激光器的制作方法

本申请涉及激光器，尤其涉及一种激光器。

背景技术：

1、在光通信系统中，限制光纤通信距离的主要原因之一是传输损耗。1987年，掺饵光纤放大器(erbium-doped fiber amplifier，edfa)的诞生对光纤通信领域产生了革命性的影响。由于edfa需要在线网使用长达数十年时间，因而要求极高的长期可靠性。但edfa的核心部件之一980nm的大功率泵浦激光器，因出光功率大、功率密度高，长期使用时容易发生光学灾变(catastrophic optical damage，cod)，导致edfa模块失效，严重制约了edfa模块的长期使用寿命。如何提升泵浦激光器的可靠性、降低comd及cobd失效率对edfa长期可靠使用亟待解决。

技术实现思路

1、有鉴于此，提出了一种激光器，以解决上述技术问题。

2、第一方面，本申请的实施例提供了一种激光器，包括基板和安装在所述基板上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括依次堆叠的p面电极、p面接触层、p面限制层、有源层、n面限制层、缓冲层、衬底、n面接触层和n面电极，所述基板包括基底、位于所述基底上方的导电层和位于所述导电层上方的焊料层；

3、所述焊料层位于导电层的中间区域，且所述导电层位于所述焊料层的一侧的部分形成所述基板的第一电极、所述导电层位于所述焊料层的另一侧的部分形成所述基板的第二电极；

4、所述导电层中设置有第一隔离沟和第二隔离沟，所述第一隔离沟将所述第一电极与所述导电层的其他部分电隔离且所述第一隔离沟的长度大于或等于所述激光器的腔长，所述第二隔离沟将所述第二电极的部分与所述导电层的其他部分电隔离以在所述导电层远离所述激光器出光口的一侧形成注入区域；

5、所述半导体发光结构的n面电极与所述焊料层焊接在一起且p面电极通过引线与所述第一电极连接，或者所述半导体发光结构的p面电极与所述焊料层焊接在一起且n面电极通过引线与所述第一电极连接。

6、在一种可能的实现方式中，与所述第一电极通过引线连接的p面电极或n面电极具有至少一个镂空区域，各所述镂空区域位于所述引线与所述出光口之间。

7、在一种可能的实现方式中，所述引线的所在区域位于远离所述出光口的二分之一腔长区间内。

8、在一种可能的实现方式中，所述注入区域的宽度小于所述腔长的一半，所述注入区域位于远离所述出光口的二分之一腔长区间内。

9、在一种可能的实现方式中，所述导电层位于所述焊料层的一侧的部分，按照与所述出光口的距离从远到近依次形成所述基板的第一电极和至少一个功能电极，所述第一电极和相邻的所述功能电极之间、相邻的所述功能电极之间设置有实现电隔离的隔离沟。

10、在一种可能的实现方式中，所述导电层位于所述焊料层的另一侧的部分，按照与所述出光口的距离从远到近依次形成所述基板的第二电极和至少一个功能电极，所述第二电极和相邻的所述功能电极之间、相邻的所述功能电极之间设置有实现电隔离的隔离沟。

11、在一种可能的实现方式中，各所述功能电极用于与所述激光器相关的其他元件连接，

12、所述其他元件包括以下至少一种：集成电阻、电容、光探测器、光纤安装座、光纤。

13、在一种可能的实现方式中，所述激光器包括泵浦激光器、可见光波段的半导体激光器中的任意一种。

14、本申请的这些和其他方面在以下(多个)实施例的描述中会更加简明易懂。

技术特征：

1.一种激光器，其特征在于，包括基板和安装在所述基板上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括依次堆叠的p面电极、p面接触层、p面限制层、有源层、n面限制层、缓冲层、衬底、n面接触层和n面电极，所述基板包括基底、位于所述基底上方的导电层和位于所述导电层上方的焊料层；

2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，与所述第一电极通过引线连接的p面电极或n面电极具有至少一个镂空区域，各所述镂空区域位于所述引线与所述出光口之间。

3.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述引线的所在区域位于远离所述出光口的二分之一腔长区间内。

4.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述注入区域的宽度小于所述腔长的一半，所述注入区域位于远离所述出光口的二分之一腔长区间内。

5.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述导电层位于所述焊料层的一侧的部分，按照与所述出光口的距离从远到近依次形成所述基板的第一电极和至少一个功能电极，所述第一电极和相邻的所述功能电极之间、相邻的所述功能电极之间设置有实现电隔离的隔离沟。

6.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述导电层位于所述焊料层的另一侧的部分，按照与所述出光口的距离从远到近依次形成所述基板的第二电极和至少一个功能电极，所述第二电极和相邻的所述功能电极之间、相邻的所述功能电极之间设置有实现电隔离的隔离沟。

7.根据权利要求5或6所述的激光器，其特征在于，各所述功能电极用于与所述激光器相关的其他元件连接，

8.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述激光器包括泵浦激光器、可见光波段的半导体激光器中的任意一种。

技术总结
本申请涉及一种激光器。包括：基板和其上的半导体发光结构，基板包括依次堆叠的基底、导电层和焊料层；焊料层位于导电层的中间区域，且导电层位于焊料层的两侧的部分分别形成基板的第一电极和第二电极；导电层中的第一隔离沟将第一电极与导电层的其他部分电隔离且第一隔离沟的长度大于或等于腔长、第二隔离沟将第二电极的部分与导电层的其他部分电隔离以在导电层远离出光口的一侧形成注入区域；半导体发光结构的N面电极与焊料层焊接在一起且P面电极通过引线与第一电极连接，或者半导体发光结构的P面电极与焊料层焊接在一起且N面电极通过引线与第一电极连接。降低高功率激光器的失效率，提升器件的整体可靠性，工艺简单且适用范围广。

技术研发人员：王铮铎,雷宏驰
受保护的技术使用者：华为技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24