本申请的实施例涉及形成封装组件的方法和封装组件器件。
背景技术:
1、在集成电路的形成中,诸如晶体管的集成电路器件在晶圆中的半导体衬底的表面处形成。然后互连结构在集成电路器件的上方形成。金属焊盘形成在互连结构上方并且电连接到互连结构。钝化层和聚合物层形成在金属焊盘上方,金属焊盘通过钝化层和聚合物层中的开口暴露。电连接件形成在晶圆的表面上。然后可以将晶圆锯切成管芯。
技术实现思路
1、根据本申请的实施例,提供了一种形成封装组件的方法,包括:在多个金属焊盘上方形成第一聚合物层;图案化第一聚合物层以在第一聚合物层中形成多个开口,其中多个金属焊盘通过多个开口暴露;在多个开口中形成多个导电通孔,以及在多个导电通孔上方形成接触多个导电通孔的多个导电焊盘,其中多个导电焊盘中的导电焊盘从在导电焊盘的正下面的并且与导电焊盘物理接触的导电通孔横向偏移;以及形成覆盖并且物理接触多个导电焊盘的第二聚合物层。
2、根据本申请的另一个实施例,提供了一种封装组件器件,包括:多个金属焊盘;在多个金属焊盘上方的第一聚合物层;延伸到第一聚合物层中以接触多个金属焊盘的多个导电通孔;在多个导电通孔上方并且接触多个导电通孔的多个导电焊盘,其中多个导电焊盘相对于多个导电通孔中的相应的下面的导电通孔横向偏移;以及在多个导电焊盘上方并且接触多个导电焊盘的第二聚合物层。
3、根据本申请的又一个实施例,提供了一种封装组件器件,包括:多个金属焊盘;在多个金属焊盘上方的第一介电层;延伸到第一介电层中以接触多个金属焊盘的多个导电通孔;在多个导电通孔上方并且接触多个导电通孔的多个导电焊盘,其中多个导电焊盘形成阵列,并且其中多个导电焊盘的第一中心相对于多个导电通孔中的相应的下面的导电通孔的第二中心横向偏移;以及在多个导电焊盘上方并且接触多个导电焊盘的电连接件。
4、本申请的实施例涉及偏移接触焊盘以降低应力。
1.一种形成封装组件的方法,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,还包括形成延伸到所述第二聚合物层中的多个凸块下金属(ubm),其中所述多个凸块下金属(ubm)与所述多个导电焊盘的顶面物理接触。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述形成所述多个导电通孔和所述多个导电焊盘包括:
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个导电焊盘和所述多个导电通孔中的每个具有从由圆形、六边形和八边形组成的组中选择的俯视图形状。
5.根据权利要求1所述的方法,还包括执行单片化工艺以形成管芯,其中所述第一聚合物层和所述第二聚合物层被锯切,其中所述管芯中的所有所述多个导电焊盘相对于所述多个导电通孔中的相应的下面的导电通孔横向偏移。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述管芯中的所有所述多个导电焊盘相对于所述多个导电通孔中的所述相应的下面的导电通孔横向偏移到相同方向。
7.根据权利要求5所述的方法,其中,所述管芯中的所有所述多个导电焊盘相对于所述多个导电通孔中的所述相应的下面的导电通孔横向偏移相同的距离。
8.根据权利要求5所述的方法,其中,所述管芯中的所述多个导电焊盘相对于所述多个导电通孔中的所述相应的下面的导电通孔在随机方向上横向偏移。
9.一种封装组件器件,包括:
10.一种封装组件器件,包括: