封装结构及其制备方法与流程

本申请涉及元件封装领域，具体涉及一种封装结构的制备方法及封装结构。

背景技术：

1、现有的芯片封装采用集成型扇型封装，然而集成型扇形封装技术需要至少三次回流焊处理，多次回流焊会造成封装结构中的电路板产生变形，因此，造成封装结构良率较低，成本较高。

技术实现思路

1、鉴于此，本申请提供一种减少回流焊过程的封装结构的制备方法以及通过该方法得到的封装结构。

2、本申请提供的一种封装结构的制备方法，包括：

3、提供一第一载板，所述第一载板包括在第一方向上依次叠设的第一外侧线路层和第二外侧线路层，所述第一外侧线路层和所述第二外侧线路层电连接；

4、在所述第一外侧线路层上形成至少两个第一导电柱，至少两个所述第一导电柱在沿与所述第一方向垂直的第二方向上依次排列，每一所述第一导电柱包括第一端面、与所述第一端面相对的第二端面以及连接于所述第一端面和所述第二端面之间的侧面，所述侧面包覆有第一绝缘层，所述第一绝缘层暴露所述第二端面，所述第一端面与所述第一外侧线路层电连接，相邻的两个所述第一导电柱之间形成容置槽；

5、所述容置槽内放置内埋元件并形成绝缘胶层，所述绝缘胶层用于将所述内埋元件固定于所述容置槽内；

6、在包含所述第一导电柱的所述第一绝缘层上形成第二载板，所述第二载板包括在所述第一方向上依次叠设的第三外侧线路层和第四外侧线路层，所述第三外侧线路层与所述第二端面及所述内埋元件电连接，所述第四外侧线路层与所述第三外侧线路层电连接；以及

7、将第一外封装元件和所述第二外封装元件分别通过焊料与所述第二外侧线路层和所述第四外侧线路层连接并进行回流焊，从而得到所述封装结构。

8、可选地，形成所述第一导电柱和所述容置槽的步骤包括：

9、在所述第一外侧线路层上压合第二绝缘层；

10、在所述第二绝缘层中形成至少两个第二开孔，所述第二开孔沿所述第一方向延伸并且暴露所述第一外侧线路层；

11、所述第二开孔内形成所述第一导电柱；以及

12、在相邻的两个所述第一导电柱间开设所述容置槽，在所述第二方向上，所述容置槽与所述第一导电柱间隔设置。

13、可选地，形成所述绝缘胶层的步骤包括：

14、将绝缘胶覆盖在包含所述第一导电柱的所述第一绝缘层上，并压合所述绝缘胶以使其填充在所述容置槽内；

15、移除部分所述绝缘胶以暴露所述第二端面，所述容置槽内的所述绝缘胶形成所述绝缘胶层。

16、可选地，形成所述第二载板的步骤包括：

17、在所述绝缘胶层上开设第一开孔；

18、所述第一开孔内形成第二导电柱，所述第二导电柱和所述内埋元件电连接；

19、在所述绝缘胶层上形成所述第三外侧线路层；以及

20、在所述第三外侧线路层上形成所述第四外侧线路层。

21、可选地，形成所述第三外侧线路层和所述第四外侧线路层的步骤包括：

22、在所述第一开孔内电镀金属层，所述金属层还覆盖所述绝缘胶层和包含所述第一导电柱的所述第一绝缘层上；

23、蚀刻位于所述绝缘胶层和包含所述第一导电柱的所述第一绝缘层上的所述金属层，从而制备成所述第三外侧线路层，位于所述第一开孔内的所述金属层形成第二导电柱；

24、在所述第三外侧线路层上压合单面覆金属板，所述单面覆金属板包括在所述第一方向上叠设的第一基材层和金属箔，所述金属箔远离所述第三外侧线路层设置；

25、蚀刻所述金属箔，从而制成所述第四外侧线路层。

26、可选地，所述第二开孔通过镭射形成。

27、本申请还提供了一种封装结构，包括第一载板，所述第一载板包括在第一方向上依次叠设的第一外侧线路层和第二外侧线路层，所述第一外侧线路层和所述第二外侧线路层电连接；

28、所述第一外侧线路层上沿与所述第一方向垂直的第二方向依次排列有至少两个第一导电柱，每一所述第一导电柱包括第一端面、与所述第一端面相对的第二端面以及连接于所述第一端面和所述第二端面之间的侧面，所述侧面包覆第一绝缘层，所述第一绝缘层暴露所述第二端面，所述第一端面与所述第一外侧线路层电连接，相邻的两个所述第一导电柱之间形成容置槽；

29、所述容置槽内设置有内埋元件，所述内埋元件通过绝缘胶层与所述第一绝缘层固定连接；

30、所述封装结构还包括第二载板，所述第二载板设于包含所述第一导电柱的所述第一绝缘层上，所述第二载板包括在所述第一方向上依次叠设的第三外侧线路层和第四外侧线路层，所述第三外侧线路层分别与所述第二端面和所述第四外侧线路层电连接，所述第二载板还包括第二导电柱，所述第二导电柱穿过所述绝缘胶层电连接所述第三外侧线路层和所述内埋元件；

31、所述封装结构还包括第一外封装元件、第二外封装元件、第一焊球和第二焊球，所述第一焊球电连接所述第一外封装元件和所述第二外侧线路层，所述第二焊球电连接所述第四外侧线路层和所述第二外封装元件。

32、可选地，所述第一载板还包括位于所述第一外侧线路层和所述第二外侧线路层之间的至少一第一中间线路层，所述第一中间线路层与所述第一外侧线路层和所述第二外侧线路层分别电连接。

33、可选地，所述第二载板还包括位于所述第三外侧线路层和所述第四外侧线路层之间的至少一第二中间线路层，所述第二中间线路层与所述第三外侧线路层和所述第四外侧线路层分别电连接。

34、可选地，在所述第二方向上，所述第一外侧线路层和所述第二外侧线路层的线宽大于所述第三外侧线路层和所述第四外侧线路层的线宽。

35、相比于现有技术，本申请通过在第一载板上直接形成第一导电柱以形成容置槽，并且通过在容置槽的一侧形成第二载板和通过两次回流焊技术将第一外封装元件和第二外封装元件与第二外侧线路层和第四外侧线路层电连接，实现内埋元件的封装，减少元件封装过程的流焊步骤，减少封装结构因多次流焊产生的裂痕，提高封装结构的良率。另外第一导电柱与第一外侧线路层直接连接的方式比通过焊球连接的方式具有更高的结合力，提高所述封装结构的可靠度。

技术特征：

1.一种封装结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，形成所述第一导电柱和所述容置槽的步骤包括：

3.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，形成所述绝缘胶层的步骤包括：

4.根据权利要求1所述的封装结构的制备方法，其特征在于，形成所述第二载板的步骤包括：

5.根据权利要求4所述的封装结构的制备方法，其特征在于，形成所述第三外侧线路层和所述第四外侧线路层的步骤包括：

6.根据权利要求2所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述第二开孔通过镭射形成。

7.一种封装结构，其特征在于，包括第一载板，所述第一载板包括在第一方向上依次叠设的第一外侧线路层和第二外侧线路层，所述第一外侧线路层和所述第二外侧线路层电连接；

8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述第一载板还包括位于所述第一外侧线路层和所述第二外侧线路层之间的至少一第一中间线路层，所述第一中间线路层与所述第一外侧线路层和所述第二外侧线路层分别电连接。

9.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述第二载板还包括位于所述第三外侧线路层和所述第四外侧线路层之间的至少一第二中间线路层，所述第二中间线路层与所述第三外侧线路层和所述第四外侧线路层分别电连接。

10.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，在所述第二方向上，所述第一外侧线路层和所述第二外侧线路层的线宽大于所述第三外侧线路层和所述第四外侧线路层的线宽。

技术总结
本申请提出封装结构的制备方法，包括：提供一个包括电连接的第一外侧线路层和第二外侧线路层的第一载板；形成至少两个包覆第一绝缘层的第一导电柱，第一导电柱与第一外侧线路层电连接，两个第一导电柱之间形成容置槽；通过绝缘胶层将内埋元件固定于容置槽内；形成第二载板，第二载板包括电连接的第三外侧线路层和第四外侧线路层，第三外侧线路层与第一导电柱和内埋元件电连接；将第一外封装元件和所述第二外封装元件分别通过焊料与第二外侧线路层和第四外侧线路层连接并进行回流焊得到封装结构。减少流焊步骤，提高良率和可靠度。本申请还提供了封装结构。

技术研发人员：傅志杰,林原宇,李泽杰
受保护的技术使用者：宏启胜精密电子（秦皇岛）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16