半导体外延结构的制作方法

本发明涉及一种半导体外延结构，特别涉及一种包括缓冲层的半导体外延结构。

背景技术：

1、iii-v族材料在半导体相关产业上扮演愈来愈重要的角色。由于异质基板与iii-v族材料之间存在晶格不匹配的问题，难以在无形成缺陷或裂缝的情况下成长iii-v族材料于异质基板上，通常需在基板与iii-v族材料之间加入一或多层缓冲层来缓解晶格差异或作为应力调节。目前以氮化铝为广泛使用的缓冲层材料。

2、然而，以氮化铝作为外延缓冲层仍存在制作工艺与结构上的缺陷。

技术实现思路

1、根据本发明的一实施例，提供一种半导体外延结构，包括：一基板，包括一上表面；多个第一突出部形成于基板的上表面上；以及一第一缓冲层，顺应性地形成于基板的上表面与多个第一突出部上，其中位于多个第一突出部的侧壁或顶部的第一缓冲层的铝含量与位于基板的上表面的第一缓冲层的铝含量的差值小于5％。

2、根据本发明的一实施例，提供一种半导体外延结构，包括：一基板，包括一上表面；多个第一突出部形成于基板的上表面；以及一第一缓冲层，顺应性地形成于基板的上表面与多个第一突出部上，其中位于多个第一突出部的侧壁的第一缓冲层的厚度与位于基板的上表面的第一缓冲层的厚度的差值小于或等于20埃。

技术特征：

1.一种半导体外延结构，包括：

2.如权利要求1所述的半导体外延结构，其中该多个第一突出部的高宽比介于0.45至0.85。

3.如权利要求1所述的半导体外延结构，其中该多个第一突出部的间距介于0.1微米至0.3微米。

4.如权利要求1所述的半导体外延结构，其中该第一缓冲层的厚度小于20纳米。

5.如权利要求1所述的半导体外延结构，其中该第一缓冲层位于该多个第一突出部的该侧壁的厚度与位于该基板的该上表面的厚度的差值小于或等于20埃。

6.如权利要求1所述的半导体外延结构，其中该第一缓冲层包括氮氧化铝，该第一缓冲层的铝含量或氮含量大于氧含量，且该铝含量大于或小于该氮含量。

7.如权利要求1所述的半导体外延结构，还包括多个第二突出部形成于该多个第一突出部。

8.如权利要求7所述的半导体外延结构，其中该多个第二突出部包括ⅴ族元素或ⅵ族元素的绝缘材料上。

9.如权利要求8所述的半导体外延结构，还包括未掺杂半导体层，形成于该多个第一突出部与该多个第二突出部之间。

10.如权利要求1所述的半导体外延结构，还包括未掺杂半导体层，形成于该基板上。

技术总结
本发明提供一种半导体外延结构，包括：一基板，包括一上表面；多个第一突出部形成于基板的上表面上；以及一第一缓冲层，顺应性地形成于基板的上表面与多个第一突出部上，其中位于多个第一突出部的侧壁或顶部的第一缓冲层的铝含量与位于基板的上表面的第一缓冲层的铝含量的差值小于5％。

技术研发人员：赖世国,唐力绅,任丹丹,陈莉
受保护的技术使用者：晶元光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/6