半导体装置以及半导体封装的制作方法

本发明的实施方式一般涉及半导体装置以及半导体封装。

背景技术：

1、金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)等半导体装置例如被用于电力转换。对于半导体装置，要求能够抑制装置损坏的技术。

技术实现思路

1、本发明提供能够抑制装置损坏的半导体装置以及半导体封装。

2、根据一实施方式，半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、栅极电极、第二导电型的第三半导体区域、导电部、第二导电型的第四半导体区域、第一导电型的第五半导体区域、第一导电型的第六半导体区域和第二电极。所述第一半导体区域设于所述第一电极之上，且与所述第一电极电连接。所述第一半导体区域包含第一区域和设于所述第一区域之上的第二区域。所述第二半导体区域设于所述第一区域之上。所述栅极电极经由栅极绝缘层设于所述第二半导体区域之上。所述第三半导体区域设于所述第一区域之上。所述第三半导体区域在与从所述第一电极朝向所述第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上经由所述第二区域从所述第二半导体区域分离。所述导电部经由绝缘层设于所述第三半导体区域之上。所述第四半导体区域设于所述第二区域之上，且与所述第三半导体区域相接。所述第五半导体区域设于所述第四半导体区域的一部分之上。所述第六半导体区域具有比所述第一半导体区域高的第一导电型的杂质浓度，且与所述第三半导体区域相接。所述第二电极设于所述第四半导体区域以及所述第五半导体区域之上，且与所述第四半导体区域以及所述第五半导体区域电连接。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

13.一种半导体封装，其特征在于，具备：

14.根据权利要求13所述的半导体封装，其特征在于，

技术总结
根据一实施方式，半导体装置有第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、栅极电极、第二导电型的第三半导体区域、导电部、第二导电型的第四半导体区域、第一导电型的第五半导体区域、第一导电型的第六半导体区域及第二电极。第一半导体区域包含第一区域及第二区域。第二半导体区域及第三半导体区域设于第一区域之上。栅极电极设于第二半导体区域之上。第三半导体区域与第二半导体区域分离。导电部设于第三半导体区域之上。第四半导体区域设于第二区域之上，与第三半导体区域相接。第五半导体区域设于第四半导体区域的一部分之上。第六半导体区域有比第一半导体区域高的第一导电型的杂质浓度，与第三半导体区域相接。

技术研发人员：田中克久,河野洋志
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15