一种高性能MnBi磁体的制备方法与流程

文档序号:30563847发布日期:2022-06-29 04:19阅读:413来源:国知局
一种高性能MnBi磁体的制备方法与流程
一种高性能mnbi磁体的制备方法
技术领域
1.本发明涉及一种高性能mnbi磁体的制备方法,属于永磁材料领域。


背景技术:

2.近年来,稀土永磁材料的巨大需求导致稀土资源的过度消耗,新型低稀土或低稀土永磁材料成为研究热点,mnbi合金作为一种新型的无稀土永磁材料,具有较高的矫顽力,适中的饱和磁化强度及磁能积,且在一定范围内具有正矫顽力温度系数,成为中高温应用的潜在永磁材料。
3.但是目前传统表面涂敷的方法,由于扩散深度不足,进一步提高锰铋磁体性能非常困难。本发明采用的工艺方法工艺简单,成本低。bii3的沸点大约是580
º
c,在预烧过程中随着温度的升高,bii3升华成气体,bii3分子在mnbi中形成网状通道结构,有效的提高了重稀土元素的掺杂效率,提高了磁体的磁晶各向异性,从而提高mnbi磁体的矫顽力和最大磁能积,与发明专利(cn202011322861.3一种激光脉冲穿孔辅助扩散高矫顽力钕铁硼的制备方法和cn202011320872.8一种高矫顽力高磁能积扩散钐铁氮磁体的制备方法,)激光烧蚀形成的三维扩散通道相比,本发明扩散通道在磁体内部形成网状结构,扩散效率更高,同时相比与激光扩散,对磁体的损害更小,技术更加简单,利于工业化生产。


技术实现要素:

4.本发明的目的是为克服现有技术的不足,提供一种高性能mnbi磁体的制备方法,具体制备包括如下步骤:1)配料阶段:按一定化学计量比称取一定量永磁体原材料粉末,加入适量bii3粉末,将混合粉末在磁场中取向成型,得到mnbi磁体生坯;2)预烧阶段:将mnbi磁体生坯在一定温度条件下进行真空预烧,形成内部具有网状通道结构的磁体;3)涂敷阶段:将一定量的重稀土元素粉末加入到有机溶剂中,形成混合溶液,将预烧完成的mnbi磁体浸没到混合溶液中,取出后放入真空烘箱中,干燥,反复3-5次,形成重稀土元素元素涂敷的mnbi磁体;4)烧结扩散阶段:将涂敷得到的磁体在氩气保护和强磁场下热处理,得到mnbi复合永磁磁体。
5.具体的,步骤(1)所述的永磁体化学式为mnbi,mnbi粉末中mn元素的原子含量为40 at%~60 at%,bii3在磁体中所占质量分数为0.1~3 wt%,将mnbi磁粉在2~10t磁场下充分取向并压制成型,所述的坯体的大小为直径5~50mm,厚度为1~10cm。
6.具体的,步骤(2)所述的预烧真空度为10-5
~10-3 pa,预烧温度为560~600℃,时间为2~3 h,bii3挥发,在磁体内部形成网状通道。
7.具体的,步骤(3)所述的重稀土金属为dy、tb、gd、ho元素的一种或多种,有机溶剂为丙酮或者乙醇溶液,所述真空烘箱的温度为100~150oc,单次烘干时间为20~30分钟。
8.具体的,步骤(4)所述的强磁场为3~12t,热处理温度为250~400℃,热处理时间为2~5h。
9.与现有技术相比较,具有如下优势:(1)本发明工艺简单,成本低,易操作;(2)bii3升华法在磁体内部形成网状通道,极大得提高了稀土元素的掺杂效果;(3)稀土元素进入内部和晶界,提高了磁体的矫顽力和最大磁能积。
附图说明
10.图1 锰铋磁体的传统扩散工艺和本发明的网状扩散工艺。
11.图2 扩散工艺(对比例1、例2)得到的mnbi磁体的磁性能。
具体实施方式
12.下面结合具体实施方式及对比例对本发明作进一步阐述。
13.实施例1:一种高性能mnbi磁体的制备方法,包括以下步骤:步骤(1)配料阶段:按原子比mn:bi=51:49称取mn和bi金属粉末,加入质量分数占比为磁体粉末0.5%的bii3粉末,在3t磁场下充分取向并压制成直径为25mm,厚度为5cm的mnbi生坯;步骤(2)预烧阶段:将mnbi生坯在真空度为10-4
pa进行预烧,预烧温度为580℃,时间为2.5 h,形成内部具有网状通道结构的磁体;步骤(3)涂敷阶段:将mnbi磁体浸没到dy粉和乙醇形成的扩散源溶液,取出后放入温度为150℃的真空烘箱中,干燥,反复4次,单词烘干时间为30分钟;步骤(4)烧结扩散阶段:在氩气保护和强磁场下(6t)下,热处理5 h,温度为300℃,得到高性能mnbi磁体。
14.比较例1:制备步骤同实施例1,区别在于步骤(1)中,即没有加入bii3粉末,将扩散源涂敷在mnbi磁体表面进行扩散,如图1所示,图2为两种扩散工艺扩散得到磁体的磁性能。
15.实施例2:步骤(1)配料阶段:按原子比mn:bi=55:45称取mn和bi金属粉末,加入质量分数占比为磁体粉末1%的bii3粉末,在4t磁场下充分取向并压制成直径为30mm,厚度为6cm的mnbi生坯;步骤(2)预烧阶段:将mnbi生坯在真空度为10-5
pa进行预烧,预烧温度为590℃,时间为3 h,形成内部具有网状通道结构的磁体;步骤(3)涂敷阶段:将mnbi磁体浸没到tb粉和丙酮形成的扩散源溶液,取出后放入温度为120℃的真空烘箱中,干燥,反复5次,单词烘干时间为30分钟;步骤(4)烧结扩散阶段:在氩气保护和强磁场下(8t)下,热处理4 h,温度为280℃,得到高性能mnbi磁体。
16.比较例2:制备步骤同实施例2,区别在于步骤(1)中,即没有加入bii3粉末,将扩散源涂敷在mnbi磁体表面进行扩散。


技术特征:
1.一种高性能mnbi磁体的制备方法,其特征在于包括如下步骤:1)配料阶段:按一定化学计量比称取永磁体原材料粉末,加入适量bii3粉末,将混合粉末在磁场中取向成型,得到mnbi磁体生坯;2)预烧阶段:将mnbi磁体生坯在一定温度条件下进行真空预烧,形成内部具有网状通道结构的磁体;3)涂敷阶段:将一定量的重稀土元素粉末加入到有机溶剂中,形成混合溶液,将预烧完成的mnbi磁体浸没到混合溶液中,取出后放入真空烘箱中,干燥,反复3-5次,形成重稀土元素元素涂敷的mnbi磁体;4)烧结扩散阶段:将涂敷得到的磁体在氩气保护和强磁场下热处理,得到mnbi复合永磁磁体。2.根据权利要求1所述的制备方法,步骤(1)所述的永磁体化学式为mnbi,mnbi粉末中mn元素的原子含量为40 at%~60 at%,bii3在磁体中所占质量分数为0.1~3 wt%,将mnbi磁粉在2~10t磁场下充分取向并压制成型,所述的坯体的大小为直径5~50mm,厚度为1~10cm。3.根据权利要求1所述的制备方法,步骤(2)所述的预烧真空度为10-5
~10-3 pa,预烧温度为560~600℃,时间为2~3 h,bii3挥发,在磁体内部形成网状通道。4.根据权利要求1所述的制备方法,步骤(3)所述的重稀土金属为dy、tb、gd、ho元素的一种或多种,有机溶剂为丙酮或者乙醇溶液,所述真空烘箱的温度为100~150
o
c,单次烘干时间为20~30分钟。5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于步骤(4)所述的强磁场为3~12t,热处理温度为250~400℃,热处理时间为2~5h。

技术总结
本发明公开了一种高性能MnBi磁体的制备方法,包括以下步骤:按一定化学计量比称取一定量永磁体原材料粉末,加入适量BiI3粉末,将混合粉末在磁场中取向成型,得到MnBi磁体生坯;将MnBi磁体生坯在一定温度条件下进行真空预烧,形成内部具有网状通道结构的磁体;将一定量的重稀土元素粉末加入到有机溶剂中,形成混合溶液,将预烧完成的MnBi磁体浸没到混合溶液中,取出后放入真空烘箱中,反复干燥;将涂敷得到的磁体在氩气保护和强磁场下热处理,得到MnBi复合永磁磁体。该制备方法工艺简单,成本低,易操作。BiI3升华法在磁体内部形成网状通道,极大得提高了稀土元素的掺杂效果,提高了磁体的磁晶各向异性。稀土元素进入内部和晶界,提高了磁体的矫顽力和最大磁能积。提高了磁体的矫顽力和最大磁能积。提高了磁体的矫顽力和最大磁能积。


技术研发人员:吴琼 杨杭福 泮敏翔 俞能君 葛洪良
受保护的技术使用者:杨杭福
技术研发日:2022.04.20
技术公布日:2022/6/28
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