存储器及其制造方法与流程

本发明涉及一种存储器及其制造方法，特别是涉及一种随机存取存储 器件及其制造方法。

背景技术：

1、目前业界已积极研发新一代的非挥发性内存组件。以电阻式随机存取 存储器件为例，在每个存储器件(memory cell)中，电阻式随机存取存储器件 通常与晶体管串连，而形成1晶体管1内存(1t1m)的架构。通过调整晶体 管的电压，可判读存储器件所储存的数据，同时可通过不同的电压来调整 电阻式随机存取存储器件的电阻值，来修改存储器件所储存的数据。

2、为了增加存储器件的密度，需要尽可能地缩减存储器件的尺寸。由于 存储器件之间的链接以及电阻式随机存取存储器件与晶体管之间的链接需 要通过其他线路，如：源极线、位线以及字线来建立，导致存储器件的尺 寸难以被进一步地缩减。

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种存储 器及其制造方法，通过改变存储器件之间的联机架构，可以缩减存储器件 的尺寸。

2、为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是提供一 种存储器，其包括基板、存储器件阵列以及存储器件互连架构。存储器件 阵列设置于基板上，且包括多个存储器件。每一存储器件包括晶体管单元 及存储单元。晶体管单元包括沿着一第一方向配置的源极区、漏极区以与 门极结构。存储单元电性连接于晶体管单元。存储器件互连架构设置于基 板上，并建立多个存储器件之间的电性连接。存储器件互连架构包括介电层及多个漏极导电结构。介电层直接覆盖基板以及晶体管单元。每一漏极 导电结构电性连接于对应的存储单元，且包括至少一漏极导电柱。至少一 漏极导电柱包括相互连接且内埋于介电层内的第一接触部以及第二接触 部。第一接触部实体连接于对应的晶体管单元的漏极区，且第一接触部的 其中一侧表面相对于所述第二接触部的侧表面在所述第一方向上内凹，而 形成一阶梯结构。

3、为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是提供一 种存储器的制造方法，其包括在一基板上形成排成阵列的多个晶体管单元 以及形成一存储器件互连架构以及多个存储单元。每个晶体管单元包括沿 着第一方向配置的漏极区、闸极结构以及源极区，多个晶体管单元在第二 方向上排成多行。多个存储单元通过存储器件互连架构，而分别电性连接 于多个晶体管单元。形成存储器件互连架构的步骤至少包括：在基板上形 成一介电层以及多个漏极导电柱。每一漏极导电柱包括相互连接且内埋于 介电层内的第一接触部以及第二接触部。第一接触部实体连接于对应的晶 体管单元的漏极区，且第一接触部的其中一侧表面相对于第二接触部的侧 表面在第一方向上内凹，而形成一阶梯结构。

4、本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的存储器及其制造方法， 其能通过“内埋于介电层内的漏极导电柱包括相互连接的第一接触部以及 第二接触部，第一接触部的其中一侧表面相对于所述第二接触部的侧表面 在所述第一方向上内凹，而形成一阶梯结构”的技术方案，来缩减每个存 储器件的尺寸，进而提高存储器件阵列的密度。

5、为使能进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明 的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来 对本发明加以限制。

技术特征：

1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括：

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，两相邻的所述晶体管单元的两个所述闸极结构彼此分隔设置于所述基板上，并位于所述源极区的两相反侧，每一所述闸极结构包括一闸电极以及位于所述闸电极与所述基板之间的一闸绝缘层，两相邻的所述闸极结构的两个所述闸电极之间具有一最短距离，所述存储器件互连架构还包括：

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一接触部在一第二方向上的长度大于所述第二接触部在所述第二方向上的长度，且所述第一接触部的顶端高于所述闸极结构的一顶端。

4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，每一所述漏极导电结构还进一步包括：与所述漏极导电柱连接的一漏极导电层，所述漏极导电层位于所述介电层上并连接于所述第二接触部，且所述漏极导电层的面积大于所述第二接触部在水平方向上的截面面积。

5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述晶体管单元的所述闸极结构设置于所述基板上，且包括彼此电性连接的一第一闸堆栈部与一第二闸堆栈部，所述第一闸堆栈部与所述第二闸堆栈部在所述第一方向上彼此分隔，并分别位于所述漏极区的两相反侧，所述第一闸堆栈部与所述第二闸堆栈部各具有一闸极绝缘层、一闸电极以及两个间隔部，所述第一闸堆栈部的所述闸电极与所述第二闸堆栈部的所述闸电极之间在所述第一方向上具有一最短距离，所述第一接触部在所述第一方向的一最大宽度小于所述最短距离。

6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第二接触部的至少一侧表面在一第二方向上相对于所述第一接触部的一侧表面内凹，而形成另一阶梯结构。

7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第二接触部具有实体连接于所述第一接触部的一底表面，所述底表面部分地重叠于所述第一接触部。

8.一种存储器的制造方法，其特征在于，所述存储器的制造方法包括：

9.根据权利要求8所述的存储器的制造方法，其特征在于，在所述基板上形成所述介电层以及多个所述漏极导电柱的步骤中，一并形成埋在所述介电层内的多条源极线，其中，每一条所述源极线沿着所述第二方向延伸。

10.根据权利要求8所述的存储器的制造方法，其特征在于，形成每一所述漏极导电柱的步骤包括：

技术总结
本发明公开一种存储器及其制造方法。存储器包括基板以及设置于基板上的存储器件阵列以及存储器件互连架构。存储器件阵列中的每一存储器件包括相互电性连接的晶体管单元及存储单元。存储器件互连架构建立多个存储器件之间的电性连接，且包括介电层及多个漏极导电结构。至少一漏极导电柱包括相互连接且内埋于所述介电层内的第一接触部以及第二接触部，且第一接触部的其中一侧表面相对于所述第二接触部的侧表面在所述第一方向上内凹，而形成一阶梯结构。

技术研发人员：陈朝阳,黄志仁
受保护的技术使用者：志阳忆存股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12