半导体的圆弧面形成方法与流程

本发明涉及微电子，尤其涉及一种半导体的圆弧面形成方法。

背景技术：

1、在微电子行业中，有时候需要半导体本身产生微形变，例如圆弧型，而现在的加工方法通常是用半球型的研磨盘，或是用激光轰击表面，从而制造出圆弧型表面。但是，上述两种方法的效率均比较低下，难以满足大批量加工的需求。

技术实现思路

1、本发明实施例提供一种半导体的圆弧面形成方法，能够高效地使半导体形成圆弧面。

2、本发明一实施例提供一种半导体的圆弧面形成方法，包括：

3、将半导体以需要形成弧度的一面朝下放置在工作台上；

4、控制金刚石划线机在所述一面的反面做纵向划线操作，以使所述一面形成远离所述半导体的中心方向的纵向弧度；

5、控制金刚石划线机在所述一面的反面做横向划线操作，以使所述一面形成远离所述半导体的中心方向的横向弧度。

6、作为上述方案的改进，所述金刚石划线机的刀头直径为1mm。

7、作为上述方案的改进，所述金刚石划线机的刀头的倾斜角度为30-45°。

8、作为上述方案的改进，在做所述纵向划线操作的过程中，划线深度为0.1-0.2mm，划线长度为0.8-1.2mm。

9、作为上述方案的改进，在做所述纵向划线操作的过程中，所述金刚石划线机的气动系统的气压为350-450mpa。

10、作为上述方案的改进，所述纵向弧度为6-26nm。

11、作为上述方案的改进，在做所述横向划线操作的过程中，划线深度为0.05-0.10mm，划线长度为0.3-0.5mm。

12、作为上述方案的改进，在做所述横向划线操作的过程中，所述金刚石划线机的气动系统的气压为150-300mpa。

13、作为上述方案的改进，所述横向弧度为5.5-6.5nm。

14、作为上述方案的改进，所述纵向划线操作和所述横向划线操作的划线中心为所述反面的中心对称点。

15、实施本发明实施例，具有如下有益效果：

16、通过将半导体以需要形成弧度的一面朝下放置在工作台上，再控制金刚石划线机在需要形成弧度的一面的反面分别做纵向划线操作和横向划线操作，能够使得半导体受内应力作用产生形变，从而在需要形成弧度的一面形成远离半导体的中心方向的纵向弧度和横向弧度。

技术特征：

1.一种半导体的圆弧面形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体的圆弧面形成方法，其特征在于，所述金刚石划线机的刀头直径为1mm。

3.如权利要求1所述的半导体的圆弧面形成方法，其特征在于，所述金刚石划线机的刀头的倾斜角度为30-45°。

4.如权利要求1所述的半导体的圆弧面形成方法，其特征在于，在做所述纵向划线操作的过程中，划线深度为0.1-0.2mm，划线长度为0.8-1.2mm。

5.如权利要求4所述的半导体的圆弧面形成方法，其特征在于，在做所述纵向划线操作的过程中，所述金刚石划线机的气动系统的气压为350-450mpa。

6.如权利要求4所述的半导体的圆弧面形成方法，其特征在于，所述纵向弧度为6-26nm。

7.如权利要求1所述的半导体的圆弧面形成方法，其特征在于，在做所述横向划线操作的过程中，划线深度为0.05-0.10mm，划线长度为0.3-0.5mm。

8.如权利要求7所述的半导体的圆弧面形成方法，其特征在于，在做所述横向划线操作的过程中，所述金刚石划线机的气动系统的气压为150-300mpa。

9.如权利要求8所述的半导体的圆弧面形成方法，其特征在于，所述横向弧度为5.5-6.5nm。

10.如权利要求1所述的半导体的圆弧面形成方法，其特征在于，所述纵向划线操作和所述横向划线操作的划线中心为所述反面的中心对称点。

技术总结
本发明公开了一种半导体的圆弧面形成方法，包括：将半导体以需要形成弧度的一面朝下放置在工作台上；控制金刚石划线机在所述一面的反面做纵向划线操作，以使所述一面形成远离所述半导体的中心方向的纵向弧度；控制金刚石划线机在所述一面的反面做横向划线操作，以使所述一面形成远离所述半导体的中心方向的横向弧度。采用本发明实施例能够高效地使半导体形成圆弧面。

技术研发人员：黄海冰
受保护的技术使用者：东莞新科技术研究开发有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14