本发明有关一种半导体封装制程，尤指一种封装结构及其制法。

背景技术：

1、目前高阶电子产品，如高效能运算(high performance computing，简称hpc)产品、人工智能(ai)产品、5g通讯产品、汽车(automotive)等，除了走向更高门槛的硅节点(si-node)设计外，先进封装制程也是目前的主流趋势。

2、然而，现有硅穿孔(through silicon via，简称tsv)相关封装技术大多由高阶前端晶圆厂开发设计，而后端的委外半导体封测代工厂(outsourced semiconductorassembly and testing，简称osat)只能采用高阶前端晶圆厂供料的方式制作tsv。

3、对于osat而言，若欲自行开发相关封装技术，当制作良率不高而无法符合量产需求时，将因不良品比例过高，而导致无法获利，致使相关封装技术无法突破瓶颈。

4、因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成为目前业界亟待克服的课题。

技术实现思路

1、有鉴于现有技术的问题，本发明提供一种封装结构及其制法，可利于提升产品良率。

2、本发明的封装结构，包括：第一中介板，其具有相对的第一表面与第二表面及多个连通该第一表面与该第二表面的第一导电柱，其中，该第一中介板定义有置晶区及堆叠区，以令该多个第一导电柱对应布设于该堆叠区内，且该第一导电柱于该堆叠区上形成有对应的多个电性接触垫；以及电子元件，其设于该第一中介板的该第一表面的该置晶区上。

3、本发明还提供一种封装结构的制法，包括：提供一半导体基材，其具有相对的第一侧与第二侧，以于该半导体基材中形成多个连通该第一侧与该第二侧的穿孔；于该多个穿孔中形成多个第一导电柱，以令该半导体基材及该多个第一导电柱作为第一中介板，其中，该第一中介板具有相对的第一表面与第二表面，且定义有一置晶区及一环绕该置晶区的堆叠区，以令该多个第一导电柱对应布设于该堆叠区内并连通该第一表面与该第二表面，且该第一导电柱于该堆叠区上更形成有对应的多个电性接触垫；以及将电子元件设于该第一中介板的该第一表面的该置晶区上。

4、前述的封装结构及其制法中，更包括提供一第二中介板，并将该第二中介板堆叠于该第一中介板的该第一表面的该堆叠区上，以令该电子组件位于该第一中介板与该第二中介板之间的空间中。，该第二中介板嵌埋有多个第二导电柱，以令该多个第二导电柱经由导电元件对接该多个第一导电柱。例如，该堆叠区位于该置晶区的至少两侧，且该置晶区布设有多个焊垫，以令该电子元件经由多个导电凸块接合于该多个焊垫上。

5、前述的封装结构及其制法中，该制法更包括于相对于该第一中介板的该第二表面的一侧提供一承载基板，该承载基板配置有另一电子元件，且该另一电子元件位于该第一中介板与该承载基板之间的空间中。

6、由上可知，本发明的封装结构及其制法，主要经由低成本的tsv制程制作该第一中介板与第二中介板，且以技术成熟性高的覆晶方式进行该些中介板与电子元件的堆叠封装，以利于提升良率，因而能大幅降低该封装结构的制作成本，故对于osat而言，无需自行开发复杂的tsv封装技术，即可达到良率标准，以符合量产需求。

7、再者，本发明的tsv制程于该半导体基材上制作，故可压缩制作时间并控制良率，以大幅提升生产效率。

技术特征：

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该封装结构更包括第二中介板，该第二中介板堆叠于该第一中介板的该第一表面的该堆叠区上，以令该电子元件位于该第一中介板与该第二中介板之间的空间中。

3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，该第二中介板嵌埋有多个第二导电柱，以令该多个第二导电柱经由导电元件对接该多个第一导电柱。

4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该堆叠区位于该置晶区的至少两侧，且该置晶区布设有多个焊垫，以令该电子元件经由多个导电凸块接合于该多个焊垫上。

5.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该封装结构更包括承载基板，该承载基板配置有另一电子元件，且该另一电子元件位于该第一中介板与该承载基板之间的空间中。

6.一种封装结构的制法，其特征在于，包括：

7.如权利要求6所述的封装结构的制法，其特征在于，该制法更包括提供一第二中介板，并将该第二中介板堆叠于该第一中介板的该第一表面的该堆叠区上，以令该电子组件位于该第一中介板与该第二中介板之间的空间中。

8.如权利要求7所述的封装结构的制法，其特征在于，该第二中介板嵌埋有多个第二导电柱，以令该多个第二导电柱经由导电元件对接该多个第一导电柱。

9.如权利要求6所述的封装结构的制法，其特征在于，该堆叠区位于该置晶区的至少两侧，且该置晶区布设有多个焊垫，以令该电子元件经由多个导电凸块接合于该多个焊垫上。

10.如权利要求6所述的封装结构的制法，其特征在于，该制法更包括于相对于该第一中介板的该第二表面的一侧提供一承载基板，该承载基板配置有另一电子元件，且该另一电子元件位于该第一中介板与该承载基板之间的空间中。

技术总结
本发明涉及一种封装结构及其制法，包括将多个具有导电柱的硅中介板相互堆叠，且于任两硅中介板之间以覆晶方式配置有至少一电子元件，使该电子元件位于两硅中介板所夹置的空间中，以经由低成本的TSV制程制作该硅中介板，且以技术成熟性高的覆晶方式进行该些硅中介板与电子元件的堆叠封装，以利于提升良率，同时大幅降低该封装结构的制作成本。

技术研发人员：黄吉廷
受保护的技术使用者：青岛新核芯科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13