薄膜晶体管结构的制作方法

本揭露是有关于一种薄膜晶体管结构。

背景技术：

1、显示装置中的非晶硅薄膜晶体管在高压驱动状态下会产生漏电流。现有的解决方案是通过调变参考电压、串联两个薄膜晶体管或者提供额外电极等方式。然而，上述方法会导致显示装置效率下降、储存电容充电率不足或是成本大幅增加等问题。

2、有鉴于此，如何提供一种可避免上述问题，并降低高压驱动状态下，会有漏电流问题的薄膜晶体管结构，仍是本领域努力研发的目标。

技术实现思路

1、本揭露的一技术态样为一种薄膜晶体管结构。

2、在本揭露一实施例中，薄膜晶体管结构包含栅极电极、栅极绝缘层、第一非晶硅层、源极/漏极电极以及第二非晶硅层。栅极绝缘层位在栅极电极上。第一非晶硅层位在栅极绝缘层上。一源极/漏极电极位在第一非晶硅层上。第二非晶硅层位在栅极绝缘层中。

3、在本揭露一实施例中，第二非晶硅层在栅极绝缘层的垂直投影位在第一非晶硅层在栅极绝缘层的垂直投影之内。

4、在本揭露一实施例中，第二非晶硅层与栅极电极在垂直方向上至少部分重叠。

5、在本揭露一实施例中，栅极绝缘层具有面对第一非晶硅层的上表面以及面对栅极电极的下表面，其中第二非晶硅层与上表面之间具有第一距离，栅极绝缘层的上表面与下表面之间具有第二距离，且第一距离小于第二距离的50％。

6、在本揭露一实施例中，栅极电极与源极/漏极电极之间具有通道区，通道区具有延伸于第一方向的通道长度以及延伸于第二方向的通道宽度，且第二非晶硅层在第二方向上的总长度大于在第一方向上的总宽度。

7、在本揭露一实施例中，第二非晶硅层为长条状，且第二非晶硅层的延伸方向平行于第二方向。

8、在本揭露一实施例中，第二非晶硅层为长条状，第二非晶硅层的延伸方向与第二方向具有夹角，且夹角小于90度。

9、在本揭露一实施例中，第二非晶硅层包含多个区块。

10、在本揭露一实施例中，多个区块排列于第一方向上。

11、在本揭露一实施例中，多个区块排列于第二方向上。

12、在本揭露一实施例中，多个区块同时排列于第一方向与第二方向上。

13、本揭露的另一技术态样为一种薄膜晶体管结构。

14、在本揭露一实施例中，薄膜晶体管结构包含栅极电极、栅极绝缘层、第一非晶硅层、源极电极、漏极电极以及第二非晶硅层。栅极绝缘层位在栅极电极上，其中栅极绝缘层包含上部与下部，且下部位在上部与栅极电极之间。第一非晶硅层位在栅极绝缘层上。源极电极位在第一非晶硅层上。漏极电极位在第一非晶硅层上，且源极电极与漏极电极沿着第一方向排列。第二非晶硅层位在栅极绝缘层的上部与下部之间。

15、在本揭露一实施例中，第二非晶硅层在栅极绝缘层的下部的垂直投影位在第一非晶硅层在栅极绝缘层的下部的垂直投影之内。

16、在本揭露一实施例中，栅极绝缘层的上部的厚度小于栅极绝缘层的下部的一厚度。

17、在本揭露一实施例中，第二非晶硅层在第二方向上的总长度大于在第一方向上的总宽度，其中第二方向垂直于第一方向。

18、在本揭露一实施例中，第二非晶硅层与源极/漏极电极在一垂直方向上至少部分重叠。

19、在上述实施例中，通过设置第二非晶硅层在栅极绝缘层中，以达到降低漏电流的效果。

技术特征：

1.一种薄膜晶体管结构，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，其中所述第二非晶硅层在所述栅极绝缘层的垂直投影位在所述第一非晶硅层在所述栅极绝缘层的垂直投影之内。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，其中所述第二非晶硅层与所述栅极电极在一垂直方向上至少部分重叠。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，其中所述栅极绝缘层具有面对所述第一非晶硅层的一上表面以及面对所述栅极电极的一下表面，其中所述第二非晶硅层与所述上表面之间具有一第一距离，所述栅极绝缘层的所述上表面与所述下表面之间具有一第二距离，且所述第一距离小于所述第二距离的50％。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，其中所述栅极电极与所述源极/漏极电极之间具有一通道区，所述通道区具有延伸于一第一方向的一通道长度以及延伸于一第二方向的一通道宽度，且所述第二非晶硅层在所述第二方向上的一总长度大于在所述第一方向上的一总宽度。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，其中所述第二非晶硅层为长条状，且所述第二非晶硅层的延伸方向平行于所述第二方向。

7.如权利要求5所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，其中所述第二非晶硅层为长条状，所述第二非晶硅层的延伸方向与所述第二方向具有一夹角，且所述夹角小于90度。

8.如权利要求5所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，其中所述第二非晶硅层包含多个区块。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，其中所述多个区块排列于所述第一方向上。

10.如权利要求8所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，其中所述多个区块排列于所述第二方向上。

11.如权利要求8所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，其中所述多个区块同时排列于所述第一方向与所述第二方向上。

12.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于，其中所述第二非晶硅层与所述源极/漏极电极在一垂直方向上至少部分重叠。

技术总结
薄膜晶体管结构包含栅极电极、栅极绝缘层、第一非晶硅层、源极/漏极电极以及第二非晶硅层。栅极绝缘层位在栅极电极上。第一非晶硅层位在栅极绝缘层上。一源极/漏极电极位在第一非晶硅层上。第二非晶硅层位在栅极绝缘层中。本揭露通过设置第二非晶硅层在栅极绝缘层中，以达到降低漏电流的效果。

技术研发人员：庄名凯,詹立雄
受保护的技术使用者：川奇光电科技(扬州)有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/25