半导体装置及其制造方法与流程

本实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术：

1、为了确保cmp(chemical mechanical polishing：化学机械研磨)的 平坦性，有时需要向比实际形成的布线的纵横比高的纵横比的图案的埋入。 但是，纵横比越高，则埋入会越难，有可能难以实现合适的埋入。

技术实现思路

1、发明所要解决的课题在于，提供能够更合适地进行向图案的埋入的半 导体装置及其制造方法。

2、本实施方式的半导体装置具备包括多个布线的布线层。布线具有第1 布线和第2布线。第1布线在与布线层大致平行的方向上具有第1宽度。 第2布线以比第1布线间的间隔宽的间隔配置。第2布线包括：具有比第 1宽度大的第2宽度的第1布线构件和设置在第1布线构件上且具有比第2 宽度大的第3宽度的第2布线构件。与布线层大致垂直的方向的所述第2 布线的侧面具有与第2宽度和第3宽度之差相应的高低差。

技术特征：

1.一种半导体装置，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

7.一种半导体装置的制造方法，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包括：

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包括：

10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包括：

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，还包括：

12.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包括：

技术总结
实施方式提供能够更合适地进行向图案的埋入的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备包括多个布线的布线层。布线具有第1布线和第2布线。第1布线在与布线层大致平行的方向上具有第1宽度。第2布线以比第1布线间的间隔宽的间隔配置。第2布线包括具有比第1宽度大的第2宽度的第1布线构件和设置在第1布线构件上且具有比第2宽度大的第3宽度的第2布线构件。与布线层大致垂直的方向上的所述第2布线的侧面具有与第2宽度和第3宽度之差相应的高低差。

技术研发人员：中岛章
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15