半导体装置的制作方法

实施方式涉及一种半导体装置。

背景技术：

1、一直以来，已知有设定了二极管区域以及igbt(insulated gate bipolartransistor)区域的rc-igbt(reverse conducting-igbt)。在rc-igbt中，能够使从igbt区域的发射极侧朝向集电极侧的回流电流流向二极管区域。

技术实现思路

1、实施方式提供一种能够降低损失的半导体装置。

2、实施方式的半导体装置是设定有二极管区域以及igbt区域的半导体装置。上述半导体装置具备：第1电极，设置在上述二极管区域以及上述igbt区域；第1半导体层，在上述二极管区域中设置在上述第1电极上，包括在沿着上述第1电极的上表面的第1方向上交替地排列的第1导电形的多个第1半导体部分以及第2导电形的多个第2半导体部分；上述第2导电形的第2半导体层，在上述igbt区域中设置在上述第1电极上；上述第1导电形的第3半导体层，在上述二极管区域中设置在上述第1半导体层上，在从上述第1电极朝向上述第1半导体层的第2方向上上述第3半导体层的杂质浓度成为最大的第1位置，与第3位置相同或者比上述第3位置靠下方，上述第3位置是从上述第1电极的上表面分离在上述第2方向上上述第1半导体部分的杂质浓度成为最大的第2位置与上述第3半导体层的下端之间的距离的3倍长度的位置；上述第1导电形的第4半导体层，在上述二极管区域中设置在上述第3半导体层上，在上述igbt区域中设置在比上述第2半导体层靠上方的位置；上述第2导电形的第5半导体层，在上述二极管区域以及上述igbt区域中设置在上述第4半导体层上；上述第1导电形的第6半导体层，在上述igbt区域中设置在上述第5半导体层的上层部；第2电极，在上述igbt区域中从上述第6半导体层朝向上述第4半导体层延伸，并与上述第6半导体层、上述第5半导体层以及上述第4半导体层相邻；第3电极，在上述二极管区域中设置在上述第5半导体层上，在上述igbt区域中设置在上述第6半导体层上；以及绝缘膜，设置在上述第2电极与上述第3电极之间、上述第2电极与上述第6半导体层之间、上述第2电极与上述第5半导体层之间以及上述第2电极与上述第4半导体层之间。

技术特征：

1.一种半导体装置，设定有二极管区域以及igbt区域，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

9.一种半导体装置，设定有二极管区域以及igbt区域，具备：

技术总结
本发明提供一种半导体装置，能够减少损失。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第1半导体层，设置在二极管区域，包括在沿着第1电极的上表面的第1方向上交替地排列的第1导电形的多个第1半导体部分以及第2导电形的多个第2半导体部分；上述第2导电形的第2半导体层，设置在IGBT区域；以及上述第1导电形的第3半导体层，设置在上述第1半导体层上，在从上述第1电极朝向上述第1半导体层的第2方向上杂质浓度成为最大的第1位置，与第3位置相同或者比上述第3位置靠下方，该第3位置是在上述第2方向上从上述第1电极的上表面分离了上述第1半导体部分的杂质浓度成为最大的第2位置与下端之间的距离的3倍长度的位置。

技术研发人员：松下宪一,北川光彦
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13