半导体装置的制作方法

本发明的实施方式涉及一种半导体装置。

背景技术：

1、具有mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor)等半导体芯片的半导体装置使用于电力转换等用途。例如，在上述的半导体装置为纵型的mosfet的情况下，设于半导体芯片的上表面的源极电极例如与设于mosfet之上的连接器连接。

技术实现思路

1、本发明提供一种可靠性较高的半导体装置。

2、实施方式的半导体装置具备：第一连接器，包括具有第一上表面的板以及连接于板的第一端子，板的第一板部的板厚比第一板部与第一端子之间的板的第二板部的板厚薄；半导体芯片，设于第一上表面之上；第一接合材料，设于第一上表面与半导体芯片之间；第二连接器，设于半导体芯片之上；第三连接器，板设于第一端子与第三连接器之间；第二接合材料，设于第二连接器与半导体芯片之间；以及第三接合材料，设于第二连接器与第三连接器之间。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

技术总结
实施方式提供一种可靠性较高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一连接器，包括具有第一上表面的板以及连接于板的第一端子，板的第一板部的板厚比第一板部与第一端子之间的板的第二板部的板厚薄；半导体芯片，设于第一上表面之上；第一接合材料，设于第一上表面与半导体芯片之间；第二连接器，设于半导体芯片之上；第三连接器，板设于第一端子与第三连接器之间；第二接合材料，设于第二连接器与半导体芯片之间；以及第三接合材料，设于第二连接器与第三连接器之间。

技术研发人员：铃木健之
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15