一种半导体改变型变的方法与流程

本发明涉及半导体加工，特别是涉及一种半导体改变型变的方法。

背景技术：

1、目前，随着半导体科技的日新月异的进步，对于半导体加工的要求越来越高。传统的加工工艺包括切割晶圆，使晶圆变成独立的芯片，然而，随着芯片越来越薄，晶圆上芯片的密度越来越高，芯片之间的切割位置也越来越窄，因而，在切割的过程中，芯片受应力的影响会出现变型，经过测量，该型变可以造成10-15um的高度差异，从而影响其内部集成电路的工作性能。

技术实现思路

1、本发明实施例的目的是提供一种半导体改变型变的方法，其能够实现芯片分割，并且减小芯片应力。

2、为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种半导体改变型变的方法，包括：

3、采用离子刻蚀减薄半导体晶圆的背面；

4、对减薄后的半导体晶圆涂覆光刻胶，以在半导体晶圆的正面形成掩蔽图形，所述半导体晶圆的未被所述掩蔽图形掩蔽的区域为待腐蚀区域；

5、将形成掩蔽图形的半导体晶圆放入腐蚀槽进行腐蚀，以去除所述待腐蚀区域，形成多个芯片；

6、去除芯片上的光刻胶。

7、作为优选方案，所述采用离子刻蚀减薄半导体晶圆的背面，具体包括：

8、采用sf6和c4f8气体并通过离子刻蚀工艺减薄半导体晶圆的背面。

9、作为优选方案，sf6的气体流量为1300～1450sccm，c4f8的气体流量为1000～1200sccm，腔室温度10～15摄氏度，腔室压强为30～70mtorr，源功率为1200～1500w，偏置功率为40～45w。

10、作为优选方案，减薄深度为600微米～700微米。

11、作为优选方案，在所述步骤将形成掩蔽图形的半导体晶圆放入腐蚀槽进行腐蚀，以去除所述待腐蚀区域中，腐蚀液为硝酸：冰乙酸：60％浓度氢氟酸＝5：3：2，溶液浓度为30-50％。

12、作为优选方案，腐蚀的温度控制在23℃～25℃，腐蚀时间为80～120秒。

13、作为优选方案，在所述去除所述芯片上的光刻胶之后，还包括：

14、清洗所述芯片。

15、作为优选方案，所述清洗所述芯片，具体包括：

16、用去离子水冲洗芯片；

17、将芯片置于加热的氨水、双氧水和去离子水的混合液中浸泡；

18、用去离子水冲洗芯片并甩干芯片；

19、烘干芯片。

20、作为优选方案，氨水、双氧水和去离子水的混合液中的配比为氨水：双氧水：去离子水＝1:1:5，混合液温度为49-51℃。

21、作为优选方案，烘干时间为29-31小时，烘干温度为119-121℃。

22、相比于现有技术，本发明实施例的有益效果在于：本发明实施例提供了一种半导体改变型变的方法，先采用离子刻蚀减薄半导体晶圆的背面，再对减薄后的半导体晶圆涂覆光刻胶，以在半导体晶圆的正面形成掩蔽图形，所述半导体晶圆的未被所述掩蔽图形掩蔽的区域为待腐蚀区域，然后将形成掩蔽图形的半导体晶圆放入腐蚀槽进行腐蚀，以去除所述待腐蚀区域，形成多个芯片，接着去除芯片上的光刻胶，这样，通过离子刻蚀和湿法刻蚀工艺，实现了芯片分割，并且减小了芯片应力。

技术特征：

1.一种半导体改变型变的方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体改变型变的方法，其特征在于，所述采用离子刻蚀减薄半导体晶圆的背面，具体包括：

3.如权利要求2所述的半导体改变型变的方法，其特征在于，sf6的气体流量为1300～1450sccm，c4f8的气体流量为1000～1200sccm，腔室温度10～15摄氏度，腔室压强为30～70mtorr，源功率为1200～1500w，偏置功率为40～45w。

4.如权利要求2所述的半导体改变型变的方法，其特征在于，减薄深度为600微米～700微米。

5.如权利要求1-4任一项所述的半导体改变型变的方法，其特征在于，在所述步骤将形成掩蔽图形的半导体晶圆放入腐蚀槽进行腐蚀，以去除所述待腐蚀区域中，腐蚀液为硝酸：冰乙酸：60％浓度氢氟酸＝5：3：2，溶液浓度为30-50％。

6.如权利要求5所述的半导体改变型变的方法，其特征在于，腐蚀的温度控制在23℃～25℃，腐蚀时间为80～120秒。

7.如权利要求1-4任一项所述的半导体改变型变的方法，其特征在于，在所述去除所述芯片上的光刻胶之后，还包括：

8.如权利要求7所述的半导体改变型变的方法，其特征在于，所述清洗所述芯片，具体包括：

9.如权利要求8所述的半导体改变型变的方法，其特征在于，氨水、双氧水和去离子水的混合液中的配比为氨水：双氧水：去离子水＝1:1:5，混合液温度为49-51℃。

10.如权利要求8所述的半导体改变型变的方法，其特征在于，烘干时间为29-31小时，烘干温度为119-121℃。

技术总结
本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种半导体改变型变的方法，先采用离子刻蚀减薄半导体晶圆的背面，再对减薄后的半导体晶圆涂覆光刻胶，以在半导体晶圆的正面形成掩蔽图形，所述半导体晶圆的未被所述掩蔽图形掩蔽的区域为待腐蚀区域，然后将形成掩蔽图形的半导体晶圆放入腐蚀槽进行腐蚀，以去除所述待腐蚀区域，形成多个芯片，接着去除芯片上的光刻胶，这样，通过离子刻蚀和湿法刻蚀工艺，实现了芯片分割，并且减小了芯片应力。

技术研发人员：邹兴富
受保护的技术使用者：东莞新科技术研究开发有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15