覆晶封装方法及其芯片与流程

本发明是关于一种覆晶封装方法及其芯片，尤其是以芯片的复合式凸块接合于基板的覆晶封装方法。

背景技术：

1、请参阅图1，现有习知的一种覆晶封装构造10，其是借由异方性导电膜(anisotropic conductive film；acf)11中的多个导电粒子12电性连接芯片13的多个凸块14及基板15的多个接垫16，然而由于所述导电粒子12接触所述凸块14及所述接垫16的面积较小，因此会增加该芯片13与该基板15间的阻抗(electrical impedance)，进而影响该覆晶封装10的效能及可靠度。

技术实现思路

1、本发明的主要目的是在提供一种覆晶封装方法及其芯片，以降低芯片与基板之间的阻抗。

2、本发明的一种覆晶封装方法，包含提供基板、提供芯片及进行接合制程，该基板具有多个接垫，该该芯片包含载体、多个焊垫、保护层及多个复合式凸块，所述焊垫设置于该载体，该保护层覆盖该载体的表面，该保护层具有多个开口，各该开口显露出各该焊垫，各该复合式凸块电性连接对应的该各该焊垫，各该复合式凸块具有至少一个垫高件、一个凸块下金属层及一个接合层，该垫高件为非导电元件，该凸块下金属层覆盖该垫高件，该凸块下金属层与该焊垫电性连接，该接合层覆盖该凸块下金属层，并与该凸块下金属层电性连接，位于该垫高件上方的该接合层具有朝向该基板的预接合面，在该接合制程中，该芯片以所述复合式凸块接合该基板的所述接垫，各该复合式凸块以该接合层的该预接合面接触各该接垫，使该接合层于该接垫形成接合面，并使该接合面的面积大于该预接合面的面积。

3、较佳地，在该接合制程前，将非导电薄膜(non-conductive.film；ncf)设置于该基板与该芯片之间，在该接合制程中，所述复合式凸块刺穿该非导电薄膜，并使各该接合层的该预接合面接触各该接垫，并持续施压该基板与该芯片，使该非导电薄膜填充于该基板与该芯片之间，并使该非导电薄膜密封所述复合式凸块。

4、较佳地，该垫高件设置于该保护层。

5、较佳地，该垫高件设置于该焊垫，使各该复合式凸块凸设于各该焊垫上。

6、较佳地，沿着垂直该载体的垂直轴方向，该垫高件为锥体，且各该复合式凸块为锥体。

7、较佳地，沿着该表面的轴线方向，该垫高件为肋条，该开口具有第一宽度，该垫高件具有第二宽度，该第二宽度不小于该第一宽度，位于该垫高件上的该凸块下金属层具有第三宽度，该第三宽度不大于该第二宽度。

8、较佳地，位于该凸块下金属层上的该接合层形成为接合肋，沿着该轴线方向，该接合肋具有第四宽度，该第四宽度不小于该凸块下金属层的该第三宽度。

9、较佳地，沿着该轴线方向，相邻的各该复合式凸块的各该垫高件相连接。

10、较佳地，沿着该载体的该表面的轴线方向，该垫高件为肋条，该垫高件横跨于该开口。

11、较佳地，相邻的各该复合式凸块的该垫高件相连接。

12、较佳地，设置于该保护层上的各该垫高件朝该开口方向延伸，使得位于该垫高件上的该凸块下金属层及该接合层朝该开口方向延伸，且该垫高件上的该凸块下金属层包覆该垫高件，该接合层包覆该凸块下金属层。

13、本发明的一覆晶封装的芯片包含载体、多个焊垫、保护层及多个复合式凸块，该载体具有表面，所述焊垫设置于该载体，该保护层覆盖该表面，该保护层具有多个开口，各该开口显露出各该焊垫，各该复合式凸块电性连接对应的该各该焊垫，各该复合式凸块具有至少一个垫高件、一个凸块下金属层及一个接合层，该垫高件为非导电元件，该凸块下金属层覆盖该垫高件，该凸块下金属层与该焊垫电性连接，该接合层覆盖该凸块下金属层，并与该凸块下金属层电性连接，该接合层用以与基板的接垫电性连接。

14、较佳地，该垫高件设置于该保护层。

15、较佳地，该垫高件设置于该焊垫，使各该复合式凸块凸设于各该焊垫上。

16、较佳地，沿着垂直该载体的垂直轴方向，该垫高件为锥体，且各该复合式凸块为锥体，该垫高件上的该凸块下金属层包覆该垫高件，该接合层包覆该凸块下金属层。

17、较佳地，沿着该载体的该表面的轴线方向，该垫高件为肋条，该开口具有第一宽度，该垫高件具有第二宽度，该第二宽度不小于该第一宽度，位于该垫高件上的该凸块下金属层具有第三宽度，该第三宽度不大于该第二宽度。

18、较佳地，位于该凸块下金属层上的该接合层形成为接合肋，沿着该轴线方向，该接合肋具有第四宽度，该第四宽度不小于该凸块下金属层的该第三宽度。

19、较佳地，沿着该轴线方向，相邻的各该复合式凸块的各该垫高件相连接。

20、较佳地，沿着该载体的该表面的轴线方向，该垫高件为肋条，该垫高件横跨于该开口。

21、较佳地，相邻的各该复合式凸块的该垫高件相连接。

22、较佳地，设置于该保护层上的各该垫高件朝向该开口方向延伸，使得位于该垫高件上的该凸块下金属层及该接合层朝向该开口方向延伸，且该垫高件上的该凸块下金属层包覆该垫高件，该接合层包覆该凸块下金属层。

23、本发明借由所述复合式凸块接合所述接垫，且在该接合制程中，使各该复合式凸块的该接合层接触各该接垫的该接合面大于在该接合制程前的该接合层的该预接合面，以在形成该覆晶封装后增加该复合式凸块与该接垫的接合面积，以降低该芯片与该基板间的阻抗，以避免影响该覆晶封装的效能及可靠度。

技术特征：

1.一种覆晶封装方法，其特征在于，包含：

2.根据权利要求1所述的覆晶封装方法，其特征在于，在该接合制程前，将非导电薄膜设置于该基板与该芯片之间，在该接合制程中，所述复合式凸块刺穿该非导电薄膜，并使各该接合层的该预接合面接触各该接垫，并持续施压该基板与该芯片，使该非导电薄膜填充于该基板与该芯片之间，并使该非导电薄膜密封所述复合式凸块。

3.根据权利要求1所述的覆晶封装方法，其特征在于，该垫高件设置于该保护层。

4.根据权利要求1所述的覆晶封装方法，其特征在于，该垫高件设置于该焊垫，使各该复合式凸块凸设于各该焊垫上。

5.根据权利要求3或4所述的覆晶封装方法，其特征在于，沿着垂直该载体的垂直轴方向，该垫高件为锥体，且各该复合式凸块为锥体。

6.根据权利要求3所述的覆晶封装方法，其特征在于，沿着该表面的轴线方向，该垫高件为肋条，该开口具有第一宽度，该垫高件具有第二宽度，该第二宽度不小于该第一宽度，位于该垫高件上的该凸块下金属层具有第三宽度，该第三宽度不大于该第二宽度。

7.根据权利要求6所述的覆晶封装方法，其特征在于，位于该凸块下金属层上的该接合层形成为接合肋，沿着该轴线方向，该接合肋具有第四宽度，该第四宽度不小于该凸块下金属层的该第三宽度。

8.根据权利要求7所述的覆晶封装方法，其特征在于，沿着该轴线方向，相邻的各该复合式凸块的各该垫高件相连接。

9.根据权利要求4所述的覆晶封装方法，其特征在于，沿着该载体的该表面的轴线方向，该垫高件为肋条，该垫高件横跨于该开口。

10.根据权利要求9所述的覆晶封装方法，其特征在于，相邻的各该复合式凸块的该垫高件相连接。

11.根据权利要求3所述的覆晶封装方法，其特征在于，设置于该保护层上的各该垫高件朝该开口方向延伸，使得位于该垫高件上的该凸块下金属层及该接合层朝该开口方向延伸，且该垫高件上的该凸块下金属层包覆该垫高件，该接合层包覆该凸块下金属层。

12.一种覆晶封装的芯片，其特征在于，包含：

13.根据权利要求12所述的覆晶封装的芯片，其特征在于，该垫高件设置于该保护层。

14.根据权利要求12所述的覆晶封装的芯片，其特征在于，该垫高件设置于该焊垫，使各该复合式凸块凸设于各该焊垫上。

15.根据权利要求13或14所述的覆晶封装的芯片，其特征在于，沿着垂直该载体的垂直轴方向，该垫高件为锥体，且各该复合式凸块为锥体，该垫高件上的该凸块下金属层包覆该垫高件，该接合层包覆该凸块下金属层。

16.根据权利要求13所述的覆晶封装的芯片，其特征在于，沿着该载体的该表面的轴线方向，该垫高件为肋条，该开口具有第一宽度，该垫高件具有第二宽度，该第二宽度不小于该第一宽度，位于该垫高件上的该凸块下金属层具有第三宽度，该第三宽度不大于该第二宽度。

17.根据权利要求16所述的覆晶封装的芯片，其特征在于，位于该凸块下金属层上的该接合层形成为接合肋，沿着该轴线方向，该接合肋具有第四宽度，该第四宽度不小于该凸块下金属层的该第三宽度。

18.根据权利要求17所述的覆晶封装的芯片，其特征在于，沿着该轴线方向，相邻的各该复合式凸块的各该垫高件相连接。

19.根据权利要求14所述的覆晶封装的芯片，其特征在于，沿着该载体的该表面的轴线方向，该垫高件为肋条，该垫高件横跨于该开口。

20.根据权利要求19所述的覆晶封装的芯片，其特征在于，相邻的各该复合式凸块的该垫高件相连接。

21.根据权利要求13所述的覆晶封装的芯片，其特征在于，设置于该保护层上的各该垫高件朝向该开口方向延伸，使得位于该垫高件上的该凸块下金属层及该接合层朝向该开口方向延伸，且该垫高件上的该凸块下金属层包覆该垫高件，该接合层包覆该凸块下金属层。

技术总结
一种覆晶封装方法及其芯片，在接合制程中，芯片以多个复合式凸块接合于基板的多个接垫，该复合式凸块具有垫高件、凸块下金属层及接合层，在该接合制程前，该接合层具有朝向该基板的预接合面，在该接合制程中，以该预接合面接合于该接垫，使该接合层于该接垫形成接合面，并使该接合面的面积大于该预接合面的面积，以降低该芯片与该基板间的阻抗。

技术研发人员：吴非艰,吴圣仁,叶学舜
受保护的技术使用者：颀邦科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15