本公开一般涉及电路布置，特别是涉及具有集成在半导体本体中的电子电路和至少一个保护器件(诸如静电放电(esd)器件)的电路布置。
背景技术：
1、存在提供具有集成电子电路和保护器件的电路布置的需要，其中保护器件是以节省空间的方式实现的。
技术实现思路
1、一个示例涉及一种方法。方法包括：形成第一二极管布置，其包括反串联连接在第一二极管布置的第一电路节点和第二电路节点之间的至少一个第一二极管和至少一个第二二极管；形成第二二极管布置，其包括反串联连接在第二二极管布置的第一电路节点和第二电路节点之间的至少一个第一二极管和至少一个第二二极管；以及连接第一二极管布置的第二电路节点和第二二极管布置的第二电路节点。形成第一二极管布置包括在第一注入处理中使用第一注入掩模将第一类型的掺杂剂原子注入到第一多晶硅层中以形成第一注入区，以及在第二注入处理中将第二类型的掺杂剂原子注入到第一多晶硅层中并且使用第二注入掩模以形成至少一个第二注入区，其中第一注入区和至少一个第二注入区是在第一方向上交替地布置的并且被通过第一多晶硅层的第三区彼此分离。形成第二二极管布置包括在第一注入处理中使用第一注入掩模将第一类型的掺杂剂原子注入到不同于第一多晶硅层的第二多晶硅层中以形成第一注入区，以及在第二注入处理中将第二类型的掺杂剂原子注入到第二多晶硅层中并且使用第二注入掩模以形成至少一个第二注入区，其中第一注入区和至少一个第二区是在第一方向上交替地布置的并且被通过第二多晶硅层的第三区分离。在第一二极管布置和第二二极管布置的每个中，相应的第二电路节点与相应的第一电路节点在第一方向上间隔开。
2、另一示例涉及一种保护器件。保护器件包括第一二极管布置和第二二极管布置，每个二极管布置包括反串联连接在相应的第一电路节点和相应的第二电路节点之间的至少一个第一二极管和至少一个第二二极管。第一二极管布置的第二电路节点被连接到第二二极管布置的第二电路节点。第一二极管布置和第二二极管布置中的第一二极管和第二二极管中的每个包括被第三区分离的第一掺杂区和第二掺杂区。第一二极管布置的第一二极管和第二二极管被集成在第一多晶硅层中，并且第二二极管布置的第一二极管和第二二极管被集成在第二多晶硅层中。在第一二极管布置和第二二极管布置的每个中的至少一个第一二极管中，第二掺杂区在第一方向上与第一掺杂区间隔开，并且在第一二极管布置和第二二极管布置的每个中，相应的第二电路节点在第一方向上与相应的第一电路节点间隔开。
1.一种方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据权利要求1所述的方法，
4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的方法，
5.根据权利要求1至3中的任何一项所述的方法，
6.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，
7.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，
8.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，
9.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，
10.一种保护器件，包括：
11.根据权利要求10所述的保护器件，
12.根据权利要求11所述的保护器件，
13.根据权利要求11或12所述的保护器件，
14.根据权利要求10至13中的任何一项所述的保护器件，