一种LDMOS器件的制作方法

本申请涉及半导体功率器件，具体地，涉及一种ldmos器件。

背景技术：

1、当前的sic三端口器件主要是垂直的mos器件，受到减薄工艺的限制，难以做薄从而难以实现较低电压的器件。当前sic ldmos器件的沟道迁移率较低，导致其器件整体的导通电阻大，饱和电流小，在较低电压领域其效率远不如氮化镓器件，而氮化镓器件，由于材料本身性质，其鲁棒性较差，无法应用于频率高或者是带宽较宽的领域。

2、因此，传统的ldmos器件导通电阻大，饱和电流小，是本领域技术人员急需要解决的技术问题。

3、在背景技术中公开的上述信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种ldmos器件，以解决传统的ldmos器件导通电阻大，饱和电流小的技术问题。

2、本申请实施例提供一种ldmos器件，包括：

3、n型衬底；

4、间隔设置的源区和漏区，形成在n型衬底的上方；其中，所述源区和漏区的排列方向为ldmos器件的长度方向，所述漏区的长度延伸方向为ldmos器件的宽度方向；

5、体区，形成在源区之下；

6、漂移区，形成在所述体区和所述漏区之间，所述漂移区与所述体区连接；漂移区沿ldmos器件的宽度方向包括交替设置的n型掺杂柱区和p型掺杂柱区；

7、栅极，绝缘形成在体区和漂移区连接处的上方；

8、其中，栅极和n型掺杂柱区重叠的部分是n型积累区以增强积累效应；栅极和p型掺杂柱区重叠的部分是p型掺杂的延伸区域，作为n型积累区的辅助耗尽区域以平衡n型积累区的电荷；体区和栅极重叠部分的长度为有效沟道长度，所述n型积累区的长度ln大于等于有效沟道长度lg。

9、本申请实施例由于采用以上技术方案，具有以下技术效果：

10、有效沟道是体区和栅极重叠的部分，栅极和n型掺杂柱区重叠的部分是n型积累区，n型积累区的长度大于等于有效沟道长度。当栅极施加正电压时，n型积累区积累电子，即n型积累区增强电子积累效应，进而增加了ldmos器件的导通能力，降低导通电阻提高饱和电流，更重要的是ldmos器件的电子运动以扩散运动为主，降低了栅极边沿的热载流子注入效应，改善了ldmos器件的可靠性，便于进一步提高ldmos器件漂移区的掺杂浓度，进一步降低导通电阻。栅极和p型掺杂柱区重叠的部分是p型掺杂的延伸区域，作为n型积累区的辅助耗尽区域以平衡n型积累区的电荷。本申请实施例的ldmos器件，n型积累区的长度大于等于有效沟道长度，使得ldmos器件的电子积累效应较强，导通电阻较低，改善了热载流子注入效应。

技术特征：

1.一种ldmos器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，n型积累区的长度和有效沟道长度的比值取值范围为大于等于1小于等于5；

3.根据权利要求2所述的ldmos器件，其特征在于，n型掺杂柱区(26-1)的宽度和p型掺杂柱区的宽度比值的取值范围为大于等于1小于等于2；

4.根据权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，栅极覆盖源区和漏区之间的面积；

5.根据权利要求1至4任一所述的ldmos器件，其特征在于，还包括漂移区缓冲区(27)，形成在所述漏区(23)之下；

6.根据权利要求5所述的ldmos器件，其特征在于，n型缓冲区(27-1)的掺杂浓度高于n型掺杂柱区(26-1)；

7.根据权利要求6所述的ldmos器件，其特征在于，还包括：

8.根据权利要求7所述的ldmos器件，其特征在于，ldmos器件由衬底向上，各层为：

9.根据权利要求8所述的ldmos器件，其特征在于，在ldmos器件的长度方向，其中：

10.根据权利要求9所述的ldmos器件，其特征在于，还包括：

技术总结
本申请实施例提供了一种LDMOS器件包括：N型衬底；源区和漏区；源区和漏区的排列方向为LDMOS器件的长度方向，漏区的长度延伸方向为LDMOS器件的宽度方向；体区，形成在源区之下；漂移区，形成在体区和所述漏区之间；漂移区沿LDMOS器件的宽度方向包括交替设置的N型掺杂柱区和P型掺杂柱区；栅极，绝缘形成在体区和漂移区连接处的上方；栅极和N型掺杂柱区重叠的部分是N型积累区以增强积累效应；栅极和P型掺杂柱区重叠的部分是P型掺杂的延伸区域；体区和栅极重叠部分的长度为有效沟道长度，N型积累区的长度L<subgt;N</subgt;大于等于有效沟道长度L<subgt;G</subgt;。本申请实施例解决了传统的LDMOS器件导通电阻大，饱和电流小的技术问题。

技术研发人员：莫海锋
受保护的技术使用者：苏州华太电子技术股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14