基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质与流程

本公开涉及基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质。

背景技术：

1、近年来，在半导体器件的制造工序中，寻求异物少的成膜方法。关于异物的控制，作为一方法，有时进行不卸下反应管，通过气体清洁除去堆积于反应管内壁等的膜的方法(例如，专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2008－78285号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、但是，在使用了清洁气体的清洁工序中，由于包含金属材料的零件的表面和清洁气体反应，有时产生零件表面的腐蚀、变质。

3、本公开的目的在于提供一种能够防止清洁气体与包含金属材料的盖的表面接触，抑制盖表面的腐蚀、变质的产生的技术。

4、用于解决课题的方案

5、根据本公开的一方案，提供一种技术，其具备：反应容器，其对基板进行处理；清洁气体供给系统，其构成为向所述反应容器内供给清洁气体；盖，其构成为能够封闭所述反应容器的开口，且由金属材料构成；保护部件，其设置于所述盖的面向所述反应容器的内侧的侧的面上，且至少表面由第一非金属材料构成；内部空间，其形成于所述盖和所述保护部件彼此相互对置的面之间；以及惰性气体供给系统，其构成为在所述开口被所述盖封闭的状态下，向所述内部空间供给惰性气体。

6、发明效果

7、能够提供一种可以防止清洁气体与包含金属材料的盖的表面接触，抑制盖表面的腐蚀、变质的产生的技术。

技术特征：

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，

14.根据权利要求1～13中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，

16.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

17.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

18.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

19.一种清洁方法，其特征在于，具有如下工序：

20.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：

21.一种计算机可读的存储介质，其特征在于，存储有通过计算机使基板处理装置执行如下步骤的程序：

技术总结
本发明提供一种基板处理装置、清洁方法、半导体装置的制造方法以及存储介质，能够防止清洁气体与含有金属材料的盖的表面接触，抑制盖表面的腐蚀及变质的产生。该基板处理装置具备：反应容器，其对基板进行处理；清洁气体供给系统，其构成为向反应容器内供给清洁气体；盖，其构成为能够封闭反应容器的开口，且由金属材料构成；保护部件，其设置于盖的面向反应容器的内侧的侧的面上，且至少表面由第一非金属材料构成；内部空间，其形成于盖和保护部件彼此相互对置的面之间；以及惰性气体供给系统，其构成为在开口被盖封闭的状态下，向内部空间供给惰性气体。

技术研发人员：寿崎健一,池田优真
受保护的技术使用者：株式会社国际电气
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12