一种结构件及其制备方法和电子设备与流程

本申请涉及电连接，具体涉及一种结构件及其制备方法和电子设备。

背景技术：

1、为了提升电子设备的工作性能、降低器件之间的射频干扰、增加器件之间的隔离度，降低电子静电风险等，电子设备通常需要电连接接地，电子设备中的各器件也需要电连接接地。例如，摄像头模组需要电连接接地，避免来自天线的射频信号的干扰；显示模组也需要电连接接地，避免电磁噪声对显示模组的正常工作造成影响。

2、镁合金具有因密度低、强度高等优点可用作电子设备的结构件，在其表面构建导电防腐层可提升其耐蚀性及保证表面的良好导电性，以实现与电子设备中导电部件的电连接，进而实现接地。其中，通过化学转化处理(可简称为“化成处理”)形成的化学转化皮膜是一种成本较低的导电防腐层。而当前在实际生产中采用的皮膜方案的成膜质量较差，成膜缺陷较多、致密性差，导致皮膜的膜电阻过大，无法直接应用于电连接接地。

技术实现思路

1、鉴于此，本申请实施例提供了一种结构件及其制备方法和电子设备，以解决结构件表层的化学转化皮膜存在的成膜质量差、电阻过大的问题。

2、具体地，本申请实施例第一方面提供了一种结构件的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

3、对结构件基体进行n次化成处理，n≥2，并在第i次化成处理之后和第i+1次化成处理之前，对第i次化成处理形成的皮膜进行减薄处理；其中，i是1至n-1之间的任意整数；所述减薄处理的方式包括化学减薄或物理减薄。

4、本申请对结构件基体进行了n次(n≥2)化成处理，并在任意相邻两次化成处理之间都对前一次形成的皮膜进行减薄处理，这样可以借助化学减薄使缺陷皮膜脱落、保留质量良好的皮膜作为下一次化成处理的成膜晶核，或者借助物理减薄来增大结构件基体表面的金属原子排列致密度及伴随形成的致密氧化物薄膜来减少下次化成过程中的析氢反应，进而实现高致密度、低缺陷的良好皮膜制备，保证所得皮膜的稳定低电阻，以便于结构件的电连接接地。

5、本申请实施方式中，所述减薄处理包括对第i次化成处理形成的皮膜进行整体减薄，或者进行局部减薄以去除预设区域的皮膜。

6、本申请一些实施方式中，所述整体减薄的方式包括化学减薄，所述局部减薄的方式包括物理减薄。

7、本申请一些实施方式中，所述化学减薄为碱洗减薄，所用碱性减薄剂是ph≥12的强碱水溶液，进行所述碱性减薄的时间在60s以上，温度在50-90℃的范围内。

8、本申请实施方式中，所述物理减薄的方式包括镭雕或离子束减薄。

9、本申请一些实施方式中，通过所述镭雕进行所述局部减薄。

10、本申请一些实施方式中，所述制备方法还包括：在进行了n次化成处理后的所述结构件基体上形成合金层，以覆盖第n次化成处理形成的皮膜。合金层与皮膜之间的接触情况良好、接触电阻较小，且其可以提升整体膜层的耐磨性和强度。

11、本申请实施例第二方面提供了一种结构件，其采用本申请实施例第一方面提供的制备方法制得。

12、本申请实施例第三方面提供了一种结构件，所述结构件包括结构件基体，以及设置在所述结构件基体表面的第一皮膜结构，其中，所述第一皮膜结构位于所述结构件基体的预设区域，所述预设区域具有多个凹坑，所述第一皮膜结构设置在所述凹坑的表面。

13、本申请一些实施方式中，所述结构件基体还包括非预设区域，所述非预设区域上具有第二皮膜结构，所述第二皮膜结构的厚度大于所述第一皮膜结构。

14、本申请一些实施方式中，所述第一皮膜结构上还设置有合金层。

15、本申请实施例第四方面提供了一种结构件，其包括结构件基体，以及依次层叠设置在所述结构件基体表面的第一皮膜结构和合金层。

16、本申请一些实施方式中，所述第一皮膜结构完全覆盖所述结构件基体的一侧表面。

17、本申请另一些实施方式中，所述第一皮膜结构部分覆盖所述结构件基体的一侧表面，所述第一皮膜结构位于所述结构件基体的预设区域，所述预设区域包括多个凹坑，所述第一皮膜结构设置在所述凹坑的表面。

18、本申请实施例第五方面提供了一种电子设备，其包括如本申请实施例第二方面或第三方面或第四方面所述的结构件。

技术特征：

1.一种结构件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述减薄处理包括对第i次化成处理形成的皮膜进行整体减薄，或者进行局部减薄以去除预设区域的皮膜。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述整体减薄的方式包括所述化学减薄，所述局部减薄的方式包括所述物理减薄。

4.如权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，采用所述化学减薄时，将所述结构件基体浸泡在化学减薄剂中，或将化学减薄剂喷淋或涂覆在所述第i次化成处理形成的皮膜上。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述化学减薄为碱洗减薄，所用碱性减薄剂是ph≥12的强碱水溶液，进行所述碱性减薄的时间在60s以上，温度在50-90℃的范围内。

6.如权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述物理减薄的方式包括镭雕或离子束减薄。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述镭雕时的激光功率为25-30w，镭雕速度小于或等于3000mm/s。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述镭雕包括线状镭雕，镭雕的线间距小于等于0.05mm。

9.如权利要求1-8任一项所述的制备方法，其特征在于，对所述结构件基体进行的n次化成处理中，满足以下至少一个条件：

10.如权利要求1-9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在进行了n次化成处理后的所述结构件基体上形成合金层，以覆盖第n次化成处理形成的皮膜。

11.如权利要求1-10任一项所述的制备方法，其特征在于，在对所述结构件基体进行第1次化成处理之前，所述制备方法还包括：对所述结构件基体进行前处理。

12.一种结构件，其采用如权利要求1-11任一项所述的制备方法制得。

13.一种结构件，其特征在于，包括结构件基体，以及设置在所述结构件基体表面的第一皮膜结构，其中，所述第一皮膜结构位于所述结构件基体的预设区域，所述预设区域具有多个凹坑，所述第一皮膜结构设置在所述凹坑的表面。

14.如权利要求13所述的结构件，其特征在于，所述第一皮膜结构完全覆盖所述凹坑的内壁。

15.如权利要求13或14所述的结构件，其特征在于，所述结构件基体还包括非预设区域，所述非预设区域上具有第二皮膜结构，所述第二皮膜结构的厚度大于所述第一皮膜结构。

16.如权利要求13-15任一项所述的结构件，其特征在于，所述第一皮膜结构上还设置有合金层。

17.一种结构件，其特征在于，包括结构件基体，以及依次层叠设置在所述结构件基体表面的第一皮膜结构和合金层。

18.如权利要求17所述的结构件，其特征在于，所述第一皮膜结构完全覆盖所述结构件基体的一侧表面。

19.如权利要求17所述的结构件，其特征在于，所述第一皮膜结构部分覆盖所述结构件基体的一侧表面，所述第一皮膜结构位于所述结构件基体的预设区域，所述预设区域包括多个凹坑，所述第一皮膜结构设置在所述凹坑的表面。

20.如权利要求18或19所述的结构件，其特征在于，沿所述第一皮膜结构的厚度方向，所述第一皮膜结构的致密度基本不变。

21.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求12所述的结构件或如权利要求13-16任一项所述的结构件或如权利要求17-20任一项所述的结构件。

技术总结
本申请提供了一种结构件及其制备方法和电子设备。该结构件的制备方法包括：对结构件基体进行n次化成处理，n≥2，其中，在第i次化成处理之后和第i+1次化成处理之前，对第i次化成处理形成的皮膜进行减薄处理，其中，i是1至n‑1之间的任意整数；所述减薄处理的方式包括化学减薄或物理减薄。通过上述制备方法，可使结构件上形成致密度高、缺陷少的皮膜结构，且具有稳定的低电阻。

技术研发人员：熊真敏,李恒,耿永红,杨雄,袁德增,肖望,章心怡,张世君,唐巍
受保护的技术使用者：华为技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15