半导体结构及其测试方法与流程

本申请涉及半导体测试，特别是涉及一种半导体结构及其测试方法。

背景技术：

1、半导体激光器是最实用、最重要的一类激光器。

2、目前，半导体激光器其发射光被限制在晶圆内部波导结构内，而且激光器的后端面需要镀高反膜且前端面需镀抗反膜，因此半导体激光器的性能测试通常都是在把晶圆切割成由多个半导体单管并排形成的激光器单条(也称bar条)镀膜之后，或者更进一步切割成芯片之后进行的。

3、但由于待测器件尺寸微小(小于0.5mm×1mm)光束发散角大，且在测试时必须通过电极加电，并耦合光到外部探测器和光纤中做光功率和光谱测试，现有的测试过程不仅需要精密昂贵的测试机台，而且所增加对器件的额外操作，也会影响良率，因而限制了测试吞吐量，降低产品的生产效率，增加成本。

技术实现思路

1、基于此，本申请根据一些实施例，提供一种半导体结构及其测试方法，可以简化芯片制造后道生产测试流程，从而提高生产效率，改善良率，并降低成本。

2、为了实现上述目的或其他目的，本申请根据一些实施例，提供一种半导体结构，其特征在于，包括多个待测芯片及辅助探测器；其中

3、多个所述待测芯片呈阵列排布于同一晶圆上；所述待测芯片包括半导体激光器及位于所述半导体激光器出光侧的至少一个功能器件；

4、所述辅助探测器位于所述半导体激光器出光侧的相邻所述待测芯片中；

5、所述待测芯片与位于相邻待测芯片中的所述辅助探测器经由波导连接。

6、在其中一个实施例中，所述半导体激光器背离其出光侧的端面设有高反膜。

7、在其中一个实施例中，多个所述待测芯片沿第一方向排布成行，沿第二方向排布成列，所述第一方向和所述第二方向相交；

8、其中，所述半导体激光器与相邻所述待测芯片中所述辅助探测器的连接线与所述第一方向或所述第二方向相交。

9、在其中一个实施例中，多个所述待测芯片沿第一方向排布成行，沿第二方向排布成列，所述第一方向和所述第二方向相交；并且，位于同一行且相邻设置的所述待测芯片沿所述第二方向错位；

10、其中，所述半导体激光器与相邻所述待测芯片中所述辅助探测器的连接线与所述第一方向平行。

11、在其中一个实施例中，所述待测芯片包括用于接触第一组探针的第一垫片对和第二垫片对；其中，

12、所述半导体激光器的正极和负极分别与所述第一垫片对的第一极和第二极对应连接；所述辅助探测器的正极和负极分别与所述第二垫片对的第一极和第二极对应连接。

13、在其中一个实施例中，所述功能器件包括调制器、半导体放大器、探测器、合波/分波器和/或可变衰减器。

14、在其中一个实施例中，所述待测芯片还包括用于接触第二组探针的第一垫片对、第二垫片对和第三垫片对；其中，

15、所述半导体激光器的正极和负极分别与所述第一垫片对的第一极和第二极对应连接；所述辅助探测器的正极和负极分别与所述第二垫片对的第一极和第二极对应连接；所述功能器件的正极和负极分别与所述第三垫片对的第一极和第二极对应连接；所述功能器件包括调制器。

16、本申请还根据一些实施例，提供一种半导体结构的测试方法，应用于如前述任一实施例提供的半导体结构；所述测试方法包括：

17、提供第一对探针和第二对探针；

18、采用所述第一对探针使所述半导体激光器处于工作状态；

19、采用所述第二对探针获取所述辅助探测器的测试参数；

20、根据所述半导体激光器及所述辅助探测器的测试参数确定所述待测芯片的待测性能。

21、在其中一个实施例中，所述测试方法还包括：

22、提供第三对探针；

23、采用所述第三对探针获取所述功能器件的测试参数；

24、根据所述半导体激光器，所述辅助探测器的测试参数及所述功能器件的测试参数，确定所述待测芯片的待测性能。

25、在其中一个实施例中，所述测试方法还包括：

26、采用横向扫描方式或纵向扫描方式，逐一检测所述待测芯片。

27、在本申请提供的半导体结构中，由于多个待测芯片以阵列排布的形式集成于同一晶圆上，且每个待测芯片的输出连接到集成在相邻待测芯片上的辅助探测器。可以通过一组或多组探针对晶圆上的一个或多个待测芯片进行晶圆级测试，还可以不断重复前述测试过程，直至完成对该晶圆上所有待测芯片的测试，这样可以简化待测芯片的测试流程，提高生产效率，减低芯片操作引入的损伤，改善良率，降低成本。

28、本申请提供的半导体结构的测试方法，应用于前述实施例提供的半导体结构，因此前述半导体结构所能实现的技术效果，半导体结构的测试方法也均能实现，此处就不再赘述。

技术特征：

1.一种半导体结构，其特征在于，包括多个待测芯片及辅助探测器；其中

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体激光器背离其出光侧的端面设有高反膜。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，多个所述待测芯片沿第一方向排布成行，沿第二方向排布成列，所述第一方向和所述第二方向相交；

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，多个所述待测芯片沿第一方向排布成行，沿第二方向排布成列，所述第一方向和所述第二方向相交；并且，位于同一行且相邻设置的所述待测芯片沿所述第二方向错位；

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述待测芯片包括用于接触第一组探针的第一垫片对和第二垫片对；其中，

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述功能器件包括调制器、半导体放大器、探测器、合波/分波器和/或可变衰减器。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述待测芯片还包括用于接触第二组探针的第一垫片对、第二垫片对和第三垫片对；其中，

8.一种半导体结构的测试方法，其特征在于，应用于如权利要求1至7中任一项所述的半导体结构；所述测试方法包括：

9.根据权利要求8所述的测试方法，其特征在于，所述半导体结构的测试方法还包括：

10.根据权利要求8或9所述的测试方法，其特征在于，

技术总结
本申请提供一种半导体结构及其测试方法。本申请提供的半导体结构包括呈阵列排布于同一晶圆上的多个待测芯片；所述待测芯片包括半导体激光器及集成在晶圆上的辅助探测器；其中，所述辅助探测器位于相邻所述待测芯片中，其输入波导与所述待测芯片中的输出光波导通过波导连接。在本申请提供的半导体结构中，由于多个待测芯片以阵列排布的形式集成于同一晶圆上，可以通过一组或多组探针对晶圆上的一个或多个待测芯片进行测试，还可以不断重复前述测试过程，直至完成对该晶圆上所有待测芯片的测试，这样可以简化待测芯片的测试流程，提高生产效率，改善良率，降低成本。

技术研发人员：吴芳,克里斯托弗·大卫·华生,科里奥·尤里·皮梅诺夫,优瑞·洛文,唐涌波
受保护的技术使用者：深圳市斑岩光子技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/22