电子元件的封装结构的制造方法与流程

本揭露涉及一种封装结构的制造方法，尤其涉及一种电子元件的封装结构的制造方法。

背景技术：

1、在制造电子元件的过程中，由于用于形成电子元件的封装结构的不同材料具有不同的物理性质(例如热膨胀系数)，进而导致制造出的封装结构易产生翘曲，其应用于电子元件时将易导致此电子元件中的电路结构短路和/或讯号传输异常，而使得制造出的电子元件的可靠度以及电性下降。

技术实现思路

1、本揭露提供一种电子元件的封装结构的制造方法，其制造出的封装结构应用电子元件中时，此电子元件可具有经提升的可靠度和/或电性。

2、根据本揭露的一些实施例提供的封装结构的制造方法，其包括以下步骤。首先，提供载板，其中载板包括复合结构且具有彼此相对的第一表面以及第二表面。接着，在载板的第一表面上形成抗翘曲结构。之后，在载板的第二表面上形成重布线结构。

3、根据本揭露的另一些实施例提供的封装结构的制造方法，其包括以下步骤。首先，提供载板。接着，在载板上形成囊封结构，囊封结构包括半导体芯片以及囊封层且具有彼此相对的第三表面以及第四表面，其中半导体芯片靠近载板的表面上设置有连接垫，且囊封层暴露出半导体芯片，其中囊封结构的第三表面面对载板。之后，在囊封结构的第四表面上形成抗翘曲结构。再来，移除载板。然后，在囊封结构的第三表面上形成重布线结构。

4、为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

技术特征：

1.一种电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于,所述载板包含第一基板、第二基板以及黏着层，其中所述第一基板与所述第二基板通过所述黏着层彼此接合。

3.根据权利要求2所述的电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于，所述抗翘曲结构具有的热膨胀系数大于所述第一基板具有的热膨胀系数。

4.根据权利要求3所述的电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于，所述抗翘曲结构具有的热膨胀系数大于或等于30ppm/k且小于或等于180ppm/k，且所述第一基板具有的热膨胀系数大于或等于3ppm/k且小于或等于12ppm/k。

5.根据权利要求1所述的电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于，所述抗翘曲结构包括具有环氧基团的有机化合物。

6.根据权利要求1所述的电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于，在所述载板的所述第二表面上形成所述重布线结构包括进行以下步骤：

7.根据权利要求1所述的电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于，在所述载板的所述第二表面上形成所述重布线结构之前，还包括进行以下步骤：

8.一种电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于，所述抗翘曲结构具有的热膨胀系数大于或等于30ppm/k且小于或等于180ppm/k，且所述载板具有的热膨胀系数大于或等于3ppm/k且小于或等于12ppm/k。

10.根据权利要求8所述的电子元件的封装结构的制造方法，其特征在于，所述抗翘曲结构包括具有环氧基团的有机化合物。

技术总结
本揭露提供一种电子元件的封装结构的制造方法，包括以下步骤。首先，提供载板，其中载板包括复合结构且具有彼此相对的第一表面以及第二表面。接着，在载板的第一表面上形成抗翘曲结构。之后，在载板的第二表面上形成重布线结构。本揭露实施例的电子元件的封装结构的制造方法制造出的封装结构应用于电子元件时，可使此电子元件具有经提升的可靠度和/或电性。

技术研发人员：王程麒,李建锋,樊光明
受保护的技术使用者：群创光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14