本揭露涉及一种电子装置,尤其涉及一种具有较佳结构可靠度的电子装置。
背景技术:
1、一般皆知,天线装置的载板的接地面上的铜面积占比大于85%,于制程后,容易因为金属铜层与绝缘层(例如:氮化硅)的介电层之间热膨胀系数的差异,易导致金属铜层与绝缘层的介电层黏合不佳而产生翘曲,进而影响整体的结构可靠度。
技术实现思路
1、本揭露是针对一种电子装置,其具有较佳结构可靠度。
2、根据本揭露的实施例,电子装置包括基板、至少一导电复合结构以及电子元件。至少一导电复合结构设置于基板上。至少一导电复合结构包括第一金属层、第二金属层以及第三金属层。第二金属层位于第一金属层与第三金属层之间,且第二金属层的厚度介于0.5微米至12微米之间。电子元件设置于至少一导电复合结构上且接合少一导电复合结构。
3、基于上述,在本揭露的实施例中,配置于基板上的导电复合结构是由第一金属层、第二金属层以及第三金属层所组成,其中位于第一金属层与第三金属层之间的第二金属层的厚度介于0.5微米至12微米之间。
4、为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
1.一种电子装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述至少一导电复合结构包括第一导电复合结构与第二导电复合结构,且所述第一导电复合结构与所述第二导电复合结构呈间隔设置。
3.根据权利要求2所述的电子装置,其特征在于,还包括:
4.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述电子元件包括天线或发光二极管。
5.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包括:
6.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第三金属层至少部分接触所述第二金属层的侧表面。
7.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一金属层的宽度小于或等于所述第二金属层的宽度。
8.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第三金属层的部分下表面接触所述第一金属层的部分上表面。
9.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包括:
10.根据权利要求9所述的电子装置,其特征在于,还包括: