一种半导体封装结构及其封装方法与流程

本申请涉及半导体的，尤其涉及一种半导体封装结构及其封装方法。

背景技术：

1、半导体是一种导电能力介于导体与非导体之间的材料，半导体元件根据半导体材料的特性，属于固态元件，其体积可以缩小到很小的尺寸，因此耗电量少，集成度高，在电子技术领域获得了广泛的应用。

2、市面上有些半导体产品需要焊接地线，这些产品的地线和芯片通常是作业在同一平面上，由于结合材本身化学成分扩散性及材料的流动性，在施加结合材时结合材容易流动到地线焊接区域上，进而污染地线焊接区域造成虚焊、焊接强度不足等焊接不良现象，最终降低了产品良率。

技术实现思路

1、本发明实施例的目的在于：提供一种半导体封装结构及其封装方法，其能够解决现有技术中存在的上述问题。

2、为达上述目的，本申请采用以下技术方案：

3、一方面，提供一种半导体封装结构，包括：

4、引线框架，包括芯片支架和引脚，所述芯片支架包括芯片支撑部和位于所述芯片支撑部周部的地线焊接部，所述芯片支撑部具有芯片接合面，所述地线焊接部具有地线接合面，所述芯片接合面和所述地线接合面位于所述引线框架的同一侧，所述芯片接合面相对所述地线接合面下沉，且所述芯片支撑部和所述地线焊接部的厚度相同；

5、芯片和结合材，所述芯片通过所述结合材粘接于所述芯片接合面上，且所述结合材远离所述芯片接合面的一面不高于所述地线接合面。

6、可选的，所述地线接合面位于所述地线焊接部远离所述芯片支撑部的端部，所述地线接合面与所述芯片支撑部之间设有隔断孔。

7、可选的，所述地线焊接部包括连接臂和焊接臂，所述地线接合面位于所述焊接臂，所述连接臂的两端分别连接所述芯片支撑部和所述焊接臂，所述隔断孔形成于所述焊接臂与所述芯片支撑部之间。

8、可选的，所述芯片支架具有相对的第一侧部和第二侧部，所述第一侧部和所述第二侧部分别设置有所述地线焊接部。

9、可选的，所述芯片支架位于所述第一侧部外侧以及位于所述第二侧部外侧分别设有所述引脚，所述芯片与所述引脚之间通过管脚引线电性连接；所述地线焊接部上设有用于避让所述管脚引线的隔断缝。

10、可选的，所述芯片接合面相对所述地线接合面下沉从而形成存胶槽，所述存胶槽的侧壁为竖直面、倾斜面或者阶梯面。

11、可选的，所述存胶槽的侧壁为二级阶梯面。

12、可选的，所述存胶槽的侧壁为三级以上阶梯面。

13、另一方面，提供一种上述半导体封装结构的封装方法，包括步骤：

14、s1.制备引线框架；

15、s2.通过结合材将芯片粘接于芯片支撑部上；

16、s3.通过地线将芯片和地线焊接部键合，通过管脚引线将芯片和引脚键合；

17、s4.对完成焊接的引线框架和芯片的结合体进行塑封。

18、可选的，上述步骤s1包括：冲压引线框架的芯片支撑部使芯片接合面相对地线接合面下沉。

19、或，冲压所述引线框架的地线焊接部，使所述地线焊接部凸出于芯片接合面，进而实现所述芯片接合面相对地线接合面下沉。

20、本申请的有益效果为：本发明提供了一种半导体封装结构及其封装方法，该结构中，引线框架的芯片接合面相对地线接合面下沉，从而地线焊接部形成了一圈阻挡结合材的围坝，施加到芯片支撑部上的结合材不会流动到地线接合面上，从而避免了结合材溢出而导致地线接合面被污染的问题，进而减少了虚焊、焊接强度不足等焊接不良现象，提高了产品良率。

21、此外，本方案除了下沉芯片接合面以防止结合材溢出，还保证了芯片支撑部材料厚度不变，进而保持了产品的热电性能。

技术特征：

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述地线接合面(1121)位于所述地线焊接部(112)远离所述芯片支撑部(111)的端部，所述地线接合面(1121)与所述芯片支撑部(111)之间设有隔断孔(1124)。

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述地线焊接部(112)包括连接臂(1123)和焊接臂(1122)，所述地线接合面(1121)位于所述焊接臂(1122)，所述连接臂(1123)的两端分别连接所述芯片支撑部(111)和所述焊接臂(1122)，所述隔断孔(1124)形成于所述焊接臂(1122)与所述芯片支撑部(111)之间。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述芯片支架(11)具有相对的第一侧部和第二侧部，所述第一侧部和所述第二侧部分别设置有所述地线焊接部(112)。

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述芯片支架(11)位于所述第一侧部外侧以及位于所述第二侧部外侧分别设有所述引脚(12)，所述芯片(2)与所述引脚(12)之间通过管脚引线(41)电性连接；所述地线焊接部(112)上设有用于避让所述管脚引线(41)的隔断缝(1125)。

6.根据权利要求1-5任一所述的半导体封装结构，其特征在于，所述芯片接合面(1111)相对所述地线接合面(1121)下沉从而形成存胶槽，所述存胶槽的侧壁为竖直面、倾斜面或者阶梯面。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述存胶槽的侧壁为二级阶梯面。

8.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述存胶槽的侧壁为三级以上阶梯面。

9.根据权利要求1-8中任一所述的半导体封装结构的封装方法，其特征在于，包括步骤：

10.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，步骤s1包括：冲压引线框架的芯片支撑部使芯片接合面相对地线接合面下沉；

技术总结
本发明公开一种半导体封装结构及其封装方法，该结构包括：引线框架，包括芯片支架和引脚，所述芯片支架包括芯片支撑部和位于所述芯片支撑部周部的地线焊接部，所述芯片支撑部具有芯片接合面，所述地线焊接部具有地线接合面，所述芯片接合面和所述地线接合面位于所述引线框架的同一侧，所述芯片接合面相对所述地线接合面下沉，且所述芯片支撑部和所述地线焊接部的厚度相同；芯片和结合材，所述芯片通过所述结合材粘接于所述芯片接合面上，且所述结合材远离所述芯片接合面的一面不高于所述地线接合面。通过本方案减少了虚焊、焊接强度不足等焊接不良现象，提高了产品良率，还保证了芯片支撑部材料厚度不变，进而保持了产品的热电性能。

技术研发人员：周刚,曹周
受保护的技术使用者：杰群电子科技（东莞）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15